mosfet的閾電壓ppt課件-文庫吧資料
2025-05-11 18:16本頁面
【正文】 ?OX21sD2CNqK ?? ?FN 與 ?FP 可以統(tǒng)一寫為 ?FB，代表 襯底費米勢 。 當 VS = 0 ， VB = 0 時， ? ? FP21FPOXOXMST 22 ??? ???? KCQV 這與前面得到的 MOS 結(jié)構(gòu)的閾電壓表達式相同。對于均勻摻雜的襯底， 式中， ，稱為 體因子 。 b) 有反向電壓 (VS VB )加在源、漏及反型層的 PN 結(jié)上，使 強反型開始時的表面勢 ?S,inv 由 2?FP 變?yōu)? ( 2?FP + VS VB )。 作為近似，在強反型剛開始時，可以忽略 Qn 。表面發(fā)生強反型時能帶的彎曲量是 2q?FP ，表面勢為 2?FP ，于是可得 VT – VFB = VOX + 2?FP VT = VFB + VOX + 2?FP 上式中， QM 和 QS 分別代表金屬一側(cè)的電荷面密度和半導體一側(cè)的電荷面密度，而 QS 又是耗盡層電荷QA 與反型層電荷 Qn 之和。 外加柵電壓超過 VFB 的部分 （ VG VFB） 稱為 有效柵電壓 。 COX 代表單位面積的柵氧化層電容， ， TOX 代表柵氧化層厚度。 實際 MOS 結(jié)構(gòu)（ ?MS 0， QOX 0）當 VG = 0 時的能帶圖 S?q 實際 MOS 結(jié)構(gòu)當 VG = VFB 時的能帶圖 當 時，可以使能帶恢復為平帶狀態(tài)，這時 ?S = 0，硅表面呈電中性。 上圖中， ? ?AF P i Fi1 ln 0NkTEEq q n? ? ? ? ? 理想 MOS 結(jié)構(gòu)（金屬與半導體間的功函數(shù)差 ?MS = 0 ，柵氧化層中的電荷面密度 QOX = 0 ）當 VG = 0 時的能帶圖 稱為 P 型襯底的費米勢 。 在推導閾電壓的表達式時可近似地采用一維
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