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金屬互連技術(shù)ppt課件-文庫(kù)吧資料

2025-05-13 03:45本頁(yè)面
  

【正文】 聚集,使電遷移效應(yīng)減低一個(gè)數(shù)量級(jí)。當(dāng)通過(guò) Al布線的電流密度超過(guò) 106A/cm2時(shí),電流的傳輸將引起離子位移,即 Al 原子在導(dǎo)電電子的作用下,沿晶界邊界向高電位端位移,結(jié)果,金屬化中高電位處出現(xiàn)金屬原子堆積,電位低處出現(xiàn)空洞,導(dǎo)致開(kāi)路 。布線之后,硅片的加 工溫度受到限制。 Al → Si 中,硅半導(dǎo)體中出現(xiàn)鋁尖峰,使電路失效。 優(yōu)點(diǎn) 長(zhǎng)期以來(lái)鋁一直是集成電路中廣泛使用的金屬互連材料。 金屬互連 集成電路金屬層材料的要求 ? 電阻率低; ? 能與元件的電極形成良好的低歐姆接觸; ? 與二氧化硅層的粘附性要好; ? 便于淀積和光刻加工形成布線等
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