氣體間隙的擊穿強(qiáng)度-文庫吧資料
2025-05-05 12:37本頁面
【正文】 高電壓技術(shù) 3. 指數(shù) m和 W 500 BUgLK?＝高電壓技術(shù) 提高氣隙擊穿電壓的措施 ? 改善電場分布的措施 （ 1）改變電極形狀 例如采用屏蔽罩、擴(kuò)徑導(dǎo)線等增大電極曲率半徑，或改善電極邊緣形狀以消除邊緣效應(yīng)。 （ 3）間隙距離越大，“ 2”與“ 3”的擊穿電壓的差別越大。 20％ ) / 2500(177。出現(xiàn)極小值的波前時(shí)間隨間隙距離的增加而增大。 擊穿發(fā)生在波前或峰值，取此刻值 擊穿發(fā)生在波尾，取峰值 未擊穿 100%伏秒特性 0%伏秒特性 50%伏秒特性 50%沖擊擊穿電壓 高電壓技術(shù) 電氣設(shè)備絕緣的伏－秒特性和避雷器的伏－秒特性 （ a）正確配合 （ b）不正確配合 絕緣的 伏－秒特性 避雷器的 伏－秒特性 高電壓技術(shù) 操作沖擊電壓下的擊穿 ? 操作沖擊電壓下?lián)舸┑?U形曲線 （ 1）長空氣間隙的操作沖擊擊穿通常發(fā)生在波前部分，因而其擊穿電壓僅與波前時(shí)間有關(guān)。 高電壓技術(shù) ? 伏－秒特性 伏－秒特性： 在同一沖擊電壓波形下，擊穿電壓值與放電時(shí)延（或電壓作用時(shí)間）有關(guān)的特性。 60％ 對于不同極性： +250/2500μs或 250/2500μs 波前時(shí)間 半峰值時(shí)間 高電壓技術(shù) ? 放電時(shí)延 臨界 擊穿電壓 統(tǒng)計(jì)時(shí)延： 從外施電壓達(dá) Uo時(shí)起，到出現(xiàn)一個(gè)能引起擊穿的初始電子崩所需的第一個(gè)有效電子所需時(shí)間 放電形成時(shí)延： 從出現(xiàn)第一個(gè)有效自由電子時(shí)起，到放電過程完成所需時(shí)間，即電子崩的形成和發(fā)展到流注等所需的時(shí)間 高電壓技術(shù) ? 50％擊穿電壓及沖擊系數(shù) 1. 50％擊穿電壓 多次施加電壓時(shí)有半數(shù)會(huì) 導(dǎo)致?lián)舸┑碾妷褐?Ub50 。 20％ 對于不同極性： + 操作沖擊
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