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正文內(nèi)容

單片機原理及應用電子課件-文庫吧資料

2024-10-13 15:46本頁面
  

【正文】 MOVC A,A+DPTR 。取 16進制數(shù) ANL A,0F0H 。源數(shù)據(jù)區(qū)長度 → R2 MOV DPTR,TAB 。源數(shù)據(jù)區(qū)首址 → R0 MOV R1,ADDR2 。數(shù)據(jù)塊長度(字節(jié)數(shù)) ORG 0 LJMP START ORG 30H START: MOV SP,60H 。待轉換數(shù)據(jù)區(qū)首地址 ADDR2 EQU 40H 。轉換的結果存放在 ADDR2開始的內(nèi)部 RAM中 。這是一個將 16進制數(shù)轉換為 ASCII碼的程序 。低 4位的轉換原理相同,只是不需要進行高低 4位交換。先轉換高 4位,利用與指令屏蔽該數(shù)的低 4位(即使低 4位為 0),在利用交換指令實現(xiàn)高低 4位交換得到一個 16進制數(shù)。這個碼表的單元號與 16進制數(shù)的大小一致,因此我們根據(jù) 16進制數(shù)的大小就能在碼表相應單元中找到其對應的 ASCII碼。請將其轉換為 ASCII碼存放到以 ADDR2為首地址的片內(nèi) RAM中。存 BCD碼的十位與個位 SJMP $ 。十位的 BCD碼高地位交換 ADD A,B 。BCD碼十位的權值 → B DIV AB 。百位 BCD碼 → R2 MOV A,B 。BCD碼百位的權值 → B DIV AB 。設置堆棧 MOV A,R6 。待轉換的 16進制數(shù)在 R6中,轉換完的結果在 R2R3中 。 ( B )累 加 器 A 高 低 4 位 交 換( A ) + ( B ) → A( A ) → R 3結 束。 流程圖: 開 始設 置 堆 棧( R 6 ) → A# 1 0 0 → B( A ) 247。結束 END 例:設一個 8位無符號二進制數(shù)存放在 R6中,請將其轉換為 BCD碼,存入工作寄存器 R R3中。字節(jié)數(shù)加 1 MOV R0,1 。字節(jié)數(shù) → R2 JNC FINISH 。指向下一字節(jié) INC R1 DJNZ R2,LOOP 。十進制調(diào)整 MOV R0,A 。取被加數(shù) ADDC A,R1 。字節(jié)數(shù) → R2 CLR C 。被加數(shù)首地址 → R0 MOV R1,ADDR2 。字節(jié)數(shù) ORG 0 LJMP START ORG 30H START: MOV SP,60H 。被加數(shù)存放單元的首地址 ADDR2 EQU 40H 。使用的寄存器 A, R0, R1, R2和進位標志 C 。加數(shù)在 ADDR2開始的內(nèi)部 RAM中 。這是一個 8字節(jié) BCD碼加法程序,運算的數(shù)據(jù)低位字節(jié)在前 。兩個 8字節(jié)壓縮 BCD碼其和有可能是 9個字節(jié),因此需要考慮溢出問題,進位如何處理的問題。 解: 編程思路 :兩個多字節(jié)壓縮 BCD碼從低位開始,逐字節(jié) 帶進位加,隨后進行十進制調(diào)整。 算術運算類程序舉例 例:設有 2個 8字節(jié)的壓縮 BCD碼分別存放在 ADDR1和 ADDR2開始的內(nèi)存單元中,高位存放在高地址單元。 *.HEX 浮動目標代碼經(jīng)過鏈接后形成的絕對地址目標文件,可以被大多數(shù)編程器所讀取,直接寫入到 EPROM、 EEPROM和單片機中。 匯編語言程序必須經(jīng)過編譯、鏈接,生成機器語言程序方可被單片機執(zhí)行。 匯編語言 :用助記符來表示機器指令的語言。 它主要用來定義位地址 。 使用方法見下例所示: 例 8: FGO bit F0 用 FGO來表示 F0狀態(tài)標志位 , 即 PSW寄存器的 D5位 。 