【正文】 建工程建筑耐火等級：項(xiàng)目產(chǎn)品生產(chǎn)類型為乙類一級防火等級。噪聲污染：執(zhí)行《工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn)》（GB1234890）電機(jī)的噪聲采取防護(hù)裝置。環(huán)境影響治理主要采?。簭U水處理本項(xiàng)目污水量較少，廠區(qū)內(nèi)可建設(shè)一座小型廢水處理池，將全廠廢水統(tǒng)一進(jìn)行處理，達(dá)標(biāo)后排放。堅(jiān)持新建、改擴(kuò)建和技術(shù)改造項(xiàng)目，以及一切可能對環(huán)境造成污染的項(xiàng)目，必須堅(jiān)持“三同時”原則，即環(huán)境治理設(shè)計(jì)應(yīng)與項(xiàng)目的主體工程同時設(shè)計(jì)、同時施工、同時投產(chǎn)使用。噪聲廠界噪聲執(zhí)行GB1234890《工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn)》中Ⅲ類和Ⅳ類標(biāo)準(zhǔn)。（二）污染物排放標(biāo)準(zhǔn)廢水排放廢水排放執(zhí)行GB89781996《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》中表4中二級排放標(biāo)準(zhǔn)限值的要求。大氣環(huán)境環(huán)境空氣質(zhì)量執(zhí)行GB30951996《環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》中二級標(biāo)準(zhǔn)和YJ3679《中國居住區(qū)大氣中有害物質(zhì)最高容許濃度》。（2）廠外運(yùn)輸：本項(xiàng)目不新增廠外運(yùn)輸設(shè)備，廠外運(yùn)輸利用工廠現(xiàn)有運(yùn)輸設(shè)備，不足部分由社會運(yùn)輸協(xié)作解決。廠內(nèi)外運(yùn)輸。DN 200㎜進(jìn)水主水管，連接DN150㎜配水管。給、排水。五、公用工程和輔助工程供、配電。在距交通信號燈及交通標(biāo)志牌等交通安全設(shè)施的停車視距范圍內(nèi)，不應(yīng)有樹木枝葉遮擋。綠化樹木與市政公用設(shè)施的相互位置應(yīng)統(tǒng)籌安排，并應(yīng)保證樹木有需要的立地條件與生長空間。廠區(qū)道路綠化應(yīng)以喬木為主，喬木、灌木、地被植物相結(jié)合，不得裸露土壤。以植物造景為主，以人為本，設(shè)計(jì)力求體現(xiàn)時代氣息的區(qū)域環(huán)境特色。廠區(qū)路燈采用的型式在道路上主要以功能性為主，燈具采用截光型或半截光型，（五）綠化布置：廠區(qū)車間保持一定面積的綠化隔離帶。平均照度不低于15Lx。地下管線之間及地下管線與建筑物、綠帶之間應(yīng)保持最小的水平凈距（見下表）。因此，綜合管線的輔設(shè)，原則上與新增廠區(qū)道路同時進(jìn)行建設(shè)。（三）管線綜合布置：綜合管線要做到“七通一平”，同時設(shè)計(jì)、同時施工，避免亂挖亂砌。確保建筑物和場地不受洪水淹沒，應(yīng)使項(xiàng)目區(qū)建（構(gòu)）?？偲矫娌贾茫簭S部辦公樓和職工食堂布置在廠區(qū)北部；兩幢廠房布置在廠區(qū)南面。（3）結(jié)合場地地形、地質(zhì)、地貌等條件，因地制宜并盡可能做到緊湊合理布置，節(jié)約用地。合理設(shè)置廠內(nèi)停車場，避免人流物流交叉，使廠內(nèi)外運(yùn)輸配合協(xié)調(diào)。整個工藝流程：硅原料分選 清潔處理 硅單晶制備檢測 切斷 取棒測試 單晶產(chǎn)品認(rèn)定 切制硅片熱力磨 清洗 檢測 加工太陽能電池單片 抽查檢驗(yàn) 單片產(chǎn)品認(rèn)定 組裝太陽能板。用戶根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可將太陽電池陳列。單體片經(jīng)過抽查檢驗(yàn)，既可按所需要的規(guī)格組裝成太陽電池組件（太陽電池板），用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流。