數(shù)字電子基礎(chǔ)ttl和cmos門(mén)電路-文庫(kù)吧資料
2025-05-23 11:13本頁(yè)面
【正文】 A B F Input Output F=A+B F + A B R A B F 1 0 截止 飽和“0” +VCC VBB A RK RB RC F VT 真值表 Input Output A F 1 0 “1” “1” “0” 三極管非門(mén) 1 A F 邏輯函數(shù) ： F=A TTL 非門(mén) (74x) =5V VIH= VIL= TTL 非門(mén) (74x) =5V ILI Vv ? 負(fù)載電流 VVVVVVVvRDBERCCOHO 2242??????????TTL 非門(mén) (74x) =5V IHI Vv ? VVv OLO ~??TTL 非門(mén) (74x) 傳輸特性曲線 測(cè)試電路 amp。本章內(nèi)容 二極管 三極管 TTL門(mén)電路 MOS管 CMOS門(mén)電路 南京大學(xué)金陵學(xué)院 — 肇瑩 Diode ? The structure of Silicon and Germanium atom 二極管 硅和鍺半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu) +4 +4 +4 +4 純凈的硅或鍺半導(dǎo)體 二極管 價(jià)電子 純凈半導(dǎo)體又叫“本征半導(dǎo)體” +4 +4 +4 +4 自由電子 空穴 共價(jià)鍵中的電子 二極管 在純凈半導(dǎo)體中，電子和 空穴是成對(duì)出現(xiàn)的 純金半導(dǎo)體中的電流非常小， 大概 109A) 成為正離子 N型半導(dǎo)體 多數(shù)載流子是電子 少數(shù)載流子空穴的濃度與溫度有關(guān) 多數(shù)載流子的濃度與溫度無(wú)關(guān) +4 +4 +4 +4 +5 多余電子 磷 磷稱(chēng)作“施主雜質(zhì)” +4 +4 +4 硼 空穴 負(fù)離子 P型半導(dǎo)體 多數(shù)載流子是空穴 少數(shù)載流子電子的濃度與溫度有關(guān) 多數(shù)載流子空穴的濃度與溫度無(wú)關(guān)，與摻雜濃度有關(guān) 少數(shù)載流子電子 +4 +3 硼是受主雜質(zhì) － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半導(dǎo)體 摻雜的半導(dǎo)體處于電中性狀態(tài) 摻雜的半導(dǎo)體稱(chēng)作“非本征半導(dǎo)體” － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － p + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + n 耗盡層 空穴漂移 電子漂移 空穴擴(kuò)散 電子擴(kuò)散 閾值 二極管的 V— I特性曲線 正向偏置 反向偏置 擊穿電壓 雪崩擊穿 P N + IVSIP N + )1( ?? TDVSD eII ?陽(yáng)極 陰極 DV??TT??鍺半導(dǎo)體的開(kāi)啟電壓硅半導(dǎo)體的開(kāi)啟電壓R VD On On Off K R R K Off 二極管的開(kāi)關(guān)特性曲線 二極管的動(dòng)態(tài)特性 R VD On Off Vi t t 39。Li 理想狀態(tài)下 t Li 實(shí)際上 三極管的工作狀態(tài) 飽和 : ?? CCCCSBSBSbBE RVIIIiVV ???? ,截止 VVVV C E SB E S , ???VV BE ?CCCECB VViI ??? ,0,0OViVC
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