使用方法見下例所示: 例 7: ORG 40H DS 10H ;從 40H地址開始空 10H個連續(xù)存儲單元 。 每一個項需要占用兩個存儲單元 , 但特別要注意 , 字中高位字節(jié)占低地址單元 ( 即 00H存儲在 2100H單元 ) , 低位字節(jié)占高地址單元 ( 即 01H存儲在 2101H單元 ) , 教材此處的敘述有誤 。 使用方法與DB類同 。 5. DW偽指令 格式: 標號: DW 項或項表 該指令是用于定義字 , 將項或項表中的一個字 ( 即兩個字節(jié) ) 的字符串數(shù)據(jù)存入標號開始的連續(xù)單元中 。 這些指令執(zhí)行時一般不影響程序狀態(tài)寄存器PSW, 僅當目的操作數(shù)為 A時對奇偶標志 P位有影響 , 帶進位的移位指令影響 Cy位 。 常用的復位電路及其元器件數(shù)值。 單片機使用內(nèi)部時鐘電路時晶振、電容的接法和數(shù)值選擇。 機器周期的構成。 P0~ P3口的驅動能力。 P0口做為 I/O口使用時,必須接上拉電阻。 復位按鈕松開后 , 隨著電容充電電流的減小 , 逐漸使 RST/ VPD端恢復低電平 。 按鈕電平復位 電路如下圖所示 。由外部提供一個復位脈沖寬度大于 2個機器周期。 手動復位分為按鈕脈沖復位和按鈕電平復位。 上電復位 是利用電容充電來實現(xiàn)的。 復位時, ALE=1和 PSEN=1 ,復位后 PC指向 0000H。 CHMOS型的復位結構見右圖,此處的復位引腳只是單純地稱為 RST,而不是 RST/ VPD。 單片機的復位電路 1. 復位結構 HMOS型單片機的復位結構見左圖。 4. 對外部時鐘信號的要求 最小的高電平和低電平持續(xù)時間應符合產(chǎn)品技術的要求 (皆為20ns),一般為頻率低于 12MHz的方波。 3. CHMOS型單片機的外部時鐘源的接法 對 CHMOS型的單片機,接線方法與 HMOS型的單片機有所不同 :外部振蕩器的信號接至 XTAL1,而 XTAL2不用。 2. HMOS型單片機外部時鐘源的接法 對 HMOS型單片機,外部振蕩器的信號接至 XTAL2端,而內(nèi)部反相放大器的輸入端 XTAL1端應接地,如圖所示。為了提高溫度穩(wěn)定性,應采用 NPO電容。 振蕩器和時鐘電路 1. 單片機內(nèi)部時鐘電路 圖為 HMOS型單片機的振蕩電路,當外接晶振時, C1和 C2值通常選擇 30pF;外接陶瓷諧振器時, C1和 C2的典型值約為 47pF。 節(jié)拍 =振蕩周期= 1/ fosc 單片機的一個機器周期包含 6個 狀態(tài)周期,即 12個 振蕩周期。機器周期由若干個時鐘周期組成。一般由幾個機器周期組成。 P0口輸入時呈高阻態(tài) , 而P1~ P3口內(nèi)部有上拉負載電阻 , 當系統(tǒng)復位時 , P0~ P3端口鎖存器全為 “ 1”。 ( 2) P1~ P3口的輸出級均接有內(nèi)部上拉電阻 , 他們的每一位輸出可以驅動 4個 LSTTL負載 。 ( 1) P0口的每一位輸出可驅動 8個 LSTTL負載 。 P3口的引腳信號輸入通道中有 2個緩沖器,當做第二輸入功能時,引腳輸入信號取自緩沖器 3的輸出;做通用輸入口時輸入信號取自三態(tài)緩沖器 2。當做第二功能輸入時,端口引腳的第二功能信號通過緩沖器 3送到第二輸入功能端。 P3口除了做通用 I/ O使用外,它的各位還具有第二功能。當?shù)诙敵龉δ鼙3指唠娖綍r,打開與非門,鎖存器輸出可以通過與非門送 FET管輸出到引腳端,這是做通用 I/ O口的輸出使用情況。 4. P3口的結構及功能 ( 1) P3口的結構 同樣 P3口與 P1口的輸出驅動部分及內(nèi)部上拉電阻相同,比 P1口多了一個第二功控制部分的邏輯電路 (由一個與非門和一個輸入緩沖器組成 )。當系統(tǒng)擴展有大于 256字節(jié)~ 64K字節(jié)的外部存儲器時,在 CPU的控制下,轉換開關 MUX倒向內(nèi)部地址線一端,此時 P2口可用于輸出高 8位的地址。 ( 2) P2口的功能 當多路開關 MUX倒向鎖存器輸出 Q端時,構成了一個準雙向 I/ O口此時 P2做通用的 I/ O口用。