材料方法第3章xr(1)-文庫吧資料
2025-05-05 12:11本頁面
【正文】 線 ) 高能級電子回跳到低能級多余能量轉(zhuǎn)換成電磁波 僅在特定波長處有特別強(qiáng)的強(qiáng)度峰 衍射分析采用 莫色萊定律 ? 特征 X射線譜的頻率（或波長）只與陽極靶物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)有關(guān)，而與其他外界因素?zé)o關(guān)，是物質(zhì)的固有特性。 Kα雙線系電子分別由 LⅢ 和 LⅡ 兩個(gè)亞層躍遷到 K層時(shí)產(chǎn)生的輻射，而由 LI亞層到 K層因不符合選擇定則（此時(shí) Δl＝ 0），因此沒有輻射。 ? Kα雙線的產(chǎn)生與原子能級的精細(xì)結(jié)構(gòu)相關(guān)。因此，當(dāng)原子受到 K激發(fā)時(shí)，除產(chǎn)生 K系輻射外，還將伴生 L、 M…… 等系的輻射。 M能級與 K能級之差大于 L能級與 K能級之差，即一個(gè) Kβ光子的能量大于一個(gè) Kα光子的能量； 但因 L→K 層躍遷的幾率比 M→K 遷附幾率大，故 Kα輻射強(qiáng)度比 Kβ輻射強(qiáng)度大五倍左右。 ? 當(dāng) K電子被打出 K層時(shí)，如 L層電子來填充 K空位時(shí)，則產(chǎn)生 Kα輻射。原子從高能態(tài)變成低能態(tài)時(shí)，多出的能量以 X射線形式輻射出來。其臨界值為 eVK＝ WK ， VK稱之臨界激發(fā)電壓。 ? 如果 K層電子被擊出 K層，稱 K激發(fā)， L層電子被擊出 L層，稱 L激發(fā)，其余各層依此類推。 ? 但當(dāng)管電壓達(dá)到或超過某一臨界值時(shí)，則陰極發(fā)出的電子在電場加速下，可以將靶物質(zhì)原子深層的電子擊到能量較高的外部殼層或擊出原子外，使原子電離。 ? 鉬靶 X射線管當(dāng)管電壓等于或高于 20KV時(shí)，則除連續(xù) X射線譜外，位于一定波長處還疊加有少數(shù)強(qiáng)譜線，它們即 特征 X射線譜 。 eV = hvmax = hc/λ 0 ,λ 0 = （ nm） X射線管的效率 ? X射線管的 效率 η ，是指電子流能量中用于產(chǎn)生 X射線的百分?jǐn)?shù)， ? 即 ? 隨著原子序數(shù) Z的增加， X射線管的效率提高，但即使用原子序數(shù)大的鎢靶，在管壓高達(dá) 100kv的情況下， X射線管的效率也僅有 1﹪ 左右， 99％的能量都轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?。 ? 極限情況下 ， 能量為 ev的電子在碰撞中一下子把能量全部轉(zhuǎn)給光子 ， 那么該光子獲得最高能量和具有最短波長 ， 即 短波限 λ 0。 對連續(xù) X射線譜的解釋 2 ? 當(dāng)能量為 ev的電子與靶原子整體碰撞時(shí) ， 電子失去自己的能量 ， 其中一部分以光子 (hv)的形式輻射出去 ， 每碰撞一次 ， 產(chǎn)生一個(gè)光子 ， 即 “ 韌致輻射 ” 。 對連續(xù) X射線譜的解釋 1 ? 根據(jù)經(jīng)典物理學(xué)的理論，一個(gè)帶負(fù)電荷的電子作加速運(yùn)動時(shí)，電子周圍的電磁場將發(fā)生急劇變化，此時(shí)必然要產(chǎn)生一個(gè)電磁波，或至少一個(gè)電磁脈沖。 旋轉(zhuǎn)陽極 加速器中可以引出 X射線 加速器中可以引出 X射線 X射 線譜 連續(xù) X射線譜 ? X射線強(qiáng)度與波長的關(guān)系曲線 ， 稱之 X射線譜 。 ? 因陽極不斷旋轉(zhuǎn)，電子束轟擊部位不斷改變，故提高功率也不會燒熔靶面。焦點(diǎn)的形狀取決于燈絲的形狀，螺形燈絲產(chǎn)生長方形焦點(diǎn) 旋轉(zhuǎn)陽極 ? 常用 X射線管的功率為500～ 3000W。因此 X射線管的功率有限，大功率要用旋轉(zhuǎn)陽極
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