全控器件gtr,gppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 04:45本頁面
【正文】 的雙極結(jié)型晶體管基本原理是一樣的。 耐高電壓 、 大電流的雙極結(jié)型晶體管（ Bipolar Junction Transistor—— BJT） ，英文有時候也稱為 Power BJT。 —— 最大可關(guān)斷陽極電流與門極負脈沖電流最大值 IGM之比稱為電流關(guān)斷增益。1000A的 GTO關(guān)斷時門極負脈沖電流峰值要 200A 。 許多參數(shù)和普通晶閘管相應(yīng)的參數(shù)意義相同，以下只介紹意義不同的參數(shù)。下降時間一般小于 2?s。延遲時間一般約1~2?s，上升時間則隨通態(tài)陽極電流的增大而增大。使門極負脈沖后沿緩慢 tt階段可以保持適當負電壓 ,可以縮小尾部時間 tt。 通常 tf比 ts小得多 ， 而 tt比 ts要長 。 由上述分析我們可以得到以下 結(jié)論 ： 二、門極可關(guān)斷晶閘管 8 開通過程 ：與普通晶閘管相同 關(guān)斷過程 ：與普通晶閘管有所不同 儲存時間 ts， 使等效晶體管退出飽和 。 GTO關(guān)斷過程中有強烈正反饋使器件退出飽和而關(guān)斷 。 多元集成結(jié)構(gòu)，使得 P2基區(qū)橫向電阻很小，能從門極抽出較大電流。 普通晶閘管 ?1+?2≥,導通飽和程度深 ,無法用門極負脈沖使其關(guān)斷 。 由 P1N1P2和 N1P2N2構(gòu)成的兩個晶體管 V V2分別具有共基極電流增益 ?1和 ?2 。 c)圖1 1 3AG K G GKN1P1N2N2 P2b)a)AGK圖 141 GTO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號 a) 各單元的陰極、門極間隔排列的圖形 b) 并聯(lián)單元結(jié)構(gòu)斷面示意圖 1. GTO的結(jié)構(gòu)和工作原理 二、門極可關(guān)斷晶閘管 5 工作原理 ： 與普通晶閘管一樣 ， 可以用圖 142所示的雙晶體管模型來分析 。 門極可關(guān)斷晶閘管 （ GateTurnOff Thyristor —GTO） 4 結(jié)構(gòu) ： 與普通晶閘管的 相同點 ： PNPN四層半導體結(jié)構(gòu) ，外部引出陽極 、 陰極和門極 。 可以通過在門極施加負
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