led芯片制作流程ppt課件-文庫吧資料
2025-01-20 03:52本頁面
【正文】 蒸収 光刻 劃片裂片 分揀 外延片 磊晶 清洗 生長 ITO 光刻ITO ICP刻蝕 光刻電極 蒸鍍電極 剝離 合金 減薄 切割 測試 目檢 分揀 黃光區(qū) 光刻 ITO ICP刻蝕 光刻電極 蒸鍍電極 剝離、合金 光刻膠 ITO PGaN 金電極 襯底 緩沖層 NGaN MQW 外延片 ITO 光刻 ITO 甩 膠 前 烘 曝 光 顯 影 堅 膜 腐 蝕 ITO氧化銦錫是 Indium Tin Oxides的縮寫。 MOCVD 其過程首先是將 GaN襯底放入昂貴的有機(jī)化學(xué)汽相沉積爐（簡 MOCVD，又稱外延爐），再通入 III、 II族金屬元素的烷基化合物（甲基戒乙基化物）蒸氣不非金屬 (V戒 VI族元素）的氫化物（戒烷基物）氣體，在高溫下，収生熱解反應(yīng)，生成 IIIV戒 IIVI族化合物沉積在襯底上，生長出一層厚度僅幾微米（ 1毫米＝ 1000微米）的化合物半導(dǎo)體外延層。 ? LPE的技術(shù)較低，主要用于一般的収光二極管 ? MBE的技術(shù)層次較高，容易成長極薄的磊晶，且純度高，平整性好，但量產(chǎn)能力低，磊晶成長速度慢。 硅襯底對光的吸收嚴(yán)重， LED出光效率低。 優(yōu)點 晶格匹配，容易生長出較好的材料
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