數(shù)字電子技術(shù)第二章-文庫吧資料
2025-05-21 17:32本頁面
【正文】 子技術(shù) 》 三態(tài)輸出門 使 T4也截止，輸出呈高阻態(tài) 雙極型集成門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 圖 三態(tài)與非門的電路結(jié)構(gòu)和邏輯符號 （ a）高電平有效三態(tài)門（ b）低電平有效三態(tài)門 使 T4也截止，輸出呈高阻態(tài) 雙極型集成門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 圖 用三態(tài)輸出門接成總線結(jié)構(gòu) 圖 用三態(tài)輸出門實現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸 雙極型集成門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 ◆ 三態(tài)：低電平、高電平、 高阻 。 ◆ 可根據(jù)要求選擇電源，靈活得到下級電路 所需電壓 。 雙極型集成門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 一、 TTL反相器 （二） 幾種典型的 TTL集成門電路 A A A A 電路結(jié)構(gòu) 雙極型集成門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 一、 TTL反相器 電壓傳輸特性 3 . 02 . 01 . 000 . 51 . 0 1 . 5A BCD Ev I / Vv o / VV T H 雙極型集成門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 一、 TTL反相器 輸入噪聲容限 噪聲容限： 在保證輸出高、低電平基本不變（或者說變化的大小不超過允許限度）的條件下，允許輸入電平有一定的波動范圍。 輸出電平可變； 驅(qū)動能力增強； 可“線與”。 雙極型集成門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 167。這些技術(shù)的發(fā)展，使得集成電路的發(fā)展進(jìn)入了一個新的發(fā)展的 里程碑 。 雙極型集成門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 圖 集成電路圖例 亞微米 (到 1微米 )→ 深亞微米 (小于?m)→超深亞微米 (小于 ?m ，目前已經(jīng)到了 ?m)。 ? 集成電路的 優(yōu)點 ：體積小、重量輕、可靠性高、壽命長、功耗小、成本低、工作速度高。 集成電路概述 ? 目前，數(shù)字電路中，集成電路已幾乎取代了分立元件電路。 分立元件門電路 分立元件門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 一、二極管與門 圖 二極管與門 分立元件門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 二、二極管或門 圖 二極管或門 分立元件門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 三、三極管非門（反相器） bV圖 三極管非門（反相器） BSb Ii ? 分立元件門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 四、其它電路 圖 與非門電路 分立元件門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 思考： 如何用分立元件畫出與或非門、異或門和同或門的電路圖？ 圖 或非門電路 167。 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 一、半導(dǎo)體二極管的開關(guān)特性 圖 二極管開關(guān)電路結(jié)構(gòu)及電路示意 VON: 硅 ~。 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 概述 圖 獲得高、低電平的基本原理 (a)單開關(guān)電路 S 1S 2輸入信號輸出信號V IV OV C C(b)互補開關(guān)電路 獲得高、低電平的基本原理如圖 。 如圖 。 常用的門電路在邏輯功能上有： 與門、或門、 非門、與非門、或非門、與或非門、異或門 等。第二章 邏輯門電路 Chapter 2 Logic Gate Circuits 概述 分立元件門電路 雙極型集成門電路 MOS型門電路 第二章 邏輯門電路 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性 TTL電路于 C MOS電路的接口 167。 概述 概述 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 用以實現(xiàn) 基本邏輯運算 和 復(fù)合邏輯運算 的單元 電路通稱為門電路。 在電子電路中，用高、低電平分別表示 0兩 種二值邏輯狀態(tài)，此為 正邏輯 ，否則為 負(fù)邏輯 。 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 概述 圖 正邏輯和負(fù)邏輯 對元、器件 參數(shù)精度 和電源 穩(wěn)定度 較模擬電路低一些。 缺陷？ RS輸入信號輸出信號VIVOVC C167。 鍺 ~ pn+ R LVI+U I正 極 負(fù) 極p 中 多 子 為 空 穴 ， n 中 多 子 為 電 子pn+ R LVI+U I正 極 負(fù) 極p 中 多 子 為 空 穴 ， n 中 多 子 為 電 子 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 pn+ R LVI+U I正 極 負(fù) 極p 中 多 子 為 空 穴 ， n 中 多 子 為 電 子(a) 圖 二極管伏安特性的幾種近似方法（靜態(tài)分析） (a)Von和 rD均不可忽略 (b) Von不可忽略 (c) Von和 rD均可忽略 (b) (c) )1( ?? TVvS eIivv0iV O N+ V O Nr D0iV O N+ V O N0iv+ 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性 《 數(shù)字電子技術(shù) 》 pn+ R LVI+U I正 極 負(fù) 極p 中 多 子 為 空 穴 ， n 中 多 子 為 電 子圖 二極管的動態(tài)電流波形 tti00t r eV 半
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