【摘要】模擬電子技術基礎安徽理工大學電氣工程系主講:黃友銳第二十講模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的應用(簡介)乘法器是又一種廣泛使用的模擬集成電路,它可以實現(xiàn)乘、除、開方、乘方、調(diào)幅等功能,廣泛應用于模擬運算、通信、測控系統(tǒng)、電氣測量和醫(yī)療儀器等許多領域。模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的基本原理變跨導型模擬乘法
2025-01-06 09:20
【摘要】模擬電子技術基礎安徽理工大學電氣工程系主講:黃友銳第十二講負反饋對放大電路性能的影響負反饋是改善放大電路性能的重要技術措施,廣泛應用于放大電路和反饋控制系統(tǒng)之中。負反饋對增益穩(wěn)定性的影響負反饋對輸入電阻的影響負反饋對輸出電阻的影響負反饋對通頻帶的影響負反饋對非線性失真的影響
2024-08-01 20:34
【摘要】清華大學華成英模擬電子技術基礎?本課程是入門性質(zhì)的技術基礎課清華大學華成英一、電子技術的發(fā)展?47年貝爾實驗室制成第一只晶體管?58年集成電路?69年大規(guī)模集成電路?75年超大規(guī)模集成電路?第一片集成電路只有4個晶體管,而97年一片集成電路上有40億
2024-10-13 15:00
【摘要】專業(yè)班號姓名學號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點的幅值沒有得到
2025-03-31 04:55
【摘要】《模擬電子技術》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計算題五、設計題模擬電子技術習題(部分)一、填空題1)根據(jù)導電能力來衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導體)和(半導體)三類。2)P型半導體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2024-08-18 08:50
【摘要】云南民族大學教案課程名稱:模擬電子技術基礎授課班級:12級電子信息類1班、12級電子信息類2班、12級網(wǎng)絡工程班、12級電氣類1班、12級電氣類2班任課教師:王 霞職稱:助 教
2024-08-18 08:30
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-18 07:58
【摘要】WORD格式整理電子技術基礎模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達式(設初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2024-08-18 09:23
【摘要】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-30 23:33
【摘要】模擬電子技術基礎試卷一本試卷共10題一、判斷下列說法是否正確,凡對者打“√”,錯者打“×”(本大題分2小題,每小題5分,共10分),正確的在括號中畫“√”,否則畫“×”。1)一個理想對稱的差分放大電路,只能放大差模輸入信號,不能放大共模輸入信號。()2)共模信號都是直
2025-01-13 21:37
【摘要】模擬電子技術基礎習題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場效應晶體管及其基本放大電路第五章集成運算放大器及其應用第六章負反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎知識第二章半導體二極管及其應用電路第十章直流穩(wěn)壓
2025-05-07 06:11
【摘要】翠屏電子職業(yè)技術學校電子技術基礎FundamentalsofElectronics11.本課程的性質(zhì)電子技術基礎課2.特點?非純理論性課程?實踐性很強?以工程實踐的觀點來處理電路中的一些問題3.研究內(nèi)容以器件
2025-05-08 13:49
【摘要】模擬電子技術基礎復習試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結外加正向電壓時,擴散
2024-11-06 08:43
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián),
2025-04-01 01:56
【摘要】1《模擬電子技術基礎》各章習題2第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。()(2)因為
2024-11-09 00:49