【正文】 off)情況下 , 即當(dāng) uDS uGS uGS(off) 對(duì)應(yīng)于不同的 uGS ， ds間等效成不同阻值的電阻。場(chǎng)效應(yīng)管為電壓控制元件 (VCCS)。(a) (b)uGD ＝ uGS － uDS 第四版童詩(shī)白86GDSP+NiSiDP+ P+ VDDVGGuGS 0,uGD = UGS(off), 溝道變窄預(yù)夾斷uGS 0 ,uGD uGS(off),夾斷，iD幾乎不變GDSiSiDP+ VDDVGGP+P+(1) 改變 uGS ， 改變了 PN 結(jié)中電場(chǎng)，控制了 iD ，故稱場(chǎng)效應(yīng)管； (2)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源之間加反向偏置電壓，使 PN 反偏，柵極基本不取電流，因此，場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻很高。GDSP+ NiSiDP+ P+ VDDVGG uGS 0， uGD UGS（ Off) ， iD 更小。 UGS(off) 也可用 UP表示第四版童詩(shī)白852. 當(dāng) uGS 為 UGS（ Off)~0中一固定值時(shí) ,uDS 對(duì)漏極電流 iD的影響。第四版童詩(shī)白821. 當(dāng) UDS = 0 時(shí) ， uGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的控制作用ID = 0GDSN型溝道P+ P+ (a) UGS = 0UGS = 0 時(shí)，耗盡層比較窄，導(dǎo)電溝比較寬第四版童詩(shī)白831. 當(dāng) UDS = 0 時(shí) ， uGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的控制作用UGS 由零逐漸減小，耗盡層逐漸加寬，導(dǎo)電溝相應(yīng)變窄。 (VCCS)GDSNN型溝道柵極源極漏極P+ P+耗盡層　 　 *在柵極和源極之間加反向電壓，耗盡層會(huì)變寬，導(dǎo)電溝道寬度減小，使溝道本身的電阻值增大，漏極電流 ID 減小，反之，漏極 ID 電流將增加。第四版童詩(shī)白80P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管　 P 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖N+ N+P型溝道GSD P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管是在 P 型硅棒的兩側(cè)做成高摻雜的 N 型區(qū) (N+)， 導(dǎo)電溝道為 P 型 ，多數(shù)載流子為空穴。第四版童詩(shī)白78N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場(chǎng)效應(yīng)管 分類：第四版童詩(shī)白79DSGN符號(hào)　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 Junction Field Effect Transistor結(jié)構(gòu)圖 　 N 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖N型溝道N型硅棒柵極源極漏極P+ P+P 型區(qū)耗盡層(PN 結(jié) )　 　 在漏極和源極之間加上一個(gè)正向電壓， N 型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子電子 可以導(dǎo)電。解：解：第四版童詩(shī)白75　光電三極管一、等效電路、符號(hào)二、光電三極管的輸出特性曲線ceceiCuCEO圖 E1E2E3E4E＝ 0第四版童詩(shī)白76復(fù)習(xí) 電流關(guān)系 ？IE =IC+IB、輸出特性曲線？uCE = 0V uCE ? 1VuBE /V？第四版童詩(shī)白77　場(chǎng)效應(yīng)三極管場(chǎng)效應(yīng)管： 一種載流子參與導(dǎo)電，利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的三極管，又稱 單極型三極管?！　　? NPN管　 UBE＞ 0，　 UBC＜ 0， 即 UC ＞＞ UB ＞＞ UE ?！　。ā　。?1）） U1 b、 U2 e、 U3 c NPN 硅硅 （（ 2）） U1 b、 U2 e、 U3 c NPN 鍺鍺 （（ 3）） U1 c、 U2 b、 U3 e PNP 硅硅 （（ 4）） U1 c、 U2 b、 U3 e PNP 鍺鍺原則：先求 UBE，若等于 ，為硅管；若等于 ，為鍺管。參考實(shí)驗(yàn)。管型為 NPN管?！　‰娏鞯恼较蚝?KCL。 IA＝ 2mA,IB＝ ,IC＝ +,試判斷管腳、管型。硅管的 ICBO比鍺管的小得多。 輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū) PCM= iCuCE U (BR) CEO UCE/V第四版童詩(shī)白71　溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響一、溫度對(duì) ICBO的影響溫度每升高 100C ， ICBO增加約一倍。 ? UCEO—— 基極開路時(shí)集電極和發(fā)射 極間的擊穿電壓。第四版童詩(shī)白67三極管的參數(shù)分為三大類 : 直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)一、直流參數(shù)=（ IC－ ICEO） /IB≈IC / IB ? vCE=const 的主要參數(shù) ICBO集電極發(fā)射極間的反向飽和電流 ICEOICEO=（ 1+ ） ICBO第四版童詩(shī)白68二、交流參數(shù) ? ? =?iC/?iB?UCE=const2. 共基極交流電流放大系數(shù) α α =?iC/?iE? UCB=const fT?值下降到 1的信號(hào)頻率第四版童詩(shī)白69 PCM PCM= iCuCE 三、 極限參數(shù) ICM3. 反向擊穿電壓 ? UCBO—— 發(fā)射極開路時(shí)的集電結(jié)反 　　　　　向擊穿電壓。放大區(qū)： iC平行于 uCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。iC=f(uCE)? IB=const二、輸出特性曲線輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域 :截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。