氮化硅陶瓷制品(存儲(chǔ)版)
【正文】 于燒結(jié)助劑促進(jìn)材料的致密化，較緩慢的升溫速率有利于晶粒的完善生長(zhǎng)，較高的機(jī)械壓力可有效促進(jìn)晶粒的定向生長(zhǎng)。烘干后于 1500℃下真空加熱 1h 進(jìn)行熱腐，無需打磨清洗可直接噴金觀測(cè)。σ=3PL/2h2w式中，σ ——試樣彎曲強(qiáng)度（MPa）；P ——加載的最大載荷（N）；L ——測(cè)試時(shí)的跨距（mm）；h ——試樣高（mm）；w ——試樣寬（mm）。(3). 比熱容、熱擴(kuò)散系數(shù)與熱導(dǎo)率這里使用激光法導(dǎo)熱分析儀（生產(chǎn)公司：德國(guó)耐馳儀器制造公司，型號(hào)：LFA427，測(cè)試條件：室溫）對(duì)所制備氮化硅試樣的熱擴(kuò)散系數(shù)、熱導(dǎo)率及比熱容進(jìn)行測(cè)試。硬度計(jì)壓頭壓力設(shè)置為 ，KIC由下面公式可獲得。試樣尺寸為 3420mm，試樣分別由240 目、600 目、1000 目砂紙打磨拋光至鏡面，倒角后進(jìn)行測(cè)試。（SEM） 這里使用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（生產(chǎn)公司：FE，型 號(hào) ： HeliosNanolab600i，主題: 燒結(jié)原料與試樣1C~試樣8C的XRD圖譜分辨率較高）對(duì)材料斷口截面與熱腐后的試樣表面形貌、晶體形態(tài)進(jìn)行觀測(cè)。（5）燒結(jié)將裝好粉料的石墨模具置于真空熱壓爐（型號(hào)為 ZRY80）內(nèi)，以 15℃/min的升溫速率升至 1600℃，而后升溫速率下降至 10℃/min直至 1800℃。（2）混料將稱量好的粉料按比例與適量的分散劑（無水乙醇）置于內(nèi)襯為四氟乙烯的球磨罐中濕混，球磨介質(zhì)為氧化鋯球磨珠。c. 放電等離子燒結(jié)和無壓燒結(jié)放電等離子燒結(jié)具有升溫快、加熱均勻以及燒結(jié)溫度等特點(diǎn)，可完成致密燒結(jié)體的快速燒結(jié)，而這對(duì)于高熱導(dǎo)率氮化硅燒結(jié)制備過程的影響較小，在燒結(jié)后依舊需要長(zhǎng)時(shí)間的高溫?zé)崽幚慝@得晶粒生長(zhǎng)較好的氮化硅陶瓷材料。自 1996 年 Hirosaki 等人使用氣壓燒結(jié)（燒結(jié)溫度：2000℃，氮?dú)鈮海?00MPa）制備出熱導(dǎo)率高達(dá) 120 Wm1K1的氮化硅陶瓷材料，氣壓燒結(jié)便以其節(jié)能、高效，對(duì)產(chǎn)品尺寸的無要求性逐漸成為制備高熱導(dǎo)率氮化硅的主要燒結(jié)方式。而現(xiàn)今性能較為優(yōu)異的兩種封裝材料：氮化鋁與氧化鈹，前者造價(jià)昂貴后者具有毒性。 研究意義作為信息、交通、航空航天等科技領(lǐng)域發(fā)展基礎(chǔ)之一的電力電子技術(shù)，應(yīng)其對(duì)電力的有效控制與轉(zhuǎn)換的要求，電子器件一直向小尺寸、高密度、大電流、大功率的趨勢(shì)發(fā)展。采用適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑可有效提高氮化硅陶瓷材料的熱導(dǎo)率，增加材料斷裂韌性，促進(jìn)材料性能完善。降低基板材料熱阻的主要途徑有兩種：減小基板厚度、提高材料熱導(dǎo)率，為此對(duì)基板材料強(qiáng)度要求升高。具有較高熱導(dǎo)率的高性能氮化硅陶瓷的制
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