光致發(fā)光pl光譜ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 04:27本頁面
【正文】 量和樣品空間大小上都具有很高的分辨率，因此適合于作薄層分析和微區(qū)分析。 二、儀器及測(cè)試 測(cè)量半導(dǎo)體材料的光致發(fā)光光譜的基本方法是 ， 用激發(fā)光源產(chǎn)生能量大于被測(cè)材料的禁帶寬度 Eg、 且電流密度足夠高的光子流去入射被測(cè)樣品 ， 同時(shí)用光探測(cè)器接受并識(shí)別被測(cè)樣品發(fā)射出來的光 。 在上述輻射復(fù)合機(jī)構(gòu)中 ， 前兩種屬于本征機(jī)構(gòu) ， 后面幾種則屬于非本征機(jī)構(gòu) 。這些額外載流子對(duì)一邊向體內(nèi)擴(kuò)散，一邊通過各種可能的復(fù)合機(jī)構(gòu)復(fù)合。光致發(fā)光（ PL）光譜 一、光致發(fā)光基本原理 ?1. 定義：所謂光致發(fā) (Photoluminescence)指的是以光作為激勵(lì)手段，激發(fā)材料中的電子從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光的過程。它是光生額外載流子對(duì)的復(fù)合過程中伴隨發(fā)生的現(xiàn)象 2. 基本原理：由于半導(dǎo)體材料對(duì)能量高于其吸收限的光子有很強(qiáng)的吸收，吸收系數(shù)通常超過 104cm1，因此在材料表面約 1μm 厚的表層內(nèi)，由本征吸收產(chǎn)生了大量的額外電子 空穴對(duì)，使樣品處于非平衡態(tài)。其中，有的復(fù)合過程只發(fā)射聲子，有的復(fù)合過程只發(fā)射光子或既發(fā)射光子也
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