【正文】 歐之間(在具體應用中，還應根據(jù)實際情況予以適當調(diào)整)。Rg減小時，di/dt 增高，可能產(chǎn)生誤導通，使 IGBT 損壞。 柵極電阻為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減小IGBT集電極的電壓尖峰，應在IGBT柵極串上合適的電阻Rg。由于 IGBT 的開關(guān)過程需要消耗一定的電源功率，最小峰值電流可由下式求出：IGP=△Uge/RG+Rg；式中△ Uge=+Uge+|Uge|；RG是IGBT內(nèi)部電阻；Rg 是柵極電阻。此電壓有可能會造成 IGBT 或其他元器件被過壓擊穿而損壞。但在實際使用中，過快的開通和關(guān)斷在大電感負載情況下反而是不利的。對于全橋或半橋電路來說，上下管的驅(qū)動電源要相互隔離，由于 IGBT 是電壓控制器件，所需要的驅(qū)動功率很小，主要是對其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容的充放電，要求能提供較大的瞬時電流，要使 IGBT 迅速關(guān)斷，應盡量減小電源的內(nèi)阻，并且為防止 IGBT 關(guān)斷時產(chǎn)生的du/dt誤使IGBT導通，應加上一個5V的關(guān)柵電壓，以確保其完全可靠的關(guān)斷(過大的反向電壓會造成 IGBT 柵射反向擊穿，一般為2～10V之間)。 柵極驅(qū)動電壓因IGBT柵極—發(fā)射極阻抗大，故可使用 MOSFET 驅(qū)動技術(shù)進行驅(qū)動，但 IGBT 的輸入電容較MOSFET大，所以IGBT的驅(qū)動偏壓應比MOSFET 驅(qū)動所需偏壓強。鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動性有密切的關(guān)系。這種殘余電流值(尾流)的降低，完全取決于關(guān)斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓撲，層次厚度和溫度。 關(guān)斷過程當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N區(qū)內(nèi)。第三：第三階段從集電極電流達到最大值ICmax。第二：當門射電壓Vge達到其閥值電壓時，開通過程進入第二階段，IGBT開始導通，其電流上升速率dI/dt的大小與門射電壓Vge和器件的跨導gfs有如下關(guān)系：dIc/dt=gfs（Ic）＊dVge/dt。其門極電阻RG和門射電容CGEI的時間常數(shù)決定這一過程。而非傳統(tǒng)性IGBT采用薄片技術(shù)，在性能上高速，低損耗，在設(shè)計600V1200V的IGBT時，其可靠性最高。在未來很長一段時間內(nèi)，為適應全球降低CO2排放的戰(zhàn)略需要，IGBT必將扮演更為重要的角色，是節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟的重要支點。IGBT廣泛應用于工業(yè)、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天、國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。作為電力電子變換器的核心器件，為應用裝置的高頻化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基礎(chǔ)。二、IGBT介紹 什么是IGBT 絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是在金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)和雙極晶體管(Bipolar)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復合功率器件，具有MOS輸入、雙極輸出功能。隨著電力電子技術(shù)理論研究和制造工藝水平的不斷提高, 電力電子器件在容易和類型等方面得到了很大發(fā)展, 是電力電子技術(shù)的又一次飛躍, , 功率MOSFET 等自關(guān)斷全控型第二代電力電子器件。Development 、引言..............................................................................................................1二、IGBT介紹.....................................................................................................1 什么是IGBT..........................................................................................1 IGBT的各種有關(guān)參數(shù)...........................................................................1 ..............................................................................2三、存在的問題....................................................................................................4四、研究現(xiàn)狀........................................................................................................5五、發(fā)展趨勢........................................................................................................6 參考文獻................................................................................................................7一、引言自20 世紀50 年代末第一只晶閘管問世以來, 電力電子技術(shù)開始登上現(xiàn)代電氣傳動技術(shù)舞臺, 以此為基礎(chǔ)開發(fā)的可控硅整流裝置, 是電氣傳動領(lǐng)域的一次革命, 使電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)變流機組和靜止離子變流器進入由電力電子器件構(gòu)成的變流器時代, 這標志著電力電子的誕生。Semiconductor。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。第三篇：電力電子技術(shù)課程總結(jié)學 號：1111111111Hefei University功率變換技術(shù)課程綜述報告題目：IGBT研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢專業(yè)班級： XXXXXXXXXXXX 學生姓名： XXX 教師姓名： ZZZZZ老師 完成時間： 2017年5月14日IGBT研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢中 文 摘 要IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。41控制方式：保持載波頻率Fc固定不變，這樣當調(diào)制信號頻率Fr變化時，載波比N試變化的42同步調(diào)制：在逆變器輸出變頻工作時，使載波與調(diào)制信號波保持同步的調(diào)制方式，即改變調(diào)制信號波頻率的同時成正比的改變載波頻率，保持載波比N等于常數(shù)。逆變電路分類：為電壓型逆變電路（直流側(cè)為電壓源）和電源型逆變電路（直流側(cè)為電流源）38 PWM控制定義：脈沖寬度控制技術(shù)39 SPWM波形：PWM波形脈沖寬度按正弦規(guī)律變化，與正弦波等效時。34逆變電路定義：把直流電逆變?yōu)榻涣麟姷碾娐?5有源逆變電路：將交流側(cè)和電網(wǎng)連接時的逆變電路，實質(zhì)是整流電路形式。分為電力電子器件制造技術(shù)和變流技術(shù)32電力電子系統(tǒng)由主電路，控制電路，檢測電路，驅(qū)動電路和保護電路組成。26在三相全控橋式整流電路單脈沖觸發(fā)方式中，要求脈沖寬度大于60176。導電型電壓源型三相橋式逆變電路，其換相是在同一橋臂的上下兩個開關(guān)元件之間進行24改變SPWM逆變器的調(diào)制波頻率，可以改變輸出電壓的基波頻率。 15在橋式全控有源逆變電路中，理論上你逆變角β的范圍是0~30176。2單向半波可控整流電路中，控制角α最大移相范圍是0~180176。第一篇：電力電子技術(shù)第二章總結(jié)2016 電力電子技術(shù)作業(yè)：第二章總結(jié)班級：XXXXXX學號：XXXXXXX姓名：XXXXXX 第二章電力電子器件 總結(jié) 不可控器件——電力二極管(Power Diode)GPD FRD SBD 半控型器件——晶閘管(Thyristor)FST TRIAC LTT 典型全控型器件 GTO GTR MOSFET IGBT 其他新型電力電子器件 MCT SIT SITH IGCT 功率集成電路與集成電力電子模塊 HVIC SPIC IPM 主電路(Main Power Circuit):在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中,直接承擔電能的變換或控制任務的電路? 電