晶體硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展方向v-wenkub
2023-05-28 00:49:23 本頁面
【正文】 面的其它地方進(jìn)行淡磷擴(kuò)散。 單晶硅高效化： PERL電池 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 單晶硅高效化： PPC電池 ? 斯坦福大學(xué)研發(fā) ? 背面點接觸（ PCC）電池 ? ? ＝ ％ PPC電池特點 正負(fù)電極在同一面，沒有柵線陰影損失 TCA生長氧化層鈍化電池正反面 正面光刻制成的金字塔（絨面）結(jié)構(gòu) 背面的發(fā)射區(qū)被設(shè)計成點狀， 50 ?m間距， 10 ?m擴(kuò)散區(qū)， 5μm接觸孔徑 基區(qū)也設(shè)計成點狀，減小背面復(fù)合 襯底 n型低阻材料，表面及體內(nèi)復(fù)合低 襯底減薄到約 100 ?m ，減小體內(nèi)復(fù)合。 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 晶體硅太陽能電池的新技術(shù) ? 熱氧化 SiO2鈍化 ， 氫鈍化， aSi鈍化等 鈍化技術(shù) ? 表面織構(gòu)化技術(shù)，減反射技術(shù) 陷光技術(shù) ? 背場可以降低飽和電流，改善開路電壓，提高電池效率。 1958年 ? 硅太陽能電池首先在航天器上得到應(yīng)用。 20世紀(jì) 70年代 ? 硅太陽電池開始在地面應(yīng)用。 背表面場技術(shù) ? MIS電池和 p－ n結(jié)的結(jié)合 ，對后來的高效電池起到過渡作用 MINP電池 ? 電池面積小，從而可以降低成本， 一直受到重視 聚光電池 ? 被高效電池和工業(yè)化電池普遍采用 絨面技術(shù) ? 如 SnO2/Si、 In203/Si、 ITO/Si等 異質(zhì)結(jié)技術(shù) ? 肖特基（ MS）電池的改型 MIS電池 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 分析下表的內(nèi)容得出以下結(jié)論：要將電池的生產(chǎn)成本降低到 1美元 /WP以下，電池的轉(zhuǎn)換效率必須要高于 18%，并要求生產(chǎn)成本低、生產(chǎn)能力高。 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 單晶硅高效化： LBSF電池 ? 德國 Fraunhofer研究所研發(fā) ? 深結(jié)局部背場 （ LBSF）電池 ? 2cm 2cm電池效率達(dá)到 ? ＝ % LBSF電池特點（與 PERL類似） TCA生長氧化層鈍化電池正反面 正面光刻制成的金字塔（絨面）結(jié)構(gòu) 背面硼擴(kuò)散一般造成高表面復(fù)合 局部鋁擴(kuò)散制作電池的表面接觸 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 ◆ 該電池完全采用背電極接觸方式，正負(fù)極交叉排列在背面，前表面沒有任何遮擋，pn結(jié)位于背面。 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 埋柵電池具有高效的原因是： （ 1）絨面、減反射膜和背面反射器的結(jié)合使太陽光充分被利用； （ 2）柵指電極只占電池表面積 2～ 4％，遮光率很小，提高短路電流密度； （ 3）柵指電極排列緊密減小發(fā)射極電阻； （ 4）淡磷擴(kuò)散避免形成“死層”，增加對短波的吸收； （ 5）埋柵電極處實行重?fù)诫s使接觸電阻降低，有利于歐姆接觸； （ 6）埋柵電極深入到硅襯底內(nèi)部增加對基區(qū)光生電子的收集； （ 7）濃磷擴(kuò)散降低濃磷區(qū)電阻功耗和柵指電極與襯底的接觸電阻功耗，提高電池的開路電壓。 晶體硅太陽能電池的技術(shù)
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