晶體硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展方向v-文庫吧資料
2025-05-19 00:49本頁面
【正文】 PECVD/SiN+表面織構(gòu)化使15cm?15cm大面積多晶硅電池效率達(dá) ％， 已實現(xiàn)商業(yè)化。 ◆ 美國喬治亞 (Geogia)工大 — 采用磷吸雜和雙層反射膜技術(shù)，使用電阻率 Ωcm、厚度 280 ?m的 HEM（熱交換法）多晶硅片制作電池，使電池的效率達(dá)到 ％。 晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢 — 高效化 這種電池具有結(jié)特性優(yōu)秀、溫度系數(shù)低、生產(chǎn)成本低廉和轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點，所以在光伏市場上受到青睞， 商業(yè)化生產(chǎn)速度發(fā)展很快，僅僅兩三年時間，產(chǎn)品已占整個光伏市場的 5％ 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 （ 2）多晶硅高效電池 ◆ 多晶硅材料制造成本低于單晶硅 CZ材料 ◆ 能直接制備出適于規(guī)?；a(chǎn)的大尺寸方型硅錠， 240kg, 400kg ◆ 制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料 因此比單晶硅電池具有更大降低成本的潛力。 西班牙 BP Solar公司購買了其專利，成功地進行了產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 埋柵電池具有高效的原因是： （ 1）絨面、減反射膜和背面反射器的結(jié)合使太陽光充分被利用； （ 2）柵指電極只占電池表面積 2～ 4％，遮光率很小，提高短路電流密度； （ 3）柵指電極排列緊密減小發(fā)射極電阻； （ 4）淡磷擴散避免形成“死層”，增加對短波的吸收； （ 5）埋柵電極處實行重?fù)诫s使接觸電阻降低，有利于歐姆接觸； （ 6）埋柵電極深入到硅襯底內(nèi)部增加對基區(qū)光生電子的收集； （ 7）濃磷擴散降低濃磷區(qū)電阻功耗和柵指電極與襯底的接觸電阻功耗，提高電池的開路電壓。 為了降低成本、擴大市場，在美國塞浦路斯半導(dǎo)體公司幫助下， Sunpower公司做了大量的研究，終于推出了低成本高效太陽電池 A300，效率為 ％以上。 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 單晶硅高效化： LBSF電池 ? 德國 Fraunhofer研究所研發(fā) ? 深結(jié)局部背場 （ LBSF）電池 ? 2cm 2cm電池效率達(dá)到 ? ＝ % LBSF電池特點（與 PERL類似） TCA生長氧化層鈍化電池正反面 正面光刻制成的金字塔（絨面）結(jié)構(gòu) 背面硼擴散一般造成高表面復(fù)合 局部鋁擴散制作電池的表面接觸 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 ◆ 該電池完全采用背電極接觸方式，正負(fù)極交叉排列在背面，前表面沒有任何遮擋，pn結(jié)位于背面。 制造過程相當(dāng)煩瑣，涉及到多道光刻工藝，工藝高，很難應(yīng)用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。 背表面場技術(shù) ? MIS電池和 p－ n結(jié)的結(jié)合 ，對后來的高效電池起到過渡作用 MINP電池 ? 電池面積小，從而可以降低成本， 一直受到重視 聚光電池 ? 被高效電池和工業(yè)化電池普遍采用 絨面技術(shù) ? 如 SnO2/Si、 In203/Si、 ITO/Si等 異質(zhì)結(jié)技術(shù) ? 肖特基（ MS）電池的改型 MIS電池 上海太陽能工程技
規(guī)章制度相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1