內(nèi)絕緣新型mosfet的介紹-展示頁
2025-05-10 22:46本頁面
【正文】 條件 2調(diào)試好電源電壓和流過 MOSFET的電流，如下圖： 電源電壓設(shè)置為 調(diào)整電路參數(shù)使得流過 MOS管的電流 Id=， 因此，此時(shí) MOSFET共消耗的功率為： P=()*Id=9W 10 TO220S實(shí)驗(yàn)對(duì)比 其次，分別換裝不同的 MOSFET并按照相同的方式粘貼溫度檢測(cè)線，其中 傳統(tǒng)的 TO220我們采用了兩種不同的絕緣片，分別為： 第一種：市面上最常見的藍(lán)色絕緣片，厚度 ； 溫度線粘貼如下圖： TO220S實(shí)驗(yàn)對(duì)比 CH1：漏極（ 2腳）溫度 CH2： MOS管漏極 HS CH3：總 HS溫度 CH4：環(huán)境溫度 第二種：目前電動(dòng)自行車控制器常用的黃色絕緣片，厚度 。1 深圳市銳駿半導(dǎo)體有限公司 新型內(nèi)絕緣 MOSFET TO220S封裝介紹 傳統(tǒng) TO220 MOSFET遇到的挑戰(zhàn) ? 傳統(tǒng)半包封 TO220的的漏極與其背部散熱片直接相連接 ? 當(dāng)半包封 TO220 MOSFET需要加散熱片散熱使用時(shí)，特別是不同作用的MOSFET共用一個(gè)散熱片時(shí)，需要做絕緣，加絕緣片和絕緣粒 ? 絕緣片和絕緣粒主要有以下幾個(gè)缺點(diǎn) 絕緣片和絕緣粒產(chǎn)生額外的材料成本，管理成本和生產(chǎn)成本 生產(chǎn)裝配麻煩，生產(chǎn)效率較低 絕緣粒在 MOSFET高溫運(yùn)行時(shí)，容易老化、變形，最終導(dǎo)致 MOSFET與散熱片松動(dòng)，散熱效果降低，絕緣性能下降（極端情況下可能會(huì)發(fā)生不絕緣的情況） 生產(chǎn)裝配時(shí)，容易損壞絕緣粒（絕緣粒破裂或者變形），最終導(dǎo)致 MOSFET的散熱效果降低，絕緣性能下降 工廠生產(chǎn)時(shí)，通常會(huì)做絕緣耐壓測(cè)試，絕緣耐壓測(cè)試容易損壞 MOSFET，造成MOSFET隱性損壞（ 柵極損傷），造成潛在可靠性失效問題 ? 全包封 TO220可以達(dá)到絕緣效果，但散熱效果較差 解決方案 – TO220S ? 銳駿半導(dǎo)體通過不斷的研究創(chuàng)新，研發(fā)出新型的內(nèi)絕緣 MOSFET– TO220S封裝 ? TO220S – 內(nèi)絕緣 MOSFET
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