氮化硅陶瓷制品-文庫吧資料
2025-07-03 15:08本頁面
【正文】 。Matovic 等人曾以 Li2OY2O3為燒結助劑使用無壓燒結方式獲得了致密度為 %的氮化硅陶瓷材料，Vu kovi 等人使用無壓燒結制備出了具有較高斷裂韌性的氮化硅陶瓷材料，斷裂韌性為 m1/2。無壓燒結制備的燒結體性能低于有壓燒結，其最大優(yōu)勢是成本低廉、工藝簡單于推廣生產。c. 放電等離子燒結和無壓燒結放電等離子燒結具有升溫快、加熱均勻以及燒結溫度等特點，可完成致密燒結體的快速燒結，而這對于高熱導率氮化硅燒結制備過程的影響較小，在燒結后依舊需要長時間的高溫熱處理獲得晶粒生長較好的氮化硅陶瓷材料。用于制備高熱導率氮化硅純度最高的商業(yè)粉料氧雜質含量最低為 1wt%，SRBSN 制備氮硅陶瓷材料使用高純硅粉作為燒結原料，替換了其他燒結方式使用的雜質含量較高的氮化硅商業(yè)粉料，減少 了 雜 質 的 引 入 。從上文數(shù)據(jù)易知，氣壓燒結時提高氮化硅燒結體熱導率主要有三種方式：提高燒結溫度、增加氮氣壓以及延長保溫時間。Ye 等人采用氣壓燒結在燒結溫度 2200℃ Wm1K1的氮化硅陶瓷材料。自 1996 年 Hirosaki 等人使用氣壓燒結（燒結溫度：2000℃，氮氣壓：100MPa）制備出熱導率高達 120 Wm1K1的氮化硅陶瓷材料，氣壓燒結便以其節(jié)能、高效，對產品尺寸的無要求性逐漸成為制備高熱導率氮化硅的主要燒結方式。a. 氣壓燒結氣壓燒結時較高的氮氣壓可使氮化硅的分解溫度升高，因此氣壓燒結氮化硅時一般采用較高的燒結溫度，而燒結溫度的升高有利于氮化硅晶粒的生長和完善，有利于提高燒結體的熱導率。 制備方法致密氮化硅陶瓷材料常用的燒結方式有以下幾種：反應燒結、氣壓燒結、熱等靜壓燒結以及熱壓燒結，近年來放電等離子燒結、無壓燒結等燒結方式也因其具有的不同優(yōu)勢受到學者的關注。高熱導率氮化硅陶瓷材料具有其他陶瓷材料無法比擬的高強度、高斷裂韌性以及抗熱震性能，其作為一種理想的結構材料可以為電子器件的熱耗散設計提供一種新的材料選擇。而現(xiàn)今性能較為優(yōu)異的兩種封裝材料：氮化鋁與氧化鈹，前者造價昂貴后者具有毒性。而以高熱導率著稱的氧化鈹，熱導率在240 Wm1K1左右，但因為使用安全問題而被氮化鋁替代。高熱導率陶瓷材料主要應用于集成電路（IC）襯底，多芯片組裝（MCM）基板、封裝以及大功率器件散熱支撐件等部位，其中研究較多的有 Al2OBeO、AlN、BN、Si3NSiC 等陶瓷材料。較玻璃、樹脂等材料，電子陶瓷材料憑借其優(yōu)異的絕緣性能、化學穩(wěn)定性以及與芯片最為相似的熱膨脹系數(shù)使其在基板材料中占據(jù)重要地位。 研究意義作為信息、交通、航
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