模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-21-文庫(kù)吧資料
2025-01-06 09:04本頁(yè)面
【正文】 電流放大系數(shù) ECII????BCII????定義 ? 與 ?的關(guān)系 ????? 1 ????? 1 ???? ?? ，一般可以認(rèn)為 上頁(yè) 下頁(yè) 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) uBE = ube + UBE (2) 放大原理 設(shè)輸入信號(hào) ui=Uimsinωt V 那么 iB = ib + IB iC = ic + IC uCE = uce + UCE uce = –icRC 其中 UCE = VCC –ICRC 放大電路 T VBB VCC iB uBE _ uCE iC + RB RC ui + _ + _ iE 上頁(yè) 下頁(yè) 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) a. 在 RC兩端有一個(gè)較大的交流分量可供輸出。B =IB+△ IB I 39。 上頁(yè) 下頁(yè) 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 各電極電流之間的關(guān)系 CE OBC III ?? ?CEOBBCE)1( IIIII??????CB OCE O )1( II ???ICEO稱為穿透電流 IB BBVBRCCVCRcN?NPBEU??? CBU?EI be IC ICBO ? CEU?上頁(yè) 下頁(yè) 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) ????? 1 ????? 1或 的關(guān)系 ??由 ~?? 200~20??一般情況 上頁(yè) 下頁(yè) 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 如果 △ UBE 0， 那么△ IB 0， △ IC 0 ， △ IE 0 當(dāng)輸入回路電壓 U 39。 基極是兩個(gè)回路的公共端，稱這種接法為 共基極接法。 集電區(qū) E B C 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 上頁(yè) 下頁(yè) 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 晶體管的工作原理（以 NPN型管為例） 依據(jù)兩個(gè) PN結(jié)的偏置情況 放大狀態(tài) 飽和狀態(tài) 截止?fàn)顟B(tài) 倒置狀態(tài) 晶體管的工作狀態(tài) 上頁(yè) 下頁(yè) 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 1． 發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置 —— 放大狀態(tài) 原理圖 電路圖 EEVER CCVCRCIcN?NPBEU CBUEI beBI+ – + – ER CREI CIBEU????CBUBICCVEEVT上頁(yè) 下頁(yè) 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (1) 電流關(guān)系 a. 發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子 形成發(fā)射極電流 IE 發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子 稱擴(kuò)散到基區(qū)的發(fā)射區(qū)多子為非平衡少子 EEVER CCVCRcN?NPBEU???CBU?EI be上頁(yè) 下頁(yè) 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) b. 基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散空穴 基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散空穴 發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子 形成空穴電流 EEVER CCVCRcN
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