全控器件gtr,gppt課件(編輯修改稿)
2025-06-02 04:45 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 造成逆導型 ， 類似于逆導晶閘管 ， 需承受反壓時 ， 應(yīng)和電力二極管串聯(lián) 。 許多參數(shù)和普通晶閘管相應(yīng)的參數(shù)意義相同，以下只介紹意義不同的參數(shù)。 二、門極可關(guān)斷晶閘管 10 （ 3） 最大可關(guān)斷陽極電流 IATO （ 4） 電流關(guān)斷增益 ?off ?off一般很小，只有 5左右，這是 GTO的一個主要缺點。1000A的 GTO關(guān)斷時門極負脈沖電流峰值要 200A 。 —— GTO額定電流 。 —— 最大可關(guān)斷陽極電流與門極負脈沖電流最大值 IGM之比稱為電流關(guān)斷增益。 （ 141） GMA T Oo f f II??二、門極可關(guān)斷晶閘管 11 三、 電力晶體管 電力晶體管 （ Giant Transistor—— GTR，直譯為巨型晶體管 ） 。 耐高電壓 、 大電流的雙極結(jié)型晶體管（ Bipolar Junction Transistor—— BJT） ，英文有時候也稱為 Power BJT。 應(yīng)用 20世紀 80年代以來 ， 在中 、 小功率范圍內(nèi)取代晶閘管 ， 但目前又大多被 IGBT和電力MOSFET取代 。 術(shù)語用法 ： 12 與普通的雙極結(jié)型晶體管基本原理是一樣的。 主要特性是耐壓高、電流大、開關(guān)特性好。 通常采用至少由兩個晶體管按達林頓接法組成的單元結(jié)構(gòu)。 采用集成電路工藝將許多這種單元并聯(lián)而成 。 1. GTR的結(jié)構(gòu)和工作原理 圖 144 GTR的結(jié)構(gòu)、電氣圖形符號和內(nèi)部載流子的流動 a) 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖 b) 電氣圖形符號 c) 內(nèi)部載流子的流動 三、電力晶體管 13 在應(yīng)用中 ， GTR一般采用共發(fā)射極接法 。 集電極電流 ic與基極電流 ib之比為 （ 142） ? —— GTR的 電流放大系數(shù) ，反映了基極電流對集電極電流的控制能力 。 當考慮到集電極和發(fā)射極間的漏電流 Iceo時 ， ic和 ib的關(guān)系為
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