氮化硅陶瓷制品(專業(yè)版)
【正文】 壓痕對角線長度由顯微鏡觀測獲得，運用如下公式可計算出氮化硅陶瓷材料的維氏硬度。表22材料編號 材料體系 制備工藝1C αSi3N4+1mol%CeO2 1800℃，30Mpa熱壓1h2C αSi3N4+2mol%CeO2 1800℃，30Mpa熱壓1h3C αSi3N4+3mol%CeO2 1800℃，30Mpa熱壓1h5C αSi3N4+5mol%CeO2 1800℃，30Mpa熱壓1h7C αSi3N4+7mol%CeO2 1800℃，30Mpa熱壓1h8C αSi3N4+8mol%CeO2 1800℃，30Mpa熱壓1h2．2 實驗方法通過微觀結(jié)構(gòu)分析、力學(xué)、熱性能測試，總結(jié)本文所制備氮化硅陶瓷材料的物理性能及影響因素，試驗方法如下。2. 氮化硅陶瓷材料的制備及表征 制備工藝（1）稱量將 αSi3N4與 CeO2分別按摩爾比 99:98:97:95:93:92:8 計算出不同摩爾比 CeO2所含的質(zhì)量分?jǐn)?shù)，分別為 %、%、%、%、%、%。上世紀(jì) 90 年代中期研究人員多采用熱等靜壓燒結(jié)制備具有較高熱導(dǎo)率的氮化硅陶瓷材料，目前制備高熱導(dǎo)率氮化硅使用最多的兩種燒結(jié)方式為氣壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)。燒結(jié)助劑 CeO2通過對晶界相及微觀結(jié)構(gòu)的影響作用于氮化硅陶瓷材料相對密度、強(qiáng)度、硬度及斷裂韌性，CeO2含量變化對氮化硅陶瓷材料力學(xué)性能影響顯著。而以高熱導(dǎo)率著稱的氧化鈹，熱導(dǎo)率在240 Wm1K1左右，但因為使用安全問題而被氮化鋁替代。用于制備高熱導(dǎo)率氮化硅純度最高的商業(yè)粉料氧雜質(zhì)含量最低為 1wt%，SRBSN 制備氮硅陶瓷材料使用高純硅粉作為燒結(jié)原料，替換了其他燒結(jié)方式使用的雜質(zhì)含量較高的氮化硅商業(yè)粉料，減少 了 雜 質(zhì) 的 引 入 。粉料兩端與石墨墊片之間分別置有涂覆了氮化硼的石墨紙。/min。掃描分析時對晶界相衍射峰處以較慢掃描速度重復(fù)掃描，快速掃描與慢速掃描的速度分別為 5176。真空蒸發(fā)可有效防止料漿在干燥過程中與氧接觸，減少氧雜質(zhì)的引入。從上文數(shù)據(jù)易知，氣壓燒結(jié)時提高氮化硅燒結(jié)體熱導(dǎo)率主要有
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