幾種mos管驅(qū)動方式分析-文庫吧資料
2025-06-29 08:46本頁面
【正文】 toff(微秒）（2）有隔離變壓器的互補驅(qū)動電路如圖6(a)所示,VV2為互補工作,電容C起隔離直流的作用,T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。脈寬較窄時,由于是貯存的能量減少導致MOSFET柵極的關斷速度變慢。該電路存在的缺點：一是由于隔離變壓器副邊需要一個假負載防震蕩,故該電路損耗較大。②只需單電源即可提供導通時正、關斷時負壓。由仿真及分析可知,占空比D越小、R1越大、L越大,磁化電流越小,U1值越小,關斷速度越慢。同時它還可作為功率MOSFET關斷時的能量泄放回路。一種為去磁繞組不導通的情況,見圖4(b)。因變壓器漏感較小,且從速度方面考慮,一般R2較小,故在分析中忽略不計。 隔離的驅(qū)動電路（1）正激式驅(qū)動電路電路原理圖如圖3(a)所示,N3為去磁繞組,S2為所驅(qū)動的功率管。同時PNP管換成NPN管。該驅(qū)動電路的缺點是需要雙電源,且由于R的取值不能過大,否則會使V1深度飽和,影響關斷速度,所以R上會有一定的損耗。反之V1關斷時,V2導通,上管導通,下管關斷,使驅(qū)動的管子導通。為了提高電路的抗干擾性,可在此種驅(qū)動電路的基礎上增加一級由VVR組成的電路,產(chǎn)生一個負壓,電路原理圖如圖2(a)所示。由于MOSFET存在結(jié)電容,關斷時其漏源兩端電壓的突然上升將會通過結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓。這兩種電路結(jié)構(gòu)特簡單。適用于不要求隔離的小功率開關設備。本文介紹并討
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