【摘要】第二節(jié)半導(dǎo)體學(xué)案學(xué)習(xí)目標1)知道身邊形形色色的材料中按導(dǎo)電性不同可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體三大類。2)初步了解半導(dǎo)體的一些特點。3)了解半導(dǎo)體材料的發(fā)展對社會的影響。學(xué)法指導(dǎo)學(xué)習(xí)本節(jié),要注意通過實驗來探究、觀察,對教材所涉及的內(nèi)容有初步的感性認識。釋疑解難1、導(dǎo)體永遠是導(dǎo)體,絕緣體永遠是絕緣體嗎
2024-11-28 02:30
【摘要】SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體表面和表面能級Si-SiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理表面能帶彎曲與反型表面復(fù)合第五章半導(dǎo)體表面Schoo
2025-07-24 13:44
【摘要】SemiconductorPhysicsChapter1上海交通大學(xué)成教院電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)半導(dǎo)體物理學(xué)SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsChapter1電話:36033332(H)13482657996(M)上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)
2025-08-07 14:52
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)陳延湖§9異質(zhì)結(jié)?異質(zhì)結(jié)定義:由兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料形成的結(jié)稱為異質(zhì)結(jié)(heterojunction)。?由于形成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體單晶材料的禁帶寬度、介電常數(shù)、折射率、吸收系數(shù)等物理參數(shù)不同,異質(zhì)結(jié)(heterojuction)表現(xiàn)出不同于同質(zhì)結(jié)(homojunction)的性質(zhì)。?異質(zhì)
2025-05-12 12:47
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件1雙極型晶體管及相關(guān)器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理PhysicsofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件2本章內(nèi)容?雙極型晶體管的工作原理?雙極型晶體管的靜態(tài)特性
2025-01-19 12:25
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-01-20 10:23
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)主講人:代國章物理樓110室,13786187882Email:?課程代碼:14010022?課程性質(zhì):專業(yè)課程/選修課學(xué)分:?時間:周二(7,8)、(單周)周三(1,2)?教室:D座103?課程特點:內(nèi)容廣、概念多,理論和系統(tǒng)性較強。?課程要求:著重物理概念及物理
2025-01-19 12:27
【摘要】noneguilibriumcarriersG-R(非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合)Chapter5NoneguilibriumCarriers(非平衡載流子)產(chǎn)生率G復(fù)合率R如果在外界作用下,平衡條件破壞,偏離了熱平衡的狀態(tài)非平衡狀態(tài)。外界作用光
【摘要】第八章發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器●輻射復(fù)合與非輻射●LED的基本結(jié)構(gòu)和工作過程●LED的特性參數(shù)發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器-五族化合物中觀察到輻射復(fù)合PN結(jié)發(fā)光1962年砷化鎵發(fā)光二極管和激光器研制成功1970年砷化鎵-鋁鎵砷激光器實現(xiàn)室溫連續(xù)引言發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
2025-05-12 12:46
【摘要】我的信息最高能帶填滿,再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā),滿帶電子躍遷到上面的空帶,兩個能帶都成了不滿帶,具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體?Ge的4個價電子Si的4個價電子金剛石的4個價電子134,
2025-08-11 06:42
【摘要】上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體器件物理第一章半導(dǎo)體特性上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第1章半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷載流子的運動非平衡載流子習(xí)題上海電子信息職業(yè)
2025-01-19 12:12
【摘要】第二節(jié)半導(dǎo)體三點提示重點:1.導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的差異;2.知道半導(dǎo)體二極管的單向?qū)щ娦裕y點:半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能考點:1.導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體導(dǎo)電性能2.半導(dǎo)體的應(yīng)用基礎(chǔ)在線1.根據(jù)導(dǎo)電性的不同,材料可分為__________、___________、___________三大類。材
2024-12-08 06:36
【摘要】半導(dǎo)體物理與器件第四章第二講邱偉彬§非本征半導(dǎo)體?非本征半導(dǎo)體:摻入定量的特定的雜質(zhì)原子(施主或受主),從而熱平衡電子和空穴濃度不同于本征載流子濃度的半導(dǎo)體材料。–摻入的雜質(zhì)原子會改變電子和空穴的分布。費米能級偏離禁帶中心位置。–摻入施主雜質(zhì),雜質(zhì)電離形成導(dǎo)帶電子和正電中心(施主離子),而不產(chǎn)生空穴
2025-01-12 14:50
【摘要】導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體物體的導(dǎo)電能力,一般用材料電阻率的大小來衡量。電阻率越大,說明這種材料的導(dǎo)電能力越弱。表1-1給出以電阻率來區(qū)分導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體的大致范圍。物體電阻率導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體Ω·CM10e9
2025-01-19 12:26
【摘要】1第一章迄今大約有60種主要的器件以及100種與主要器件相關(guān)的變異器件。4種基本半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。金屬-半導(dǎo)體接觸(1874):整流接觸,歐姆接觸。金半場效應(yīng)晶體管(MESFET):整流接觸,柵極;歐姆接觸,漏極、源極。微波器件。p-n結(jié):半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)結(jié)構(gòu);p-n-p雙極型晶體管(1947),p-n-p-n結(jié)構(gòu)的可控硅器件。
2025-05-13 12:40