模擬電子技術(華中理工版)第二章學習課件(存儲版)
【正文】 五價雜質原子因帶正電荷而成為 正離子 ，因此五價雜質原子也稱為 施主雜質 。 PN結的單向導電性 當外加電壓使 PN結中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之 稱為加 反向電壓 ， 簡稱 反偏 。 PN結的單向導電性 (3) PN結 V I 特性表達式其中PN結的伏安特性IS —— 反向飽和電流VT —— 溫度的電壓當量且在常溫下（ T=300K） PN結的反向擊穿 當 PN結的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結的 反向擊穿。若若 V陽陽 V陰陰 或或 UD為正為正 ( 正向偏置正向偏置 )，二極管導通，二極管導通若若 V陽陽 V陰陰 或或 UD為負為負 ( 反向偏置反向偏置 )， 二極管截止二極管截止 若二極管是理想的， 正向導通時正向管壓降為零，正向導通時正向管壓降為零，反向截止時二極管相當于斷開反向截止時二極管相當于斷開 。兩個二極管的陰極接在一起兩個二極管的陰極接在一起取取 B 點作參考點，斷開二極管，點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。波形。(1) 穩(wěn)定電壓 VZ 在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流 IZ下，所對應的反向工作電壓。具有一系列特殊的性能，如摻雜、光照和溫度都可以改變半導體的導電性能。? 晶體二極管基本用途是整流穩(wěn)壓和限幅?？梢蕴峁┮粋€穩(wěn)定的電壓。這一穩(wěn)壓過程可概括如下： IL↑→ IR↑→ VR↑→ VZ↓（ VO↓） → IZ↓→ IR↓→ VR↓→ VO↑ 穩(wěn)壓二極管3. 穩(wěn)壓電路正常穩(wěn)壓時 VO =VZIZmin ≤ IZ ≤ IZmax 不加不加 R可以嗎？可以嗎？ 上述電路上述電路 VI為正弦波，且幅值為正弦波，且幅值大于大于 VZ ， VO的波形是怎樣的？的波形是怎樣的？特殊類型的二極管特殊類型的二極管? 變?nèi)?二極管利用結勢壘電容 CT隨外電壓 U的變化而變化的特點制成的二極管。應用三、限幅作用應用四、整流作用 特殊體二極管 穩(wěn)壓二極管 變?nèi)荻O管 光電子器件1. 光電二極管2. 發(fā)光二極管3. 激光二極管 穩(wěn)壓二極管1. 符號及穩(wěn)壓特性(a)符號(b) 伏安特性 利用二極管反向擊穿特性實現(xiàn)穩(wěn)壓。 BD16V12V3k?AD2UAB+–應用二、隔離的作用：應用二、隔離的作用： 二極管截止時相當于開路，可二極管截止時相當于開路，可用來隔斷電路或信號之間的聯(lián)系用來隔斷電路或信號之間的聯(lián)系 。在這里，二極管起箝位作用。(2) 面接觸型二極管 PN結面積大，用于工頻大電流整流電路。 PN結的伏安特性 小結： PN結加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流； PN結加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。此時將在N型半導體和 P型半導體的結合面上形成如下物理過程 : 因濃度差 ? 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 ? 內(nèi)電場促使少子漂移 多子的擴散運動 ? 由 雜質離子形成空間電荷區(qū) ? 對于 P型半導體和 N型半導體結合面，離子薄層形成的 空間電荷區(qū) 稱為 PN結 。 1. N型半導體 因五價雜
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