led芯片(已修改)
2025-01-09 01:06 本頁面
【正文】 1 2023年 1月 16日 LED芯片及其制備 2 2023年 1月 16日 四、 LED芯片的制備及應(yīng)用 主要內(nèi)容 一、 半導(dǎo)體材料 二、 LED芯片組成與分類 三、 LED芯片用襯底材料 3 2023年 1月 16日 一、 半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體材料（ semiconductor material） 是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在 1mΩcm～ 1GΩcm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。 20世紀(jì)初 元素半導(dǎo)體 硅（ Si） 鍺（ Ge） 20世紀(jì) 50年代 化合物半導(dǎo)體 砷化鎵（ GaAs） 銦磷（ InP） 20世紀(jì) 90年代 寬禁帶化合物半導(dǎo)體 氮化鎵（ GaN） 碳化硅（ SiC） 氧化鋅（ ZnO） 4 2023年 1月 16日 不是所有的半導(dǎo)體材料都能發(fā)光，半導(dǎo)體材料分為直接帶隙材料和間接帶隙材料，只有直接帶隙材料才能發(fā)光。 直接帶隙材料 電子可在導(dǎo)帶帶底垂直躍遷到價(jià)帶帶頂，它在導(dǎo)帶和價(jià)帶中 具有相同的動(dòng)量 ，發(fā)光率高。 用于發(fā)光的直接帶隙材料有GaAs、 AlGaAs、 InP、 InGaAsP等。 5 2023年 1月 16日 間接帶隙材料 電子不能在導(dǎo)帶帶底垂直躍遷到價(jià)帶帶頂，它在導(dǎo)帶和價(jià)帶中的動(dòng)量不相等，這種間接帶隙材料很難發(fā)光，即便能發(fā)光，效率也很低。 因此必須有另一粒子參與后使動(dòng)量相等，這個(gè)粒子的能量為Ep，動(dòng)量為 kp。 GaP 6 2023年 1月 16日 LED芯片又稱 LED芯片，英文叫做 CHIP，它是制作 LED器件的主要材料，由磷化鎵（ GaP），鎵鋁砷（ GaAlAs），或砷化鎵（ GaAs），氮化鎵（ GaN）等材質(zhì)組成，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)為一個(gè) PN結(jié)，具有單向?qū)щ娦浴? 二、 LED芯片組成與分類 7 2023年 1月 16日 8 2023年 1月 16日 芯片按發(fā)光亮度分類可分為： ☆ 一般亮度 ： R(紅色 GAaAsP 655nm)、 H ( 高紅 GaP 697nm )、 G ( 綠色 GaP 565nm )、 Y ( 黃色 GaAsP/GaP 585nm )、 E(桔色GaAsP/GaP 635nm )等； ☆ 高亮度 ： VG (較亮綠色 GaP 565nm )、 VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、 SR( 較亮紅色 GaA/AS 660nm )； ☆ 超高亮度 ： UG﹑ UY﹑
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