等離子刻蝕工藝原理介紹-文庫吧資料
2025-05-22 03:34本頁面
【正文】 h各氣體作用 M a t e r i a l F e e d G a s e s C o m m e n t sA l u m i n u m o rA l u m i n u m A l l o yB C l 3 / C l 2 C l e t c h e s A l ,B i m p r o v e s p a s s i v a t i o nN 2 / C H F 3 I m p r o v e p r o f i l e c o n t r o l , s i d e w a l lp a s s i v i a t i o n , C H F 3 f o r 0 . 2 5 u mt e c h n o l o g yAr R e m o v e S i , C u a n d T i N r e s i d u eS F 6 W e t c h a n tSIO2 Etch平衡圖 氣體 Wafer溫度 RF 功率 壓力 (磁場 ) 物理 化學(xué) 離子轟擊 Ar+ 化學(xué)腐蝕 F* 化學(xué)淀積 CF2(+PR) 腐蝕 淀積 SIO2/SiN Etch各氣體作用 M a t e r i a l F e e d G a s e s C o m m e n t sS i O 2 o r S i N C H F 3 / C F 4 S t a n d a r d e t c h g a s , C F 4e t c h a n t , C H F 3 g i v e m o r ep o l y m e r , i m p r o v e s e l t o S iC H 3 F / O 2 I n c r e a s e S e l S i N t o S i O 2Ar B o m b a r d m e n tS F 6 / O 2 S i N e t c h a n t , i s o t r o p i c , O 2i m p r o v e s e l t o S i O 2C 4 F 8 / C O I n c r e a s e S e l S i O 2 t o S i NF/C比率和 Polymer的形成 C 2 F 4 C 4 F 10 C 2 F 6 CF 4 ETCHING POLYMERIZATION O 2 ADDITION H 2 Addition 1 2 3
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鄂ICP備17016276號-1