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【摘要】第二講MOS器件物理(續(xù))MOS管的電特性主要指：?閾值電壓?I/V特性?輸入輸出轉(zhuǎn)移特性?跨導(dǎo)等電特性MOS管的電特性－閾值電壓（NMOS）?在漏源電壓的作用下剛開始有電流產(chǎn)生時(shí)的VG為閾值電壓Vth：ΦMS：指多晶硅柵與硅襯底間的接觸電勢差
2025-05-11 18:16
【摘要】MTA考試過程考生注冊考試用戶名教師以管理員身份建立考試鏈接學(xué)生登錄鏈接考試MTA考試前必讀：1考試是在線網(wǎng)頁考試，整個(gè)過程必須保證能連接互聯(lián)網(wǎng)，不能斷網(wǎng)。2考試的客戶機(jī)必須安裝BrowserLockdown2，才能正常考試（參見本ppt的20頁）。3為了便于考試成績的管理，參加考試必須選擇加入給定的考試組（參見
2025-01-20 04:26
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論云南大學(xué)信息學(xué)院電子工程系梁竹關(guān)第一部分理論課第一章緒言1．1集成電路的發(fā)展1．2集成電路分類1．3集成電路設(shè)計(jì)第二章MOS晶體管2．1MOS晶體管結(jié)構(gòu)2．2MOS晶體管工作原理2．3MOS晶體管的電流電壓關(guān)系
【摘要】開關(guān)功率MOS管lMOSFET分為P溝道增強(qiáng)型、P溝道耗盡型和N溝道增強(qiáng)型、N溝道耗盡型4種類型。增強(qiáng)型MOS具有應(yīng)用方便的“常閉”特性（即驅(qū)動(dòng)信號為零時(shí)，輸出電流等于零）。在開關(guān)電源中使用的MOS管幾乎全是N溝道增強(qiáng)型器件。lMOS管主要具備較大的安全工作區(qū)、良好的散熱穩(wěn)定性和非?？斓拈_關(guān)速度。DateMOS管主要工作特性
2025-05-05 02:03
【摘要】MOS存儲(chǔ)器一．存儲(chǔ)器的分類ROM（readonlymemory）(1).固定式只讀存儲(chǔ)器（掩膜編程ROM）（maskprogrammedROM）;(2).可編程只讀存儲(chǔ)PROM(programmedROM);如熔絲型，一旦編程完畢，就不能改．以上兩類都是不揮發(fā)性的，斷
2025-01-20 04:15
【摘要】CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)主講教師：吳建輝TEL：83793265-8411Email:教材及參考書?教材：?吳建輝編著：“CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)”，電子工業(yè)出版社。?參考書：?RazaviB:DesignofanalogCMOSintegratedcircuits?AllenPE
【摘要】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用，為學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)打下基礎(chǔ)。(1)外延生長?外延生長為在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應(yīng)爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-05-04 22:22
【摘要】半導(dǎo)體集成電路2022/5/25第7章MOS反相器?MOS反相器的基本概念及靜態(tài)特性?電阻型反相器?E/EMOS反相器?E/DMOS反相器?CMOS反相器工作原理CMOS反相器的靜態(tài)特性CMOS反相器的瞬態(tài)特性?MOS反相器的設(shè)計(jì)?
2025-05-07 23:38
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)（4-5）主講：吳玉新手機(jī):18678786355時(shí)間：2022-9-30、10-12T知識回顧?1、二極管的開關(guān)特性1）輸入高，截止，開關(guān)斷開，輸出高2）輸入低，導(dǎo)通，開關(guān)閉合，輸出低2、三極管的開關(guān)特性1）輸入低，vIVON，截止(都反偏)，開關(guān)斷開
2025-05-07 23:36
【摘要】CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)Teacher：何紅松Tel：15575323365E-mail：教材及參考書?教材：?吳建輝編著：“CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)”(第二版)，電子工業(yè)出版社。?參考書：?RazaviB:DesignofanalogCMOSintegrated
【摘要】第二章MOS器件物理基礎(chǔ)G(Gate)柵極D(Drain)漏極S(Source)源極MOSFET開關(guān)N型MOSFET導(dǎo)通時(shí)VG的值(閾值電壓)？源漏之間的電阻？源漏電阻與各端電壓的關(guān)系？…MOSFET的結(jié)構(gòu)襯底Ldrawn：溝道總長度L
2025-05-11 18:15
【摘要】MOS集成電路設(shè)計(jì)?、NMOS電路?電阻NMOS反相器MOS集成電路設(shè)計(jì)?NMOS反相器及版圖（E/ENMOS）?NMOS反相器及版圖（E/DNMOS）?NMOS與非門電路?NMOS或非門電路及版圖NMOS與或非門電路及版圖?CMOS反向器CMOS電
【摘要】§1、MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、工作原理和類型§2、MOSFET的閾值電壓§3、MOSFET的直流特性§4、MOSFET的動(dòng)態(tài)特性§5、小尺寸效應(yīng)MOSFET閾值電壓的定義在正常情況下，柵電壓產(chǎn)生的電場控制著源漏間溝道區(qū)內(nèi)載流子的產(chǎn)生。使溝道區(qū)源端強(qiáng)反型時(shí)的柵源電壓稱
【摘要】中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)2022/2/12TheoryofSemiconductorDevices1第五章：MOS器件§MOS結(jié)構(gòu)的基本性質(zhì)及MOS二極管§MOS場效應(yīng)晶體管的基本理論§MOSFET的頻率特性§MOSFET的擊穿特性§MOSFET的
2025-01-21 21:25
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