如何看懂mosfet規(guī)格書-文庫(kù)吧資料
2024-08-06 05:28本頁(yè)面
【正文】 MOSFET就有點(diǎn)不一樣了，很多低壓MOSFET的Vgs(th)在常溫時(shí)就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)~2V，這樣只要在Gate有一個(gè)很小的尖峰就可能誤觸發(fā)MOSFET開啟從而引起整個(gè)電源系統(tǒng)異常。（下圖紅色框中）3Rds(on)從MOSFET Rds(on)與Tj的圖表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正溫度系數(shù)，MOSFET的這一特性使得MOSFET易于并聯(lián)使用?！ OSFET V(BR)DSS是正溫度系數(shù)的，其實(shí)datasheet上有一張V(BR)DSS與Tj的關(guān)系圖(Table 17)，如下： 要是電源用在寒冷的地方，環(huán)境溫度低到40℃甚至更低的話，MOSFET V(BR)DSS值 所以在MOSFET使用中，我們都會(huì)保留一定的VDS的電壓裕量，其中一點(diǎn)就是為了考慮到低溫時(shí)MOSFET V(BR)DSS值變小了，另外一點(diǎn)是為了應(yīng)對(duì)各種惡例條件下開關(guān)機(jī)的VDS電壓尖峰。工程師們要選用某個(gè)型號(hào)的 MOSFET，首先要看的就是規(guī)格書/datasheet，拿到 MOSFET 的規(guī)格書/datasheet 時(shí)，我們要怎么去理解那十幾頁(yè)到幾十頁(yè)的內(nèi)容呢？本帖的目的就是為了和大家分享一下我對(duì) MOSFET 規(guī)格書/datasheet 的理解和一些觀點(diǎn)，有什么錯(cuò)誤、不當(dāng)?shù)牡胤秸?qǐng)大家指出，也希望大家分享一下自己的一些看法，大家一起學(xué)習(xí)。如何看懂MOSFET規(guī)格書 作為一個(gè)電源方面的工程師、技術(shù)人員，相信大家對(duì) MOSFET 都不會(huì)陌生。在電源論壇中，關(guān)于MOSFET 的帖子也應(yīng)有盡有：MOSFET 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)/工作原理、MOSFET 驅(qū)動(dòng)技術(shù)、MOSFET 選型、MOSFET 損耗計(jì)算等，論壇高手、大俠們都發(fā)表過(guò)各種牛貼，我也不敢在這些方面再多說(shuō)些什么了。PS: 1. 后續(xù)內(nèi)容中規(guī)格書/datasheet 統(tǒng)一稱為 datasheet2. 本帖中有關(guān) MOSFET datasheet 的數(shù)據(jù)截圖來(lái)自英飛凌 IPP60R190C6 datasheet1VDSDatasheet 上電氣參數(shù)第一個(gè)就是 V(BR)DSS，即 DS 擊穿電壓，也就是我們關(guān)心的 MOSFET 的耐壓 此處V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示設(shè)計(jì)中只要MOSFET上電壓不超過(guò)600V MOSFET就能工作在安全狀態(tài)? 相信很多人的答案是“是!”，曾經(jīng)我也是這么認(rèn)為的，但這個(gè)正確答案是“不是!” 這個(gè)參數(shù)是有條件
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