【正文】 應求的短缺局面。我國太陽電池應用領域在不斷擴大，已涉及農(nóng)業(yè)、牧業(yè)、林業(yè)、交通運輸、通訊、氣象、石油管道、文化教育及家庭電源等諸多方面，光伏發(fā)電在解決偏僻邊遠無電地區(qū)供電及許多殊場合用電上已起到引人注目的作用。一方面表現(xiàn)在太陽電池應用技術(shù)研究不夠，產(chǎn)業(yè)化進程緩慢，另一方面由于中國半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，拉動了對拋光硅片需求的快速增長，國內(nèi)生產(chǎn)遠遠無法滿足市場的需求，拋光硅片需要大量的進口。單晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對國外技術(shù)的依賴性較高，技術(shù)風險和市場風險較大，甚至影響到國家經(jīng)濟安全。三、項目建設的可行性該項目建設符合國家產(chǎn)業(yè)政策要求國家發(fā)展和改革委員會第40號令，發(fā)布了《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導目錄（2005年本）》。國民經(jīng)濟和社會發(fā)展十一五規(guī)劃精神，符合經(jīng)濟開發(fā)區(qū)入園企業(yè)條件。經(jīng)濟開發(fā)區(qū)對該項高度重視，全力支持該項目的上馬建設。因此，從總體上看，該項目是可行的。在地殼中，硅的含量僅次于氧，居第二位，%。元素硅的原子結(jié)構(gòu)和化學性質(zhì)與元素碳很相似，單質(zhì)硅是重要的合金和半導體原料。單晶硅是由許多硅原子以金剛石晶格結(jié)構(gòu)排列成晶核長成晶面取向相同的晶粒并平行結(jié)合變成單晶硅。硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀科學家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。硅材料因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。硅的主要用途是取決于它的半導體性。目前世界年產(chǎn)量約為3106千克。由于當前信息工程的發(fā)展，硅主要用于微電子技術(shù)。如果1平方米鋪滿硅太陽能電池，就可以得到100W電力。美國的大型航天器太空實驗室上就安裝有4塊太陽能電池帆板，它們是由147840塊8平方厘米大小的單晶硅太了腎電池排列組成的，發(fā)電功率大約為12KW。本世紀50年代以來，隨著半導體工業(yè)的需要而迅速發(fā)展。多晶硅、單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟和國防科技中各個領域，當今全球超過2000億美元的電子通訊半導體市場中95%以上的半導體器件及99%以上的集成電路用硅。單晶硅太陽電池。這種太陽電池以高純的單晶硅棒為原料，％。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過復拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽電池片，可提高材料利用率和方便組裝。現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化最快的。（二）主要技術(shù)規(guī)范和一般工藝過程單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅太陽電池：單晶硅太陽電池是當前開發(fā)最快的一種太陽電池，它的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應用的太陽電池等采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。 　　多晶硅太陽電池：目前太陽電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅材料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約12％左右，稍低于單晶硅太陽電池，但其材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產(chǎn)品。外延片主要用于集成電路領域。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。硅片的直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場前景，價值也就越高?，F(xiàn)在，硅片直徑正從5英寸迅速升級，12英寸硅片技術(shù)正日益成熟。日本、美國和德國是主要的硅材料生產(chǎn)國。中國消耗的大部分集成電路及其硅片仍然依賴進口。（三）產(chǎn)品運營條件及經(jīng)濟優(yōu)點 ： 　?。?）