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幾種mos管驅(qū)動(dòng)方式分析-文庫(kù)吧資料

2025-06-29 08:46本頁(yè)面
  

【正文】 toff(微秒)(2)有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路如圖6(a)所示,VV2為互補(bǔ)工作,電容C起隔離直流的作用,T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。脈寬較窄時(shí),由于是貯存的能量減少導(dǎo)致MOSFET柵極的關(guān)斷速度變慢。該電路存在的缺點(diǎn):一是由于隔離變壓器副邊需要一個(gè)假負(fù)載防震蕩,故該電路損耗較大。②只需單電源即可提供導(dǎo)通時(shí)正、關(guān)斷時(shí)負(fù)壓。由仿真及分析可知,占空比D越小、R1越大、L越大,磁化電流越小,U1值越小,關(guān)斷速度越慢。同時(shí)它還可作為功率MOSFET關(guān)斷時(shí)的能量泄放回路。一種為去磁繞組不導(dǎo)通的情況,見圖4(b)。因變壓器漏感較小,且從速度方面考慮,一般R2較小,故在分析中忽略不計(jì)。 隔離的驅(qū)動(dòng)電路(1)正激式驅(qū)動(dòng)電路電路原理圖如圖3(a)所示,N3為去磁繞組,S2為所驅(qū)動(dòng)的功率管。同時(shí)PNP管換成NPN管。該驅(qū)動(dòng)電路的缺點(diǎn)是需要雙電源,且由于R的取值不能過大,否則會(huì)使V1深度飽和,影響關(guān)斷速度,所以R上會(huì)有一定的損耗。反之V1關(guān)斷時(shí),V2導(dǎo)通,上管導(dǎo)通,下管關(guān)斷,使驅(qū)動(dòng)的管子導(dǎo)通。為了提高電路的抗干擾性,可在此種驅(qū)動(dòng)電路的基礎(chǔ)上增加一級(jí)由VVR組成的電路,產(chǎn)生一個(gè)負(fù)壓,電路原理圖如圖2(a)所示。由于MOSFET存在結(jié)電容,關(guān)斷時(shí)其漏源兩端電壓的突然上升將會(huì)通過結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓。這兩種電路結(jié)構(gòu)特簡(jiǎn)單。適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。本文介紹并討
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