集成電路芯片封裝技術(shù)芯片互連技術(shù)-文庫吧資料
2025-05-09 08:22本頁面
【正文】 AB技術(shù)的關(guān)鍵材料 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 TAB技術(shù)的關(guān)鍵材料 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 TAB的優(yōu)點 1） TAB結(jié)構(gòu)輕、薄、短、小，封裝高度 1mm 2） TAB電極尺寸、電極與焊區(qū)間距較之 WB小 3） TAB容納 I/O引腳數(shù)更多，安裝密度高 4） TAB引線電阻、電容、電感小，有更好的電性能 5）可對裸芯片進(jìn)行篩選和測試 6）采用 Cu箔引線，導(dǎo)電導(dǎo)熱好，機械強度高 7） TAB鍵合點抗鍵合拉力比 WB高 8） TAB采用標(biāo)準(zhǔn)化卷軸長帶，對芯片實行多點一次焊接，自動化程度高 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 倒裝芯片鍵合技術(shù) 倒裝芯片鍵合（ FCB）是指 將裸芯片面朝下，芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接互連的一種鍵合方法 ：通過芯片上的凸點直接將元器件朝下互連到基板、載體或者電路板上。 3）凸點金屬材料 芯片焊區(qū)金屬通常為 Al，在金屬膜外部淀積制作 粘附層和鈍化層 ，防止凸點金屬與 Al互擴散。 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 TAB關(guān)鍵技術(shù) 封膠保護 然后，篩選與測試 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 外引線鍵合 OLB 測試完成 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 TAB技術(shù)的關(guān)鍵材料 1）基帶材料 基帶材料要求高溫性能好、熱匹配性好、收縮率小、機械強度高等，聚酰亞胺（ PI）是良好的基帶材料，但成本較高，此外，可采用聚酯類材料作為基帶。焊接工具是由硬質(zhì)金屬或鉆石制成的熱電極。 載帶自動鍵合（ TAB）技術(shù) 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 TAB技術(shù)工藝流程 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 TAB技術(shù)工藝流程 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 TAB技術(shù)工藝流程 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 TAB關(guān)鍵技術(shù) TAB工藝 關(guān)鍵部分有： 芯片凸點制作、 TAB載帶制作和內(nèi)、外引線焊接 等。 重慶城市管理職業(yè)學(xué)院 第二章 TAB技術(shù) 首先在高聚物上做好元件引腳的引線
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1