高電耗，其生產(chǎn)過程中電價占整個成本的30%左右； 　　高投入，建一家年產(chǎn)1000噸的多晶硅工廠，；（2）高技術(shù)，國內(nèi)外技術(shù)差別較大，目前國內(nèi)生產(chǎn)技術(shù)還比較落后，如果依靠國外先進技術(shù)建本項目，能夠降低成本，提高產(chǎn)品的產(chǎn)量和質(zhì)量。 　二、市場需求分析和預測市場需求初步預測和生產(chǎn)能力分析山東大學蔣民華院士作了題為“電子材料光子材料和人工晶體的發(fā)展”，他從歷史和現(xiàn)實情況出發(fā)，密切結(jié)合當前科學技術(shù)的發(fā)展，提出了對新世紀人工晶體的展望?！笔聦嵶C明，盡管經(jīng)過科學技術(shù)飛速發(fā)展的四分之一個世紀，當前社會已全面進入了以計算機、通信和光網(wǎng)絡等以信息技術(shù)為代表的信息時代，光子繼電子以后也成了信息的主要載體。斗導體單晶作為電子材料的主體，隨著集成電路尺寸的縮小、集成度的進高及芯片面積的增大，對硅單晶的尺寸完整性及生長提出了更高的要求，單晶仍然是今天電子材料的主角。在電子材料、光子材料、光子材料之間沒有清楚的界面，隨著微光子技術(shù)的發(fā)展，光子材料也會逐步的成熟起來，人工晶體在目前電子光子材料中仍然起著重要的作用。（1）市場需求分析作為光電子及信息產(chǎn)業(yè)的基礎材料和太陽能板及光伏電池的核心材料 ，單晶硅產(chǎn)品被廣泛的應運于計算機芯片（IC）、能源、航天、電子、微電子等各個領域，具有非常廣闊的產(chǎn)業(yè)前景。晶硅、單晶硅主要用于制作電力電子行業(yè)所需的大功率元件、紅外探測器件、太陽能電池、半導體元件等領域。隨著國家經(jīng)濟實力的發(fā)展，如舊電網(wǎng)的改造，新電網(wǎng)的建設，電力機車的提速等基礎設施投資將會加大力度，與之相應的電力電子元件及裝置需求將有一個大幅度增長，多晶硅、單晶硅市場前景廣闊。到2003年，單晶硅年需量將超過50噸。從經(jīng)濟和生產(chǎn)實際需要看，只要工藝可行，硅片直徑越大，越能滿足市場需要。由于我國多晶硅生產(chǎn)技術(shù)相當落后，生產(chǎn)不斷萎縮，目前國內(nèi)多晶硅產(chǎn)量還不足100噸，%，與國際先進水平比至少落后15年以上。單晶硅平均年增長率達22%以上。我國多晶硅工業(yè)起步于50年代，到了70年代曾一度盲目發(fā)展，企業(yè)發(fā)展到20余家。據(jù)預測，按國內(nèi)單晶硅生產(chǎn)的需求計算，2000年國內(nèi)多晶硅需求量為750噸，缺口約為700噸，到2010年國內(nèi)多晶硅需求將達1300噸，如果沒有新建的多晶硅企業(yè)，需求缺口將更加巨大。截止到2004年底，中國擁有已投產(chǎn)的12英寸生產(chǎn)線1條，8英寸生產(chǎn)線9條，6英寸生產(chǎn)線6條。%的增長。 此近年來，中國單晶硅需求量明顯穩(wěn)步增長，增長的原因是一方面來自國際上對低檔和廉價硅材料需求的增加。為了滿足這種巨大的需求，國內(nèi)外廠家紛紛在中國建立和準備建立晶片和IC生產(chǎn)線。在硅單晶拉制和硅片加工方面，硅單晶主流產(chǎn)品是100150m，也建立了直徑100150mm的硅片生產(chǎn)線。中國的有研硅股和峨嵋半導體材料廠有200mm直拉硅單晶的生產(chǎn)能力，浙大海納在寧波投資建立200mm直拉硅單晶生產(chǎn)廠。 中國半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，拉動了對拋光硅片需求的快速增長，國內(nèi)生產(chǎn)遠遠無法滿足市場的需求，拋光硅片需要大量的進口。單晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展依靠國外的事實不能長期下去，為了改變這樣的境地，國內(nèi)企業(yè)應走“產(chǎn)、學、研”之路，加強與高等院校、科研院所的合作，因為國內(nèi)很多的技術(shù)成果掌握在科研單位里，通過將這些技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化，降低企業(yè)成本，提高產(chǎn)品質(zhì)量，獲得客戶認可，進而切入國內(nèi)6英寸和8英寸材料市場，改變依靠國外硅片生產(chǎn)的現(xiàn)狀。生產(chǎn)多晶硅的只有四川峨眉、河南洛陽兩家。三、企業(yè)市場競爭態(tài)勢分析政策優(yōu)勢。技術(shù)優(yōu)勢。管理和資本優(yōu)勢（1）公司已按最優(yōu)經(jīng)營體制組建了一個由專家型領導人參加的企業(yè)管理階層。（2）項目前期工作進展迅速，截至2009年8月，項目已完成廠區(qū)總體規(guī)劃設計，其中包括電力給排水系統(tǒng)、 水循環(huán)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、消防系統(tǒng)、園林、道路、倉儲、辦公等。累計完成投資達4000萬元。第四章 場址選擇（一）項目選址的原則符合國家、地區(qū)和城鄉(xiāng)規(guī)劃的要求。節(jié)約項目用地，盡量不占或少占農(nóng)田。注意環(huán)境保護，以人為本，減少對生態(tài)和環(huán)境的影響。