大功率led封裝技術(shù)與發(fā)展趨勢-文庫吧資料
2025-07-02 20:05本頁面
【正文】 LED燈具不需要使用濾光鏡或濾光片來產(chǎn)生有色光，不僅效率高、光色純，而且可以實現(xiàn)動態(tài)或漸變的色彩變化。測試內(nèi)容主要包括高溫儲存（100℃，1000h）、低溫儲存（－55℃，1000h）、高溫高濕（85℃/85％，1000h）、高低溫循環(huán)（85℃～－55℃）、熱沖擊、耐腐蝕性、抗溶性、機械沖擊等。LED的使用壽命以平均失效時間（MTTF）來定義，對于照明用途，一般指LED的輸出光通量衰減為初始的70％（對顯示用途一般定義為初始值的50％）的使用時間。此外，對于大功率LED封裝，必須在芯片設(shè)計和封裝設(shè)計過程中，盡可能采用工藝較少的封裝形式（Packageless Packaging），同時簡化封裝結(jié)構(gòu)，盡可能減少熱學(xué)和光學(xué)界面數(shù)，以降低封裝熱阻，提高出光效率。由于封裝費用在LED器件制造成本中占了很大比例，因此，改變現(xiàn)有的LED封裝形式（從芯片鍵合到晶片鍵合），將大大降低封裝制造成本。（四）封裝大生產(chǎn)技術(shù)晶片鍵合（Wafer bonding）技術(shù)是指芯片結(jié)構(gòu)和電路的制作、封裝都在晶片（Wafer）上進行，封裝完成后再進行切割，形成單個的芯片（Chip）；與之相對應(yīng)的芯片鍵合（Die bonding）是指芯片結(jié)構(gòu)和電路在晶片上完成后，即進行切割形成芯片（Die），然后對單個芯片進行封裝（類似現(xiàn)在的LED封裝工藝），如圖6所示。由于封裝熱阻較低（℃/W）,當(dāng)環(huán)境溫度為25℃時，LED結(jié)溫控制在60℃以下，從而確保了LED的使用壽命和良好的發(fā)光性能。對于大功率LED封裝，則必須采用主動散熱，如翅片＋風(fēng)扇、熱管、液體強迫對流、微通道致冷、相變致冷等。被動散熱一般選用具有高肋化系數(shù)的翅片，通過翅片和空氣間的自然對流將熱量耗散到環(huán)境中。由于發(fā)光芯片的高密度集成，散熱基板上的溫度很高，必須采用有效的熱沉結(jié)構(gòu)和合適的封裝工藝。而這些都會增加LED的功率密度，如散熱不良，將導(dǎo)致LED芯片的結(jié)溫升高，從而直接影響LED器件的性能（如發(fā)光效率降低、出射光發(fā)生紅移，壽命降低等）。目前，高亮度LED器件要代替白熾燈以及高壓汞燈，必須提高總的光通量，或者說可以利用的光通量。同其他封裝結(jié)構(gòu)相比，SiP具有工藝兼容性好（可利用已有的電子封裝材料和工藝），集成度高，成本低，可提供更多新功能，易于分塊測試，開發(fā)周期短等優(yōu)點。系統(tǒng)封裝式（SiP）LED封裝 SiP（System in Package）是近幾年來為適應(yīng)整機的便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的要求，在系統(tǒng)芯片System on Chip（SOC）基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型封裝集成方式。而引線鍵合可采用高溫下的熱超聲鍵合（金絲球焊）和常溫下的超聲波鍵合（鋁劈刀焊接）。板上芯片直裝式（COB）LED封裝 COB是Chip On Board（板上芯片直裝）的英文縮寫，是一種通過粘膠劑或焊料將LED芯片直接粘貼到PCB板上，再通過引線鍵合實現(xiàn)芯片與PCB板間電互連的封裝技術(shù)。具體而言，就是用特定的工具或設(shè)備將芯片引腳對準(zhǔn)預(yù)先涂覆了粘接劑和焊膏的焊盤圖形上，然后直接貼裝到未鉆安裝孔的PCB 表面上，經(jīng)過波峰焊或再流焊后，使器件和電路之間建立可靠的機械和電氣連接。其缺點在于封裝熱阻較大（一般高于100K/W），壽命較短。一般用于電流較?。?0－30mA），功率較低（）的LED封裝。（三）陣列封裝與系統(tǒng)集成技術(shù)經(jīng)過40多年的發(fā)展，LED封裝技術(shù)和結(jié)構(gòu)先后經(jīng)歷了四個階段，如圖4所示?？傮w而言
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