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正文內(nèi)容

數(shù)字電子技術(shù)門電路-文庫吧資料

2025-05-05 08:29本頁面
  

【正文】 amp。 1 amp。 amp。 amp。 i 輸出特性 拉電流負(fù)載 (輸出高電平有效 ) IOH IOH —輸出高電平電流 (拉電流 400?A) 灌電流負(fù)載 (輸出低電平有效 ) IOL IOL—輸出低電平電流 (灌電流 16mA) ―0‖ ―1‖ F R 1 ―0‖ ―1‖ F +5V R 1 電壓傳輸特性 Vi 1 F A Vo +5V R uo /V 1 2 3 4 ui /V 0 1 2 UOH UOL UOHmin Uff Uon—開門電平 (輸出低電平的最大值 ≤ ) U0Lmax Uon Uff—關(guān)門電平 (輸 出 高電平的最小值 ≥ ) ui uo UOH UOL 理想化 UT UT —閾值電壓 (門檻電平 ) UT= 三、門電路級聯(lián): 前一個器件的輸出就是后一個器件的輸入,后一個是前一個的負(fù)載,兩者要相互影響。 Roff —關(guān)門電阻, Ri Roff(), ui為低電平。 P N PN 結(jié) 內(nèi)電場 IS 外電場 在一定的溫度條件下,由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的,故少子形成的漂移電流是恒定的,基本上與所加反向電壓的大小無關(guān),這個電流也稱為反向飽和電流 IS 。 內(nèi)電場 內(nèi)電場 IF 正向?qū)? 內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙增強,擴散電流大大減小。于是,內(nèi)電場對多數(shù)載流子擴散運動的阻礙減弱,擴散電流加大。 邏輯電平不是物理量,而是物理量的相對表示。 CMOS電路應(yīng)用較普遍 , 不但適合通用邏輯電路的設(shè)計 , 而且綜合性能最好 。 ? 集成注入邏輯電路 I2L(Integrated Injection Logic) TTL電路 的“性能價格比”佳,應(yīng)用廣泛。結(jié)構(gòu)簡單、制造方便、集成度高、功耗低,但速度較慢。第三章 門電路 導(dǎo)論 分立元件門電路 TTL門電路 其它類型 TTL門電路 CMOS邏輯門 導(dǎo)論 邏輯門電路的分類: ? 分立元件 ? 集成邏輯門電路 ? 雙極型 —— ? MOS—— 按所采用的半導(dǎo)體器件進行分類 采用雙極型半導(dǎo)體器件作為元件 ,速度快、負(fù)載能力強,但功耗較大、 集成度較低。 采用金屬 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管作為元件。 雙極型集成電路又可進一步可分為: ? DTL ? 晶體管 晶體管邏輯電路 TTL(Transistor Transistor Logic); ? 發(fā)射極耦合邏輯電路 ECL(Emitter Coupled Logic)。 MOS集成電路又可進一步分為: ? PMOS( Pchannel Metel Oxide Semiconductor); ? NMOS(Nchannel Metel Oxide Semiconductor); ? CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor)。 小規(guī)模集成電路( SSI) 0~9個二輸入門 中規(guī)模集成電路( MSI) 10~99個門 大規(guī)模集成電路( LSI) 100~10000門以上 超大規(guī)模集成電路( VLSI) 超過 10000個門 按集成電路規(guī)模的大小進行分類 數(shù)字集成電路 兩大類工藝
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