集成電路工藝流程簡(jiǎn)介-文庫(kù)吧資料
2025-01-12 12:25本頁(yè)面
【正文】 入240。生長(zhǎng) n型外延層?利用 HF腐蝕掉硅片表面的氧化層?將硅片放入外延爐中進(jìn)行外延，外延層的厚度和摻雜濃度一般由器件的用途決定240。CMOS集成電路一般采用 (100)晶向的硅材料AA雙極集成電路制造工藝240。 形成鈍化層? 在低溫條件下 (小于 300℃ )淀積氮化硅? 光刻鈍化版? 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形240。形成第二層金屬?淀積金屬層，如 AlSi、 AlSiCu合金等?光刻第二層金屬版，定義出連線圖形?反應(yīng)離子刻蝕，形成第二層金屬互連圖形240。形成第一層金屬?淀積金屬層，如 AlSi、 AlSiCu合金等?光刻第一層金屬版，定義出連線圖形?反應(yīng)離子刻蝕金屬層，形成互連圖形240。形成接觸孔? 化學(xué)氣相淀積磷硅玻璃層?退火和致密?光刻接觸孔版?反應(yīng)離子刻蝕磷硅玻璃，形成接觸孔240。形成 N管源漏區(qū)?光刻，利用光刻膠將 PMOS區(qū)保護(hù)起來(lái)?離子注入磷或砷，形成 N管源漏區(qū)240。形成多晶硅柵? 生長(zhǎng)柵氧化層? 淀積多晶硅? 光刻多晶硅柵? 刻蝕多晶硅柵240。推阱?退火驅(qū)入?去掉 N阱區(qū)的氧化層240。形成 N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻 1版，定義出 N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入，注磷240。集成電路工藝主要分為哪幾大類，每一類中包括哪些主要工藝，并簡(jiǎn)述各工藝的主要作用240。摻雜：?離子注入 退火?擴(kuò)散240。濺射： 真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場(chǎng)作用下，氣體放電形成的離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上蒸發(fā)原理圖集成電路工藝240。蒸發(fā)： 在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。240。二氧化硅的化學(xué)汽相淀積： 可以作為金屬化時(shí)的介質(zhì)層，而且還可以作為離子注入或擴(kuò)散的掩蔽膜，甚至還可以將摻磷、硼或砷的氧化物用作擴(kuò)散源 ?低溫 CVD氧化層：低于 500℃?中等溫度淀積： 500～ 800℃?高溫淀積： 900℃ 左右化學(xué)汽相淀積 (CVD)240。等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)APCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 LPCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖平行板型 PECVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖化學(xué)汽相淀積 (CVD)240。常壓化學(xué)汽相淀積 (APCVD)240?；瘜W(xué)汽相淀積 (Chemical Vapor Deposition)：通過(guò)氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過(guò)程240。熱分解淀積法240。熱氧化法?干氧氧化?水蒸汽氧化?濕氧氧化?干氧－濕氧－干氧 (簡(jiǎn)稱干濕干 )氧化法?氫氧合成氧化240。作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料240。作為集成電路的隔離介質(zhì)材料240。在 MOS電路中作為 MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，器件的組成部分240。SiO2的性質(zhì)及其作用240。退火方式：?爐退火?快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源 (如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等 )氧化工藝240。?可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜離子注入系統(tǒng)的原理示意圖離子注入到無(wú)定形靶中的高斯分布情況退 火240。間隙式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：?Na、 K、 Fe、 Cu、 Au 等元素?擴(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大 6～ 7個(gè)數(shù)量級(jí)雜質(zhì)橫向擴(kuò)散示意圖固態(tài)源擴(kuò)散：如 B2O P2O BN等利用液態(tài)源進(jìn)行擴(kuò)散的裝置示意圖離子注入240。摻雜工藝： 擴(kuò)散、離子注入擴(kuò) 散240。目前， RIE已成為 VLSI工藝中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕技術(shù)雜質(zhì)摻雜240。反應(yīng)離子刻蝕 (Reactive Ion Etching，簡(jiǎn)
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