mos反向器ppt課件-文庫吧資料
2025-01-20 04:25本頁面
【正文】 ?C區(qū)： N管和 P管都處于 飽和區(qū) /2i DDVV?22( ) ( )D S N n G S TN N i TNI k V V k V V? ? ? ?22( ) ( )D S P p G S T P p i D D T PI k V V k V V V? ? ? ? ? ? ?D SP D SNII??當(dāng) NPkk? TN TPVV?? 可得： /2i DDVV?， D S G S T NO i T NV V VV V V????D S G S TPO D D i D D TPO i TPV V VV V V V VV V V??? ? ? ???N管飽和： P管飽和： i T N O i T PV V V V V? ? ? ?合并后有： D區(qū)： /2D D i D D T PV V V V? ? ?P管飽和， N管線性 E區(qū)： D D T P i D DV V V V? ? ?P管截止， N管線性 輸出 Vo=0 噪聲容限 低噪聲容限： NML 高噪聲容限： NMH （教材 P119） 開關(guān)特性 在 CMOS電路中，負(fù)載電容 CL的充放電時(shí)間限制了門的開關(guān)速度。 采取措施：增加輔助上拉元件 MA或 RA 如圖 （ P115） MA的 W/L比 ML小很多； （這能怎樣？） RA阻值也比較高。 由線性區(qū)電流方程： 可得當(dāng) Vout=VDD時(shí)才使 ID＝ 0，因此輸出高電平可 達(dá)到 VDD 由于要增加一個(gè)電壓源 VGG，給使用帶來不便 22[ ( ) ( ) ]D G T S G T DI K V V V V V V? ? ? ? ? ?或 NMOS反相器(VTD0) 222 [ ( ) ] 0D D TD ou t TD D DI K V V V V? ? ? ? ?輸出高電平時(shí)， M1截止， M2工作在線性區(qū)，得到 所以有 OH DDVV?輸出低電平時(shí)， M1工作在線性區(qū)， M2工作在飽和區(qū) 2 2 2[ ( ) ( ) ]E in TE in TE ou t D TDK V V V V V K V? ? ? ? ?當(dāng) in DDVV? 時(shí)，得到輸出低電平 22 ( )TDOL r D D T EVV K V V? ?/r E DK K K?（ VGVTVS） VGSVT NMOS反相器 in TVV?容易看出 輸出高電平 OH DDVV?in TVV?后 M1導(dǎo)通，輸出開始下降 當(dāng) in DDVV?時(shí)， 22 ( )DDOL r D D TVVK V V? ? 自舉反相器 自舉反相器只需一個(gè)電源 VDD就能使輸出高電平達(dá)到 VDD 高電平輸入時(shí)，輸出低電平 VOL，負(fù)載管 柵極電平為： VGL0=VDDVTE 自舉電容 CB兩端電壓： VGSL＝ VDDVTEVL 輸入電平由高變低時(shí)， CB兩端電壓不能突變 ，負(fù)載管刪壓 VGL隨輸出電壓一起升高，這就 是 自舉效應(yīng) 。 有比反相器： P113 無比反相器： P113 負(fù)載 驅(qū)動(dòng)管 MOS靜態(tài)反相器的 一般結(jié)構(gòu) NMOS反相器 NMOS反相器簡(jiǎn)介： NMOS反相器 V ddV0V ssViMlMe飽和增強(qiáng)型負(fù)載 NMOS反相器 ＝ 教材中的增強(qiáng)型 NMOS管 M1 M1 M2 M1工作狀態(tài) ? 222 ()D D D T ou tI K V V V? ? ?ou t DD TV V V??
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