內(nèi)絕緣新型mosfet的介紹-文庫吧資料
2025-05-07 22:46本頁面
【正文】 ss[ p F ]t p y .Qg[ n C ]t p y .R U 6 8 8 8 R 3 T O 2 2 0 S S i n g l e N 68 177。 所以內(nèi)絕緣 MOSFET的散熱性能比全包封好，介于半包封 +黃色絕緣片和藍色絕緣片之間。 TO220S實驗對比 考慮實驗誤差的情況下， 4種情況下管腳 2的溫度幾乎差不多（幾種封裝的管腳 2與晶圓的熱阻幾乎相同）。 TO220安裝到鋁條散熱器上，需要加絕緣片和絕緣粒以達到絕緣目的 從上面的裝配工藝看，內(nèi)絕緣新型 TO220S MOSFET相當于把傳統(tǒng)型 TO220 MOSFET安裝在 Heat Sink上時的絕緣片做到了 MOS管內(nèi)部，因此導(dǎo)致結(jié)溫到 Case的熱阻變大，但卻因安裝在 Heat Sink時不再需要絕緣片而降低了 Case到 Heat Sink的熱阻 ，只要我們能在以下幾個條件下測試 Heat Sink上的溫度就能說明那種封裝的總熱阻小： ； ； Heat Sink； ； 最終 Heat Sink溫度越高的說明熱量越容易傳遞到 Heat Sink， 證明總熱阻越小 TO220S熱阻 為了對比半包封，全包封和絕緣版 MOSFET的散熱性能（熱阻），我們請研發(fā)工程師做如下實驗 條件 1：使用同一芯片而采用不同的封裝形式 ,我們使用同一芯片封成以下三種形式： TO220S實驗對比 條件 2：在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率， 為了能使 MOSFET消耗同樣的功率，我們需要設(shè)計一個恒功率的電路，如下電路圖： 此電路中我們設(shè)置： 電源 Vcc= 電流 Id=， 因此， MOSFET消耗的功率為： P=（ ） *Id=9W 8 TO220S實驗對比 條件 4：一個密閉的環(huán)境內(nèi) 我們采用的是一個小紙盒，尺寸如下： 長 *寬 *高 =130mm*100mm*55mm 9 TO220S實驗對比 首先，我們按照
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