模擬電子技術(華中理工版)第二章學習課件-文庫吧資料
2025-02-09 16:35本頁面
【正文】 于工頻大電流整流電路。(a)點接觸型 二極管的結構示意圖(3) 平面型二極管 往往用于集成電路制造藝中。二極管按結構分有 點接觸型、面接觸型和平面型 三大類。 PN結的單向導電性 (3) PN結 V I 特性表達式其中PN結的伏安特性IS —— 反向飽和電流VT —— 溫度的電壓當量且在常溫下（ T=300K） PN結的反向擊穿 當 PN結的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結的 反向擊穿。 PN結的伏安特性 小結： PN結加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流； PN結加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。R EI≈0－－－－++++擴散運動〈 漂移運動 PN結的單向導電性 當外加電壓使 PN結中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之 稱為加 反向電壓 ， 簡稱 反偏 。I擴散運動〉漂移運動（ 2） PN 結反向偏置－－－－++++內(nèi)電場外電場變厚NP+_內(nèi)電場被被加強，多子的擴散受抑制。 PN結的單向導電性 當外加電壓使 PN結中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之 稱為加 反向電壓 ， 簡稱 反偏 。此時將在N型半導體和 P型半導體的結合面上形成如下物理過程 : 因濃度差 ? 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 ? 內(nèi)電場促使少子漂移 多子的擴散運動 ? 由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ? 對于 P型半導體和 N型半導體結合面，離子薄層形成的 空間電荷區(qū) 稱為 PN結 。三價雜質(zhì) 因而也稱為 受主雜質(zhì) 。 在 P型半導體中 空穴是多數(shù)載流子， 它主要由摻雜形成 ； 自由 電子是少數(shù)載流子， 由熱激發(fā)形成。 提供自由電子的五價雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為 正離子 ，因此五價雜質(zhì)原子也稱為 施主雜質(zhì) 。 1. N型半導體 因五價雜質(zhì)原子中只有四個價電子能與周圍四個半導體原子中的價電子形成共價鍵，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。 N型半導體 —— 摻入五價雜質(zhì)元素（如磷）的半導體。摻入的雜質(zhì)主要是三價或五價元素。 2. 空穴移動產(chǎn)生的電流。本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度?？昭ǖ囊苿涌昭ǖ囊苿訙囟仍礁?，載流子的濃度越高。電子空穴對 —— 由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對 。它在物理結構上呈單晶體形態(tài)。本征半導體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子 和 空穴 。這種現(xiàn)象稱為 本征激發(fā) 。+4 +4+4 +4二、本征半導體的導電機理在絕對 0度 （ T=0K） 和沒有外界激發(fā)時 ,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即 載流子 ），它的導電能力為 0，相當于絕緣體。形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩(wěn)定結構。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成 共價鍵 ，共用一對價電子。現(xiàn)代電子學中，
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