除做一般雙向 I/ O口外, /計數(shù)器 2的外部輸入端,這時此引腳以 T2來表示; /計數(shù)器 2的外部控制輸入,以 T2EX來表示。然后再讀端口引腳。 ( 2) P1口的功能 P1口可做通用雙向 I/ O口使用,當 P1口輸出高電平時,能向外部提供拉電流負載,因此不必再外接上拉電阻。 2. P1口的結構及功能 ( 1) P1口結構 P1口也是一個準雙向 I/ O口,其結構見圖所示。 另一種情況由 P0口輸入數(shù)據(jù),此時輸入的數(shù)據(jù)是從引腳通過輸入緩沖器 2進入內(nèi)部總線。單片機的 P0~ P3都是準雙向 I/ O口。 端口進行輸入操作前,應先向端口輸出鎖存器寫入“ 1”,使 Q=0則輸出級的兩個 FET管均截止,引腳處于懸空狀態(tài),變?yōu)楦咦杩馆斎搿?Q端與引腳處的數(shù)據(jù)是一致的。其中輸入緩沖器 2的輸入與端口引腳相連,故當執(zhí)行一條讀端口輸入指令時,產(chǎn)生讀引腳的選通將該三態(tài)門打開,端口引腳上的數(shù)據(jù)經(jīng)緩沖器 2讀入內(nèi)部數(shù)據(jù)總線。 P0口中的輸出可以驅動 8個 LSTTL負載。 當 P0口做輸出口時:內(nèi)部數(shù)據(jù)總線上的信息由寫脈沖鎖存至輸出鎖存器,輸入 D=0時, Q= 0而 Q= 1, T2導通, P0口引腳輸出“ 0”;當 D=1時, Q= 1而 Q= 0, T2截止, P0口引腳輸出 1。當 P0口做 I/O端口使用時, CPU內(nèi)部發(fā)出控制電平 0信號封鎖與門,使輸出上拉場效管 T1截止,同時多路開關把輸出鎖存器 Q端與輸出場效應管 T2的柵極接通。 2 MCS- 51/ 52系列單片機內(nèi)部包含哪些主要邏輯功能部件? 2 MCS- 51/ 52單片機的存儲器從物理上和邏輯上分別可劃分幾個空間? 2 MCS- 51單片機片內(nèi) 256B的數(shù)據(jù)存儲器可分為幾個區(qū)?分別做什么用? 2程序狀態(tài)寄存器 PSW的作用是什么?常用狀態(tài)有哪些位?作用是什么? 作 業(yè) 教材 P41 22, 24, 26, 210 單片機 I/ O端口結構 1. P0口的結構及功能 (1) P0口結構 它由 1個輸出鎖存器、 2個三態(tài)輸入緩沖器、 1個輸出驅動電路和 1個輸出控制電路組成。 系統(tǒng)復位后各個寄存器的值。 內(nèi)部 RAM 0- 7FH根據(jù)用途不同分為 3個空間。 51系列單片機得存儲器在物理上分為 4個存儲空間,在邏輯上分為 3個存儲空間。 P3口的第二功能表 小 結 51系列單片機是 8位機。在 MCS51/52中,這 8個引腳還用于專門的第二功能,見下表。 P2可以驅動 4個 LSTTL負載 。在訪問外部存儲器時,由它輸出高 8位地址( A8 ~ A15)。 在 52子系列單片機中, T2,即定時器的計數(shù)輸入 /時鐘輸出端; T2EX,即定時器 T2的重裝載 /捕捉 /方向等外部控制端。在 EPROM編程和驗證程序時,由它輸入低 8位地址。 P0口能以吸收電流的方式驅動 8個 LSTTL負載 。在 EPROM編程時,由 P0口輸入指令字節(jié);而在驗證程序時,則輸出指令字節(jié)。 4. 輸入/輸出引腳 P0、 P P P3 ~ (39~ 32腳 ):P0口是一個 8位漏極開路型 準雙向 I/ O端口。對于 EPROM型單片機(8751),在對 EPROM 編程期間,此引腳用于施加 +21V的編程電壓Vpp。若 PC值超出 4KB/8KB地址時,將自動轉向訪問片外程序存儲器。 PSEN( 29腳) :輸出訪問片外程序存儲器的讀選通信號。當 CPU不訪問外部 RAM時,該引腳輸出晶振頻率 1/6頻率的正脈沖信號。 3. 控制信號引腳 RST/ VPD (9腳 ):單片機復位/備用電源引腳。 單片機特殊功能寄存器 SFR 注意:系統(tǒng)復位后, (SP)= 07H, P0
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