然后采用絲網(wǎng)印刷法，精配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經(jīng)過燒結(jié)，同時制成背極，并在有柵線的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。奪片經(jīng)過拋磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。將硅原材料放在石英堝內(nèi)用石墨制成的加熱器通入低電壓大電流而產(chǎn)生的高溫將熔點(diǎn)在1420℃的硅材料熔化后，由計(jì)算機(jī)等設(shè)備控制熔融狀態(tài)的硅液面溫充在1420℃臨界點(diǎn)上，由一個單晶體的籽晶與液面接觸、熔融后而緩慢的提升，使硅液體在籽晶的引領(lǐng)下按預(yù)先設(shè)定的晶格、晶向和外形緩慢結(jié)晶出單晶體的硅單晶，完成單晶制備。三、項(xiàng)目主要技術(shù)工序和工藝路線工藝技術(shù)來源《單晶硅棒、太陽能板項(xiàng)目》依托北京廣電子研究所的最新研究成果，引進(jìn)整套成熟技術(shù)，工藝技術(shù)包括三個部分：（1）制造單晶硅棒；（2）切磨單晶硅片；（3）組裝太陽能板。安裝注意事項(xiàng)及檢測手段：A、嚴(yán)格按照操作規(guī)程施工，正確穿戴好勞保用品。（3）其他：根據(jù)建設(shè)內(nèi)容和投資情況按規(guī)范要求施工二、設(shè)備安裝工程技術(shù)方案（一）方案設(shè)計(jì)依據(jù)《機(jī)械設(shè)備安裝工程施工及驗(yàn)收規(guī)范》GB5023198《電氣工程安裝及電氣設(shè)備直接檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)》GB5015091化工部《工業(yè)安裝工程檢驗(yàn)評定統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》（1996）建設(shè)部《建筑安裝工程安全技術(shù)規(guī)范》（1993）《通用電設(shè)備配電設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB50055—93）（二）安裝工程設(shè)計(jì)方案的原則和要求按《規(guī)范》要求，組織設(shè)備安裝施工，對安裝工程應(yīng)經(jīng)招投標(biāo)摘優(yōu)錄用施工隊(duì)伍，文明施工，按時保質(zhì)、保量安裝好機(jī)械設(shè)備。公輔工程（1）廠區(qū)道路：按二級混凝土路面結(jié)構(gòu)規(guī)范建設(shè)。（二）方案設(shè)計(jì)依據(jù)《建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范》（GB50009—2001）《混凝土結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB500010—2002）《建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB50007—2002）《建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》（GBJ68—84）《給水排水工程結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》（GBJ69—84）《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》（GBJ16—2001）《供配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB50052—95）《建筑安裝工程安全技術(shù)規(guī)范》建設(shè)部（1993）《工業(yè)企業(yè)噪聲控制設(shè)計(jì)規(guī)范》（GBJ8785）《通用電設(shè)備配電設(shè)計(jì)規(guī)范》（GB50055—93）（三）土建工程設(shè)計(jì)方案 廠房：一期工程廠房1幢標(biāo)準(zhǔn)化廠房。工程方案在滿足使用功能、確保質(zhì)量的提前下，力求降低造價，節(jié)約建設(shè)資金。