功率mosfet雪崩擊穿問題分析-文庫吧資料
2025-06-13 17:00本頁面
【正文】 入值。 雙極性器件在發(fā)生二次擊穿時，集電極電壓會在故障瞬間很短時間內(nèi)（可能小于1ns）衰減幾百伏。3 大量的研究和試驗表明，Ic,SB很小。式(10b)則給出了雪崩擊穿的邊界電壓。 式(11)說明，ID,SB為MOSFET漏極寄生三極管集電極在二次擊穿時的電流的總和。(8b) 1＋γRb＋(8a)n為常數(shù)。M=1/[1－(Vd/BV)n]（7）式中：BV為漏極同p基極間電壓； 1－（6）M的經(jīng)驗表達式為IbRb≈(5)Id=(4c)當發(fā)生擊穿時，有Is=(4b)Ib=(4a)Ib=Id－Is=MIs－Is=(M－1)(Ido＋γRbIb)(3)可得 如果增益為M，則基極電流為 當Vb很高時，漏極的強電場引起電子溝道電流的雪崩式倍增，產(chǎn)生的空穴向基極流動。 雪崩擊穿時I－V曲線 外部分析電路圖1(a) 圖1(a)為MOSFET的體內(nèi)等效電路，其中含有一個寄生的雙極性晶體管V2，它的集電極、發(fā)射極同時也是MOSFET的漏極和源極。2因此，本文將從理論上推導MOSFET故障時漏極電流的構(gòu)成，并從微觀電子角度對MOSFET雪崩擊穿現(xiàn)象作詳細分析。但事實上，當功率MOSFET反向偏置時，受電氣量變化（如漏源極電壓、電流變化）的作用，功率MOSFET內(nèi)部載流子容易發(fā)生雪崩式倍增，因而發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象。 功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。關(guān)鍵詞：雙極性晶體管；功率MOSFET；雪崩擊穿；寄生晶體管；能量耗散 1寄生器件在MOSFET的雪崩擊穿中起著決定性的作用，寄生晶體管的激活導通是其雪崩擊穿的主要原因。功率MOSFET雪崩擊穿問題分析摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相
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