【正文】 壓板的鋼板 /清潔 /檢查 v 壓板后的拆板方法 v 鋦板 /運輸 /放取板的方法，工具 v 鉆 孔后的放板及疊高 六、常見問題種類及特征 外層 Open/Short圖例特征： 類型 (Type) 誘發(fā)因素 (Problem Causes) 圖例 (Appearance) 7. 描述 （ Description） 8. 蝕刻過度 擦花底銅 v 藥水濃度 /比重的配合 v 電鍍局部過厚的蝕刻 /方法 v 翻蝕板的方法 /噴壓的調(diào)節(jié) v 蝕刻平均度的調(diào)較 v 內(nèi)層送外層的來料檢查 v 壓板后的拆板方法 v 鋦板 /運輸 /放取板的方法，工具 六、常見問題種類及特征 隨著線路板向高層次發(fā)展 ,對于圖形轉(zhuǎn)移工序來講 , 高層數(shù)、高精度、密集型細線路如 4mil/mil ,甚至3mil /3mil 或以下的制作要求是本廠發(fā)展的趨勢。 注： R一般要求大于 3 ? 露銅點測試（褪膜工序） ： 五、各工序主要測試項目 使用已轆膜 /已曝光的銅板，在正常使用的褪膜速度與噴壓下，檢驗其在缸內(nèi)完全褪膜與未褪膜的位置。是檢驗蝕刻品質(zhì)的一種方法。 是檢驗曝光 /顯影工序的綜合能力，一般通過 TEST PATTERN的不同 Step的分布及實測數(shù)據(jù)來判斷其 解像度 /附著力狀態(tài)。 ? 露銅點測試（顯影工序） ： 五、各工序主要測試項目 ? 解像度 /附著力測試（顯影工序） ： 使用已轆膜的銅板，在正常使用的顯影速度與噴壓下，檢驗其在缸內(nèi)完全退膜與未退膜的位置。 方法二：通過 [感壓紙 ]的轆痕顏色深淺來判斷轆膜后銅面各位置的平均程度。作為檢驗前處理后的銅面指標。 2. 蝕刻的原理： Cu+CuCl2 2CuCl 2CuCl+HCl+H2O2 2CuCl2 +2H2O 2CuCl+HCl+1/2O2 2CuCl2+H2O 線路蝕刻原理： 四、 工藝制程原理 Mn+： Li+， Na+， k+， Ca++ Ki： 擴散速度常數(shù) （ Ka＞ Kb→ 干膜碎片小 ） （ Ka＜ Kb→ 干膜碎片大 ） 擴散速度： K+＞ Na+ Kb OH Mn+ CuO Cu2O CuO 氫鍵 (褪膜實質(zhì)上就是 OH,將氫鍵切斷 ) Ka OH M n+ 褪膜原理： 四、 工藝制程原理 四、 工藝制程原理 四、 工藝制程原理 四、 工藝制程原理 四、 工藝制程原理 四、 工藝制程原理 四、 工藝制程原理 四、 工藝制程原理 五、各工序主要測試項目 ? 水破測試（前處理工序 化學微蝕） ： ? 磨痕測試（前處理工序 機器磨法） ： 一般控制范圍： 10+/2mm 銅板 磨痕 磨痕寬度 通過磨痕的情況來檢驗磨后銅面各位置的平均程度。 CO CO OH OCH3 CO CO ONa OCH3 未聚合之干膜層被 Na2CO3溶液 沖掉的原理，是形成鈉鹽而被溶解，而已感光部分則不會形成鈉鹽而得以保存 。 2℃ ， 濕度： 50 177。 潔凈 室 ：是以每尺 3的空氣中所含大于 之數(shù)目 (PPOF)作為等級的，可分為三級，即： Class 大于或等于 100 100 10,000 10,000 100,000 100,000 ? 曝光室環(huán)境控制 注 :以美國聯(lián)邦標準 Fed STD 209B作為分級的規(guī)范 。 為能使 D1A20底片與工作現(xiàn)場的溫、濕度達到平衡，在進行曝光前， D1A20至少應靜置于制造場所超過 8小時以上。 下表以 D1A20為例的尺寸變化（由膨脹系數(shù)據(jù)決定） 濕度變化 棕片長度(mm)△RH% 200 300 400 500 600 700 8001 2 5 10 14 15 21 溫度變化 棕片長度 (mm)△ T ℃ 200 300 400 500 600 700 8001 4 6 8 10 12 14 162 8 12 14 20 24 28 325 20 30 40 50 60 70 8010 30 45 60 75 90 105 12015 40 60 80 100 120 140 160注 :(1)7mil 厚 D1A120 Film(2) 變化尺寸單位為μ m 。 * 最小光密度是指底版在紫外光中，其擋光膜以外透明片 基 所呈現(xiàn)的擋光上限 ,即底版透明區(qū)之光密度 Dmin小 于 ， 才能達到良好的透光目的 。 * 偶氮棕片之影像是翻照自黑白之母片（ Master Artwork) 的。即采用具有曝光光能量控制的曝光機 。 而燈光強度隨著電源壓力的波動 及燈的老化而發(fā)生變化，于是曝光量發(fā)生改變，導致干膜在每次曝光時所接受的總曝光量并不一定相同，即聚合程度亦不相同。 曝光光能量公式： E=It 式 中： E 總 的曝光能量， mj/cm2 I 燈光強度 ， mw/cm2 t 曝光時間 ， s 從上述可知 ,總曝光能量 E隨燈光強度 I和時間 t而變化。用光密度尺進行曝光時，光密度小的（即較透明的）等級，干膜接受紫外光能量多，聚合較完全，而光密度大的（即透明程度差的）等級，干膜接受的紫外光能量少，不發(fā)生聚合反應或聚合不完全，這樣選擇不同時間進行曝光，可得到不同成像級數(shù)，在顯影時被顯影掉或只剩下一部分。 缺點如一些塵粒，底片上刮痕等都會因平行光的像故而在干膜上清晰顯示而造成斷路、缺口。照相底片照射到感光層上的入 2 ） 較散射光源曝光機價格昂貴。適宜于密細線路。 2 ） 在高強光度下，其制作人操作范2) 適用于較寬導線() 圍比非平行光大很多。 θc θα/2 一般平行光曝光機的定義 : θ c、 θα/2≤3 0 ? 曝光光源形式分為散射光、平行光 ： ? 散射光、平行光，兩者優(yōu)缺點比較： 項目優(yōu)點 1) 只要能維持底片與光阻劑的緊 1 ） 在高