led芯片-文庫吧資料
2025-01-05 01:06本頁面
【正文】 拋光機 、變頻行星式球磨機 、晶體切割機等 高純原料 化合物單晶 外延用襯底片 26 2023年 1月 16日 基本工藝流程 27 2023年 1月 16日 四、 LED芯片的制備及應(yīng)用 藍寶石 緩沖層 NGaN pGaN MQW 在半導(dǎo)體基片上形成一個與基片結(jié)晶軸同晶向的半導(dǎo)體薄層，稱為半導(dǎo)體外延生長技術(shù)，所形成的薄層稱為外延層 28 2023年 1月 16日 P、 N極的分離表現(xiàn)為元素?fù)诫s度的不同 29 2023年 1月 16日 ? 依制程的不同，可分為 LPE(液相磊晶 )、 MOCVD(有機金屬氣相磊晶 )及 MBE(分子束磊晶 )。K)，要比藍寶石襯底高出 10倍以上。 采用這種襯底制作的器件的 導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好 ，有利于做成面積較大的大功率器件。 17 2023年 1月 16日 V型電極 芯片結(jié)構(gòu)通常為單電極結(jié)構(gòu)；L型電極 的芯片結(jié)構(gòu)通常為雙電極結(jié)構(gòu)。 ② 硅襯底 目前有部分 LED芯片采用硅襯底。 ① 藍寶石襯底 16 2023年 1月 16日 電流可以縱向流動（ V接觸），因此增大了 LED的發(fā)光面積，從而提高了 LED的出光效率。 LED的發(fā)光顏色、發(fā)光效率與制作 LED的 材料和制程有關(guān) 12 2023年 1月 16日 13 2023年 1月 16日 1. LPE： 液相磊晶法 GaP/GaP； 2. VPE： 氣相磊晶法 GaAsP/GaAs； 3. MOVPE： 有機金屬氣相磊晶法 ) AlGaInP、 GaN； 芯片 按 磊晶種類 ： 14 2023年 1月 16日 三、 LED芯片用襯底材料 15 2023年 1月 16日 優(yōu)點：生產(chǎn)技術(shù)成熟，器件質(zhì)量較好，穩(wěn)定性很好；機械強度高，易于處理和清洗。 目前廣泛使用的有紅、綠、藍三種。 AS 芯片 ﹕ Absorbable structure (吸收襯底）芯片 9 2023年 1月 16日 各單色純芯片發(fā)光的 LED 10 2023年 1月 16日 芯片按組成元素可分為： ☆ 二元晶片 (磷 ﹑ 鎵 )： H﹑ G等； ☆ 三元晶片 (磷 ﹑ 鎵 ﹑ 砷 )： SR(較亮紅色 GaA/AS 660nm)、 HR (超亮紅色 GaAlAs 660nm)、 UR(最亮紅色 GaAlAs 660nm)等； ☆ 四元晶片 (磷 ﹑ 鋁 ﹑ 鎵 ﹑ 銦 )： SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、 URF(最亮紅色 A
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