大功率發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)-文庫吧資料
2025-07-02 18:12本頁面
【正文】 。此封裝結(jié)構(gòu)中采用的倒裝型LED 芯片是在外延半導(dǎo)體上形成高反射率的金屬層，比如Ag 和Al，它既充當(dāng)半導(dǎo)體的電接觸層，又充當(dāng)光反射層。基于這兩個(gè)影響因素和芯片面積的不斷增大以及輸入功率的不斷提高，功率型LED 倒裝式封裝逐漸發(fā)展起來。圖 2 為目前市場上可大批量提供的GaN 基正裝LED 芯片結(jié)構(gòu)示意圖，襯底為藍(lán)寶石。3 芯片正裝式封裝LED 芯片正裝式封裝是將芯片的電極觸點(diǎn)朝上，通過引線鍵合方式實(shí)現(xiàn)器件的電氣互連，光線由芯片的正面出射，芯片底部通過導(dǎo)熱樹脂粘結(jié)在小尺寸的反光碗中或載片臺上，最后用環(huán)氧樹脂塑封而成。目前市場上已有不同引腳數(shù)目、不同封裝外形以及單芯片和多芯片組合等多種封裝形式，并且很多已經(jīng)形成了系列。LED 作為半導(dǎo)體器件，其封裝技術(shù)基本上是在分立半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展演化而來的，但是作為半導(dǎo)體發(fā)光器件，LED 的封裝又有自己的特點(diǎn)：LED 封裝不但要完成電信號的輸入輸出，保護(hù)芯片在正常的電流下工作，還得維持工作狀態(tài)下芯片的溫度不超過允許的范圍，這對于功率型LED 的封裝來說顯得尤為重要，因?yàn)楫?dāng)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度升高到一定的水平后，會(huì)發(fā)生明顯的顏色漂移和發(fā)光效率下降等現(xiàn)象；LED 封裝結(jié)構(gòu)和材料要有利于提高出光效率，減少對芯片出射光的阻擋和吸收；另外還得盡量采用現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)封裝材料，從而降低生產(chǎn)成本，畢竟價(jià)格是LED 光源進(jìn)入通用照明市場的關(guān)鍵之一。因此研發(fā)低熱阻、優(yōu)異光學(xué)特性、可靠
黨政相關(guān)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1