建筑物、構(gòu)筑物的基礎(chǔ)，結(jié)構(gòu)和所采用的建筑材料，應(yīng)符合政府部門或者專門機(jī)構(gòu)發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，確保工程質(zhì)量。在已選定的場地（線路方向）的范圍內(nèi)，合理布置建筑物、構(gòu)筑物，以及地上、地下管網(wǎng)的位置。確定項(xiàng)目的工程內(nèi)容、建筑面積和建筑結(jié)構(gòu)時，應(yīng)滿足生產(chǎn)和使用的要求。其他，必須符合國家發(fā)布的有關(guān)技術(shù)規(guī)范要求。規(guī)格尺寸：單晶硅棒按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。（二）主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和參數(shù)由于知識產(chǎn)權(quán)法規(guī)的約束，目前機(jī)密性的技術(shù)資料在業(yè)主手中，但產(chǎn)品必須滿足下列技術(shù)要求：單晶硅棒的主要技術(shù)參數(shù)型號P型或A型晶向111100電阻率電阻率均勻性25%位錯密度無位錯OISF密度500cm2氧含量根據(jù)客戶要求碳含量1ppma主要考面取向密度根據(jù)客戶要求其中電阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量單晶硅棒等級的關(guān)鍵參數(shù)。設(shè)備購置清單序號設(shè)備名稱規(guī)格型號單位數(shù)量單價(元)金額(萬元)設(shè)備負(fù)荷生產(chǎn)廠家一期硅晶體生長爐JDL800型套50套1105500120kw/小時北京常州二期切片機(jī)套10套9809800西班牙三期太陽能板套2套28005600德國合計(jì)6220900 三、一期工程產(chǎn)品方案（一）產(chǎn)品方案 （1）產(chǎn)品品種各種規(guī)格化型號的單晶硅棒。設(shè)備及固定資產(chǎn)投入資金計(jì)劃約6000—8000萬元人民幣。（8）主要設(shè)備及輔助設(shè)備之間相互配套。（6）符合政府或?qū)ｉT機(jī)構(gòu)發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)要求。（4）降低原材料、水、電、氣年單耗，滿足環(huán)境保護(hù)要求。（2）適應(yīng)產(chǎn)品品種和質(zhì)量的要求。土地征用面積100畝。（7）門衛(wèi)：全長46米包括門衛(wèi)室及18米電動門，設(shè)監(jiān)視探頭2個。（6）信息化：局域網(wǎng)、程控交換機(jī)、智能化門鎖等。（4）綠化：行道樹、綠化帶、花壇等14000平方米左右。（3）道路：12米寬雙向道路，全長900米，共11000平方米左右。（2）水：200毫米進(jìn)水主水管連接150毫米輸水支管。公輔工程：其中一期工程根據(jù)資金安排情況完成部分公輔工程。二、項(xiàng)目一期工程主要建設(shè)內(nèi)容（一）土建工程主體工程：項(xiàng)目全部廠共四幢，每幢10000平方米左右。第三期建設(shè)完成2條進(jìn)口太陽能板組裝生產(chǎn)線用廠房10000平方米及設(shè)備、監(jiān)測系統(tǒng)和相關(guān)配套設(shè)施。第一期在完成廠區(qū)總體規(guī)劃設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，建設(shè)完成單晶硅棒生產(chǎn)用硅晶體生產(chǎn)爐50臺套，廠房10000平方米及設(shè)備、監(jiān)測系統(tǒng)和相關(guān)配套設(shè)施，計(jì)劃投資6000—8000萬元人民幣。（二）建設(shè)方案分期步聚方案的確定。應(yīng)滿足生產(chǎn)儲存條件。不僅是可行性，還要考慮數(shù)量、品質(zhì)、來源的穩(wěn)定性。應(yīng)考慮環(huán)境保護(hù)的要求和可能獲得的環(huán)境容量，以及環(huán)保治理設(shè)施投資等措施。在確定項(xiàng)目策略和產(chǎn)品方案時應(yīng)考慮資源的綜合利用，提出主要產(chǎn)品和副產(chǎn)品的組合方案。