一 . 輸入特性曲線uCE = 0V uCE ? 1VuBE /V+bce共射極放大電路UBBUCCuBEiCiB +uCE第四版童詩(shī)白66飽和區(qū)： iC明顯受 uCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般 uCE＜ (硅管 )。5. ?與 ?的關(guān)系　ICIE +C2+C1VEEReVCCRc共基極接法第四版童詩(shī)白65 晶體管的共射特性曲線uCE = 0VuBE /V iB=f(uBE)? UCE=const(2) 當(dāng) uCE≥1V時(shí)， uCB= uCE uBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收 集電子，基區(qū)復(fù)合減少，在同樣的 uBE下 IB減小，特性曲線右移。I C另外，集電區(qū)和基區(qū)的少子在外電場(chǎng)的作用下將進(jìn)行漂移運(yùn)動(dòng)而形成 反向 飽和電流 ， 用 ICBO表示 。晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)第四版童詩(shī)白61becI EI BRcRb，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流 Ic 　集電結(jié)反偏，有利于收集基區(qū)擴(kuò)散過來的電子而形成集電極電流 I。2. 擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子與　空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極　電流 　　 電子到達(dá)基區(qū)，少數(shù)與空穴復(fù)　合形成基極電流 Ibn， 復(fù)合掉的　空穴由 VBB 補(bǔ)充 。3. 集電結(jié)面積大。通常只有幾微米到幾十微米，而且 摻雜較少 。　 不具備放大作用第四版童詩(shī)白59三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求：NNPebc　　 1. 發(fā)射區(qū)高摻雜。發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū) 集電區(qū)第四版童詩(shī)白56圖 (b)　三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)　　 NPN 型ecb符號(hào)集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)集電極 c基極 b發(fā)射極 eNNP第四版童詩(shī)白57集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)集電極 c發(fā)射極 e基極 b　　 cbe符號(hào)NNPPN圖 169。圖 　三極管的外形X：低頻小功率管D：低頻大功率管G：高頻小功率管A：高頻大功率管第四版童詩(shī)白55　晶體管的結(jié)構(gòu)及類型常用的三極管的結(jié)構(gòu)有硅平面管和鍺合金管兩種類型?！　∪龢O管有兩種類型： NPN 型和 PNP 型。第四版童詩(shī)白54　雙極型晶體管 (BJT)　又稱半導(dǎo)體三極管、晶體三極管，或簡(jiǎn)稱晶體管。若 負(fù)載電阻 變化范圍為 k? 4 k? ，是否還能穩(wěn)壓？第四版童詩(shī)白49RLui uORDZiiziLUZUZ=10V ui=12VR=200 ?Izmax=12mA Izmin=2mARL=2k? ( k? ~4 k?) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（ mA）i= （ ui UZ） /R=（ 1210） /=10 （ mA） iZ = i iL=105=5 （ mA）RL= k? , iL=10/=（ mA） , iZ ==（ mA）RL=4 k? , iL=10/4=（ mA） , iZ ==（ mA）負(fù)載變化 ,但 iZ仍在 12mA和 2mA之間 ,所以穩(wěn)壓管仍能起 穩(wěn)壓作用第四版童詩(shī)白50例 2：穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用解： ui和 uo的波形如圖所示 （ UZ＝ 3V）ui uODZR(a)(b)ui uORDZ第四版童詩(shī)白51一、發(fā)光二極管 LED (Light Emitting Diode)1. 符號(hào)和特性工作條件： 正向偏置一般工作電流幾十 mA， 導(dǎo)通電壓 (1 ? 2) V符號(hào)u /Vi /mAO 2特性　第四版童詩(shī)白52發(fā)光類型： 可見光： 紅、黃、綠顯示類型： 普通 LED ，不可見光： 紅外光點(diǎn)陣 LED七段 LED ,第四版童詩(shī)白53二、光電二極管符號(hào)和特性符號(hào) 特性u(píng)iOE = 200 lxE = 400 lx工作原理：三、變?nèi)荻O管四、隧道二極管五、肖特基二極管無光照時(shí)，與普通二極管一樣。DZ第四版童詩(shī)白46(1) 穩(wěn)定電壓 UZ(2) 動(dòng)態(tài)電阻 rZ 在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流 IZ下，所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓。即 根據(jù)得 Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo)則常溫下（ T=300K）圖 第四版童詩(shī)白44 應(yīng)用舉例 二極管的靜態(tài)工作情況分析理想模型（ R=10k?）VDD=10V 時(shí)恒壓模型（硅二極管典型值）折線模型（硅二極管典型值）設(shè)第四版童詩(shī)白45 　穩(wěn)壓二極管一、穩(wěn)壓管的伏安特性(a)符號(hào) (b)2CW17 伏安特性 利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。– 50I / mAU / – 2551015––0溫度增加第四版童詩(shī)白39 二極管的參數(shù)(1) 最大整流電流 IF(2) 反向擊穿電壓 U（ BR） 和最高反向工作電壓 URM(3) 反向電流 IR(4) 最高工作頻率 fM(5) 極間電容 Cj在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)根據(jù)管子所用的場(chǎng)合，按其所承受的最高反向電壓、最大正向平均電流、工作頻率、環(huán)境溫度等條件，選擇滿足要求的二極管。(b)面接觸型(c)平面型4　二極管的代表符號(hào)D第四版童詩(shī)白3