公用工程聯(lián)接方便（如各種管網(wǎng)系統(tǒng)）等。第五章 建設內(nèi)容和規(guī)模及產(chǎn)品方案一、確定方案的依據(jù)和原則（一）確定建設方案的一般原則符合產(chǎn)業(yè)政策。針對市場需求。專業(yè)化協(xié)作。資源綜合利用。環(huán)境保護?？紤]原材料燃料供應。適應技術(shù)設備條件。對生產(chǎn)、包裝、運輸、儲存有特殊要求的，應考慮滿足這些要求。分三期完成項目設計規(guī)劃，達到完全生產(chǎn)設計能力。第二期建設完成高規(guī)格硅拋光正片進口切片機4臺套生產(chǎn)線，生產(chǎn)用廠10000平方米及設備、監(jiān)測系統(tǒng)和相關(guān)配套設施。本項目一期達到設計能力的100%時，年產(chǎn)350噸單晶硅棒。其中一期建設1幢為10000平方米。總的公輔工程量是：（1）電：（工業(yè)用電）；變壓器1600KV/A四臺、630KV/A一臺；高壓柜6臺、低壓柜28臺。氣：專用氬氣站一座。景觀、廣場5000平方米左右。（5）亮化：草皮燈、路燈、景觀燈等若干。圍墻：全長1300米；26臺紅外監(jiān)近代探頭。（8）環(huán)保：沈陽環(huán)境科學研究所出具的環(huán)評報告。（二）設備購置主要設備選型的原則和技術(shù)要求（1）主要設備選型的原則應與項目建設規(guī)模、產(chǎn)品方案和技術(shù)方案相適應，滿足項目的要求，可獲得最大出力。（3）提高連續(xù)化、大型化、自動化程度，降低勞動強度，提高勞動生產(chǎn)率。（5）強調(diào)設備的可靠性、成熟性，保證生產(chǎn)和質(zhì)量穩(wěn)定。（7）在滿足機械功能和生產(chǎn)過程的條件下，力求經(jīng)濟合理，不僅要引進先進設備，盡可能立足于國內(nèi)，搞好配套。方案的確定《單晶硅棒、太陽能板項目》的設備購置按照項目的總體設計規(guī)劃，共分三期完成生產(chǎn)配套設備的投放，一期主要購置設備為單晶硅棒生產(chǎn)用JDR800型晶體生長爐，單晶爐50臺套及相應的監(jiān)測和配套設施。購置設備620臺/套，其中一期購置50臺套，5500萬元。（2）生產(chǎn)綱領年產(chǎn)各種規(guī)格型號的單晶硅棒350噸。這些參數(shù)在單晶成型后即定型，無法在此后的加工中進行改變。本項目產(chǎn)品單晶硅棒的直徑主要執(zhí)行6英寸、8英寸、12英寸（300毫米），在三期工程建設完成后，再研制大尺寸的單晶硅棒產(chǎn)品。第六章 項目工程技術(shù)方案　一、土建工程方案選擇（一）工程方案選擇的基本要求滿足生產(chǎn)使用功能要求。適應已選定的場址。符合工程標準規(guī)范要求。經(jīng)濟合理。本項目屬技術(shù)改造項目，應合理利用現(xiàn)場地、設施，并力求新增的設施與原有設施相協(xié)調(diào)。鋼混全框架結(jié)構(gòu)，鋼構(gòu)屋面。（2）水、電、氣的管網(wǎng)連接：按技術(shù)規(guī)范要求施工。設備安裝就位，應符合設備安裝工程施工及驗收規(guī)范要求，然后組織試運行生產(chǎn)，把安全第一，保證質(zhì)量放在重要地位。B、檢測手段包括試車前、運轉(zhuǎn)時檢測及運轉(zhuǎn)一段時間后再進行復查等手段。工藝技術(shù)的先進性單晶硅制備（拉單晶）是在專用設備——單晶爐內(nèi)進行，單晶爐內(nèi)配備適合晶體生長的高純石墨熱系統(tǒng)。將單晶硅棒切成片。加工太陽電池片，首先要在硅片上摻雜和擴散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。這樣就硅片上形成P/FONT＞N結(jié)。因此，單晶硅太陽電池的單體片就制成了。最后用框架和裝材料進行封裝。目前單晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15%左右，實驗室成果20%以上。四、總圖布置方案（一）總平面布置總圖布置原則和技術(shù)要求：（1）新廠區(qū)內(nèi)交通運輸便捷。（2）各種動力設施盡量靠近負荷中心，以縮短管線，節(jié)約能源。（4）建（構(gòu)）筑物的布置符合防火、衛(wèi)生規(guī)范及各種安全規(guī)定和要求，滿足地上、地下工程管線的敷設、綠化布置以及施工的要求。（二）豎向布置：保證土方工程量最小，并盡量使填挖量達到或接近平衡。保證廠區(qū)內(nèi)交通方便，防火間距要滿足最小防火間距要求。主要任務是使廠區(qū)管線之間以及管線與建筑物、道路及環(huán)衛(wèi)、綠化設施之間在平面和豎向上相互協(xié)調(diào)，既滿足施工、檢修、安全等要求，又貫徹節(jié)約用地原則。給水管、排水管、煤氣管、電力電纜、電訊電纜采用地下埋設，埋設深度應大于各種管線的最小覆土深度。地下管線最小水平凈距表單位：米序號管線名稱1234567建筑物給水管排水管煤氣管電力電纜電信電纜道路邊石1建筑物基礎邊緣2給水管3排水管4煤氣管5電力電纜6電信電纜7道路邊牙石（四）廠區(qū)照明：廠區(qū)照明的設計原則是保證照明供電安全可靠，照明的照度、均