應(yīng)有專業(yè)化協(xié)作，以及上下游產(chǎn)業(yè)鏈、產(chǎn)品鏈的銜接。應(yīng)以國內(nèi)外市場需求來確定項(xiàng)目策略和產(chǎn)品的品種、數(shù)量、質(zhì)量，并能較好地適應(yīng)市場變化。應(yīng)符合國家鼓勵發(fā)展的產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)品方向、國家技術(shù)政策和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，使產(chǎn)品具有較高的技術(shù)含量和市場競爭力。（二）選址方案的確定項(xiàng)目建設(shè)地址選擇在東港工業(yè)園（省級），該處自然環(huán)境、地理?xiàng)l件較好，基礎(chǔ)設(shè)施完備，項(xiàng)目的場（廠）址，安排在工業(yè)園區(qū)。交通和運(yùn)輸便捷。實(shí)事求是的原則，對多個場址調(diào)查研究，進(jìn)行科學(xué)分析和對比。安全原則，防洪、防震、防地質(zhì)災(zāi)害。目前，一期主體廠房已經(jīng)封頂；廠區(qū)土地平整已近尾聲；廠大門設(shè)計(jì)完成并工程基礎(chǔ)已經(jīng)開挖；綠化、監(jiān)控工程已經(jīng)開始實(shí)施；供、排水改造已經(jīng)完成；供電工程已經(jīng)開始施工；設(shè)備安裝既將進(jìn)行。已經(jīng)建設(shè)完成廠房10000㎡；已購置單晶硅棒生產(chǎn)用JDR—800型號晶全生長爐設(shè)備25臺套及配套設(shè)備。項(xiàng)目已籌集了相當(dāng)資金，現(xiàn)正在申請國家開發(fā)銀行貸款支持。本項(xiàng)目依托北京光電子研究所的最新研究成果引進(jìn)整套成熟技術(shù)，同時高薪聘用原北京光電研究所的高級工程師、技術(shù)員，已經(jīng)形成了具有人才梯次的高技術(shù)核心團(tuán)隊(duì)，為項(xiàng)目的實(shí)施及順利投產(chǎn)提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。本項(xiàng)目所涵蓋的單晶硅棒太陽能電池板項(xiàng)目，不僅符合國家星火計(jì)劃重點(diǎn)扶持發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)政策精神，也符合遼寧省“十一五”規(guī)劃的重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目的政策導(dǎo)向。高檔的單晶硅、多晶硅主要依靠進(jìn)口，因此，產(chǎn)品的需求和供給的需缺形勢仍然十分嚴(yán)俊，預(yù)示著產(chǎn)品具有巨大的潛在的需求市場。（3）目前國內(nèi)生產(chǎn)單晶硅的廠家雖然已有較多家，主要分布在四川、河南、北京、上海等地，但這些廠家生產(chǎn)的產(chǎn)品多為低檔產(chǎn)品。國內(nèi)8英寸生產(chǎn)線用硅片幾乎全部進(jìn)口，大部分的6英寸硅片也需要進(jìn)口。在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的帶動下，2003年中國半導(dǎo)體用單晶硅的產(chǎn)量是495噸，2004年的產(chǎn)量為590噸。目前世界硅片的主流產(chǎn)品是直徑200300mm，中國與世界水平有較大差距。；上海將在未來15年內(nèi)投資700750億人民幣建設(shè)10條以上高水平的IC生產(chǎn)線；另外，浙江和深圳也都在積極籌備半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。另一方面是近年來中國各方面發(fā)展迅速，各類信息家電和通信產(chǎn)品需求旺盛，因此半導(dǎo)體器件和硅材料的市場需求量都很大。市場對6英寸和8英寸硅片的需求增長非常強(qiáng)勁，成為拋光硅片市場增長的主要動力來源。2004年中國IC制造業(yè)實(shí)現(xiàn)了超高速增長，在下游市場的拉動下，%。 　?。?）單晶硅是半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的關(guān)鍵性基材。