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2025-05-06 04:45本頁面
【正文】 % I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 圖 146 GTR的開通和關(guān)斷過程電流波形 (2) 動態(tài)特性 16 前已述及：電流放大倍數(shù) ?、 直流電流增益 hFE、 集射極間漏電流 Iceo、 集射極間飽和壓降 Uces、 開通時間 ton和關(guān)斷時間 toff (此外還包括 )： 1) 最高工作電壓 GTR上電壓超過規(guī)定值時會發(fā)生擊穿 。 擊穿電壓不僅和晶體管本身特性有關(guān) ， 還與外電路接法有關(guān) 。 BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo。 實際使用時 ， 最高工作電壓要比 BUceo低得多 。 3. GTR的主要參數(shù) 三、電力晶體管 17 通常規(guī)定為 hFE下降到規(guī)定值的 1/2~1/3時所對應(yīng)的 Ic 。 實際使用時要留有裕量 ， 只能用到 IcM的一半或稍多一點 。 3) 集電極最大耗散功率 PcM 最高工作溫度下允許的耗散功率 。 產(chǎn)品說明書中給 PcM時同時給出殼溫 TC， 間接表示了最高工作溫度 。 2) 集電極最大允許電流 IcM 三、電力晶體管 18 一次擊穿 ： 集電極電壓升高至擊穿電壓時 ， Ic迅速增大 。 只要 Ic不超過限度 ， GTR一般不會損壞 ， 工作特性也不變 。 二次擊穿 ： 一次擊穿發(fā)生時 ， 若外接電壓繼續(xù)增大 ， Ic急劇上升至某個臨界點時 ， 電壓陡然下降到一個較小值 ， Ic 迅速增大 。 二次擊穿常常導(dǎo)致器件的永久損壞 ， 或者工作特性明顯衰變 。 安全工作區(qū) （ Safe Operating Area—— SOA） 最高電壓 UceM、 集電極最大電流 IcM、 最大耗散功率 PcM、二次擊穿臨界線限定 。 SOA O I c I cM P SB P cM U ce U ceM 圖 147 GTR的安全工作區(qū) 4. GTR的二次擊穿現(xiàn)象與安全工作區(qū) 三、電力晶體管
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