【摘要】2022/2/111半導(dǎo)體器件物理劉艷紅155247556802022/2/112教材?MOS器件原理?納米CMOS器件?甘學(xué)溫黃如劉曉彥張興編著?科學(xué)出版社20222022/2/113成績(jī)?平時(shí)小考試:30?平時(shí)作業(yè):20
2025-01-20 07:18
【摘要】2022/6/21實(shí)際MOS的平帶電壓及C-V特性2022/6/22功函數(shù)差的影響2022/6/23qVoxq?s????smsmFBfpgmsoxsfpgoxmVEVqEV??????????????????????????????
2025-05-11 18:16
【摘要】脈沖功率系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)在高功率脈沖發(fā)生器中,開(kāi)關(guān)是最重要的器件之一,它起著連接儲(chǔ)能器件與負(fù)載的作用。脈沖功率系統(tǒng)中開(kāi)關(guān)的作用:能量的轉(zhuǎn)換,(switch),通過(guò)開(kāi)關(guān)的動(dòng)作(斷開(kāi)或閉合),來(lái)實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)移。開(kāi)關(guān)具有下列特性:電導(dǎo)率的變化范圍應(yīng)盡可能大,即要在完全絕緣體至導(dǎo)體之間變化;電導(dǎo)率的變化速度盡可能快。脈沖功率系統(tǒng)開(kāi)關(guān)的工
2025-05-11 04:59
【摘要】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學(xué)院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
2025-01-20 10:46
【摘要】MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-01-20 04:31
【摘要】結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效管應(yīng)用原理MOS場(chǎng)效應(yīng)管第三章場(chǎng)效應(yīng)管概述場(chǎng)效應(yīng)管是另一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件。它體積小、工藝簡(jiǎn)單,器件特性便于控制,是目前制造大規(guī)模集成電路的主要有源器件。場(chǎng)效應(yīng)管與三極管主要區(qū)別:?場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻遠(yuǎn)大于三極管輸入電阻。?場(chǎng)效應(yīng)管是單極型器件(三極管是雙極型器件)。
2025-07-31 18:53
【摘要】2.1半導(dǎo)體二極管、三極管和MOS管的開(kāi)關(guān)特性概述一、門(mén)電路的概念門(mén)電路是用以實(shí)現(xiàn)邏輯關(guān)系的電子電路,與我們所講過(guò)的基本邏輯關(guān)系相對(duì)應(yīng),門(mén)電路主要有:與門(mén)、或門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、異或門(mén)等。二、邏輯變量與兩狀態(tài)開(kāi)關(guān)在二值邏輯中,邏輯變量的取值不是0就是1,是一種二值量。注:
2024-08-18 10:50
【摘要】制作:浙江廣廈建設(shè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院信息與控制工程學(xué)院晶體管開(kāi)關(guān)電路1一、模擬電路和數(shù)字電路?模擬信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上連續(xù)的信號(hào)。?數(shù)字信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上不連續(xù)的(即離散的)信號(hào)。?對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱(chēng)為模擬電路。?對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱(chēng)為數(shù)字電路。2數(shù)字電路和模擬電路特
2025-05-06 18:47
【摘要】半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開(kāi)關(guān)特性晶體管的開(kāi)關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理第第5章章晶體管的開(kāi)關(guān)特性晶體管的開(kāi)關(guān)特性二極管的開(kāi)關(guān)作用和二極管的開(kāi)關(guān)作用和反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間開(kāi)關(guān)晶體管的靜態(tài)特性開(kāi)關(guān)晶體管的靜態(tài)特性晶體管開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性晶體管開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開(kāi)關(guān)特性晶體管的開(kāi)關(guān)特性半
【摘要】第十六章MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)本章作業(yè):,,,,,補(bǔ)充基本概念真空能級(jí):電子完全脫離材料本身的束縛所需的最小能量功函數(shù)?:從費(fèi)米能級(jí)到真空能級(jí)的能量差電子親和勢(shì)?:從半導(dǎo)體表面的導(dǎo)帶到真空能級(jí)的能量差金屬?M,對(duì)某一金屬是一定的,對(duì)不同金屬是不同的半導(dǎo)體?S=?+(EC
【摘要】第七章MOS反相器第一部分MOS晶體管的工作原理第二部分MOS反相器1、在雙極型工藝下ECL/CML:EmitterCoupledLogic/CurrentModeLogic射極耦合邏輯/電流型開(kāi)關(guān)邏輯TTL:TransistorTransistorLogic
2025-01-20 04:25
【摘要】目錄?如何注冊(cè)Registration?如何開(kāi)始考試Howtostartexams如何注冊(cè)RegistrationCertiport網(wǎng)址選注冊(cè)國(guó)家/地區(qū):China名字:XiaoMing中間名:不要填寫(xiě)姓:Li李小明使用者名稱(chēng):建議使用電子郵箱賬號(hào)或其
2025-05-11 18:15
【摘要】第二講MOS器件物理(續(xù))MOS管的電特性主要指:?閾值電壓?I/V特性?輸入輸出轉(zhuǎn)移特性?跨導(dǎo)等電特性MOS管的電特性-閾值電壓(NMOS)?在漏源電壓的作用下剛開(kāi)始有電流產(chǎn)生時(shí)的VG為閾值電壓Vth:ΦMS:指多晶硅柵與硅襯底間的接觸電勢(shì)差
【摘要】MOS器件物理MOS管交流小信號(hào)模型MOS管低頻小信號(hào)模型?小信號(hào)是指對(duì)偏置的影響非常小的信號(hào)。?由于在很多模擬電路中,MOS管被偏置在飽和區(qū),所以主要推導(dǎo)出在飽和區(qū)的小信號(hào)模型。?在飽和區(qū)時(shí)MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數(shù),即為一個(gè)壓控電流源,電流值為gmVGS,且由于柵源之間的低頻阻抗很高,因此可得到一個(gè)理想的MOS
2024-08-24 15:05
【摘要】§場(chǎng)效應(yīng)管放大電路?場(chǎng)效應(yīng)管的源極、柵極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的射極、基極和集電極。與晶體管的共射、共基和共集三種組態(tài)相對(duì)應(yīng),場(chǎng)效應(yīng)管也有共源、共柵和共漏三種組態(tài)?!靾?chǎng)效應(yīng)管放大電路?一、場(chǎng)效應(yīng)管的偏置電路?二、場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)工作點(diǎn)的確定?三、場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)分析?四、場(chǎng)效應(yīng)管三種組
2025-07-31 19:03