由于技術(shù)水平低，產(chǎn)品質(zhì)量差、生產(chǎn)成本高等原因，絕大部分廠家都想繼停產(chǎn)，目前只有兩家還在生產(chǎn)，加起來年產(chǎn)量也只有幾十噸，在全世界2萬噸左右產(chǎn)量中還占不到1%，根本無法參與國際竟?fàn)?。國?nèi)多晶硅不足100噸的產(chǎn)量根本無法滿足單晶硅增長的需要，大量的多晶硅缺口只有靠進(jìn)口解決。近幾年，北京、上海、深圳等地已引進(jìn)幾條芯片生產(chǎn)線，國內(nèi)電腦芯片對單晶硅片的需求大增。多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的唯一原料，而單晶硅又是集成電路（電腦芯片）基礎(chǔ)材料。目前我國每年生產(chǎn)的單晶硅出口量占4050%。隨著電子信息時代的到來，世界硅材料市場需求年均增長速度在16%以上，未來15年，中國將成為世界第三大芯片市場生產(chǎn)能力分析（1）據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國1996年單晶硅產(chǎn)量30噸，預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi)年增長速度為1215%。產(chǎn)品附加值高，市場需求越來越大。在新世紀(jì)，伴隨信息產(chǎn)業(yè)與新能源產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，中國作為世界世界電子信息產(chǎn)品的主要生產(chǎn)國和主要市場，以及能源消耗大國，對硅材料的需求量將進(jìn)一步增長，也硅材料行業(yè)的發(fā)展提供了巨大的發(fā)展空間。結(jié)合晶體材料及其產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展，可以說在21世紀(jì)（太元世代）電子、光子材料將會再創(chuàng)輝煌，人工晶體的前景仍是一片燦爛。眾光電子材料和光子材料的發(fā)展來看，用先進(jìn)外延技術(shù)在單晶薄膜是化合物半導(dǎo)體光電子材料的特點(diǎn)，單晶仍然是光電子材料和光子材料的基礎(chǔ)，而在信息技術(shù)中光子作為信息載體具有響應(yīng)速度快、信息容量大等特點(diǎn)，目前光子材料正在人工晶體等材料的基礎(chǔ)上發(fā)展，光伏電池技術(shù)的結(jié)合今后依然是全球信息科技的基本構(gòu)架。而電子、光電子和光材料是信息功能材料的主體。他首先引用了原國際晶體生長主席、：“單晶肯定將繼續(xù)從電子學(xué)的研究和技術(shù)中起著中心作用。經(jīng)濟(jì)優(yōu)點(diǎn)：高回報，因需要單晶硅、多晶硅的領(lǐng)域越來越寬廣，全球?qū)Ξa(chǎn)品的需求量也越來越大，因此該產(chǎn)品市場前景較好，高檔多晶硅的價格行情看漲。但我國科技人員正迎頭趕上，于1998年成功地制造出了12英寸單晶硅，標(biāo)志著我國單晶硅生產(chǎn)進(jìn)入了新的發(fā)展時期。中國硅材料戒嚴(yán)與日本同時進(jìn)步，但總體而言，生產(chǎn)技術(shù)水平仍然相對較低，目前年產(chǎn)100—200噸，僅占全球總產(chǎn)量的1%—2%，、5英寸硅錠和小直徑硅片。預(yù)計(jì)到2008年，12英寸硅片可以進(jìn)入商業(yè)化生產(chǎn)階段。例如，%，%，%，%，人們預(yù)計(jì)到2000年，硅片消耗量可能比1997年上升60%，但是小直徑的硅片尤其是6英寸以下硅征會逐步減少，預(yù)計(jì)4英寸以下硅征可能占19%，%，%，%，%。單晶硅的制造技術(shù)，在保證半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的前提下，向來根據(jù)硅片的直徑大小評價其技術(shù)水平。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用最廣。目前晶體直徑可控制在Φ36英寸。目前晶體直徑可控制在Φ38英寸。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽電池片，可提高材料利用率和方便組裝。有