【正文】
? 74/54VHC/VHCT系列 ? 74/54LVC/ALVC系列 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 系列 Tpd ( ns) IOL( max)( mA) Cpd ( pF) 備注 74HC 9 4 20 高速 CMOS系列 74HCT 14 4 20 與 TTL兼容系列 74LVC 24 8 低壓高速 CMOS 74ALVC 2 24 改進(jìn)的低壓高速CMOS 各種系列 CMOS電路 74 00特性參數(shù)比較 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 NPN PNP TTL門(mén)電路 雙極型三極管的開(kāi)關(guān)特性 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 ( 1)輸入特性 開(kāi)啟電壓 硅 — ? 鍺 — ? 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 ( 2)輸出特性 VCE( sat) ? ic?0 截止區(qū) — VBE 飽和區(qū) — VBE, VCE 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 開(kāi) 當(dāng) VBE VON = V時(shí) , 當(dāng) VBE V時(shí),產(chǎn)生: ?? I O NBBVViR?? ? ? ? ?O C E C C C C C C B CV V V i R V i R關(guān) I B C OV i i V? ? ? ? ? ? ?02??() .O C E s a tV V V截止區(qū) vO=VOH ≈Vcc 放大區(qū) 飽和區(qū) 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 圖解分析法: ? ?02???????()()()().O C E satC C C E satB B S atC C E satV V VVViiRR飽和區(qū): 臨界飽和基極電流 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 截止?fàn)顟B(tài) 飽和導(dǎo)通狀態(tài) VBE 07 ?? ? ?()., CCB E B B s a tCVV V i iR幾 Ω~幾十 Ω ~ 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 接入負(fù)壓保證 T可靠截止 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 53 .60 .20 .7CCIHILONVVVVVVP N V V????結(jié) 導(dǎo) 通 壓 降0 2 01. ( )()I I LO O HV V V AV V Y? ? ???3 6 10. ( )()I I HO O LV V V AV V Y? ? ??? TTL反相器 輸入級(jí) 倒相級(jí) 輸出級(jí) 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 工作狀態(tài)分析 DOHR2D2B E 3R2CCOH2342B11IL???????VvVvvVVTTTvTV,得到忽略導(dǎo)通、截止,、=+=導(dǎo)通時(shí),=數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 截止導(dǎo)通,不變,導(dǎo)通,輸出、以后,=至?xí)r=32B1IOL42B1B1IIH ,TTvvVTTvvvV?????工作狀態(tài)分析 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 TTL反相器的工作原理 VI/v T1 T2 T4 T3 Vo/v 導(dǎo)通 截止 導(dǎo)通 倒置 導(dǎo)通 截止 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 電壓傳輸特性 截止區(qū) 線性區(qū) 轉(zhuǎn)折區(qū) 飽和區(qū) 閾值電壓 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 —— 以反相器 SN7404為例 mA1 104/)( /)(31ILB E 1CCILILI?????????????RVvVIVV 時(shí),當(dāng)A40,I H ( m ax )IH1B1IHI???????IITvVV非常小輸入電流小于處于“倒置”狀態(tài),時(shí),當(dāng)數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 1)高電平輸出特性 當(dāng) VO=VOH時(shí), T4和 D2導(dǎo)通, T5截止,輸出端的等效電路可以畫(huà)成如下形式: 由于受到功耗的限制, 74系列門(mén)電路運(yùn)用條件規(guī)定:輸出為高電平時(shí),最大負(fù)載電流 IOH不能超過(guò) 。 ②輸入端接大電容時(shí)。 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 2. 輸入電路的過(guò)流保護(hù) 由于輸入保護(hù)電路中的鉗位二極管電流容量有限,一般為 1mA,所以在可能出現(xiàn)如下較大電流的場(chǎng)合必須在輸入端接入保護(hù)電阻來(lái)限制輸入端電流。操作人員的服裝和手套等應(yīng)選用無(wú)靜電的原料制作。 注意下面幾點(diǎn): ①在儲(chǔ)存和運(yùn)輸 CMOS器件時(shí)不要使用易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料和化工織物包裝,最好采用金屬屏蔽層作包裝材料。 C vI vo RL ? 當(dāng) C=1時(shí),開(kāi)關(guān)接通,輸出電壓為 ITGLLO VRRRV??? 電壓傳輸系數(shù) KTG為 TGLLIOTG RRRVVK???模擬開(kāi)關(guān) 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 四、 三態(tài)輸出的 CMOS門(mén)電路 )(10高阻時(shí),時(shí),ZYNEAYNE???????1. 電路結(jié)構(gòu) 結(jié)論: 輸出端有三種可能出現(xiàn)的狀態(tài):高阻態(tài)、高電平、低電平 ,故稱(chēng)三態(tài)門(mén)。 D D O HP P ( m a x )O H LVVRRn I I????數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 輸出低電平時(shí): D D O LL O L ( m a x )PVVIIR??? 為保證流入 OD門(mén)的 IOL不能超過(guò) IOL( max) , RP不能太小。 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 瞬時(shí)導(dǎo)通功率 PT 瞬時(shí)導(dǎo)通功率 PT=CPD f V2DD 其中 CP