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隧穿場(chǎng)效應(yīng)管的特性分析及仿真開題報(bào)告-文庫(kù)吧資料

2025-01-25 00:36本頁(yè)面
  

【正文】 化)。(b)開態(tài):Vs=0V,Vg=Vd0。nTFET沿著水平溝道方向的能帶示意圖。Vg使溝道的能帶降低,當(dāng)源區(qū)(p+區(qū))的價(jià)帶高于溝道(i區(qū))導(dǎo)帶而且勢(shì)壘變薄時(shí),源區(qū)價(jià)帶的電子可以通過帶間隧穿進(jìn)入到溝道的導(dǎo)帶。p+in+結(jié)構(gòu)處于反偏狀態(tài),但是源區(qū)勢(shì)壘寬度很寬,此時(shí)沒有帶間隧穿發(fā)生,nTFET處于關(guān)態(tài)。漏極電壓用Vd表示,柵極電壓用Vs表示,柵極電壓用Vg表示。所以對(duì)于n型TFET來說,p+區(qū)是源區(qū),i區(qū)是溝道區(qū),n+區(qū)是漏區(qū)。它通過柵極電壓的變化調(diào)制i區(qū)的能帶來控制器件的電流。TFET示意圖,其中tox表示柵介質(zhì)的厚度,tsi表示體硅的厚度。pn結(jié)在反偏狀態(tài)下,當(dāng)n區(qū)導(dǎo)帶中某些未被電子占據(jù)的空能態(tài)與p區(qū)價(jià)帶中某些被電子占據(jù)的能態(tài)具有相同的能量,而且勢(shì)壘區(qū)很窄時(shí),電子會(huì)從p區(qū)價(jià)帶隧穿到n區(qū)導(dǎo)帶。tunneling或者BTBT)。FieldEffect2. 隧穿場(chǎng)效應(yīng)管工作原理在傳統(tǒng)MOSFET中,載流子從源極越過pn結(jié)勢(shì)壘熱注入到溝道中
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