【正文】 ?，F(xiàn)在的超大規(guī)模集成芯片已經(jīng)向系統(tǒng)級芯片的方向 發(fā)展，F(xiàn)PGA以經(jīng)可以達到ASIC的水平（如XILINX的V2 pro），所以工程師們有了更大發(fā)揮空間。眾 所周知，模擬人才要靠實踐經(jīng)驗的積累，而現(xiàn)在的學生模擬電子線路方面都很差（比于數(shù)字電路），所以這方面的人才很受歡迎，需要提及的在甚高頻，微波更高頻 率方面的人才就更缺乏了，這在全球都是。模 擬和數(shù)字都是有發(fā)展方向的。當然會有人說這是“魚和熊掌兼得了，不實際。至于如何側(cè)重，實際情況非常復雜，就不說了。在學習階段，不要隨意偏廢。同樣，只會數(shù)電，怎樣設(shè)計出好的板子來，實在難以想象。各位可有同感？說“搞數(shù)電的比模電賺錢”，倒是一種誤會。何況許多人的成就都不一定是在自己原有的專業(yè)上取得而是在知識重新取向后取得的。不過，不會一點軟件也做不成什么好的 硬件。4)、我的看法不可割裂知識間的聯(lián)系時 下流行的說法是“現(xiàn)在搞數(shù)電的比模電賺錢，搞軟件的比硬件的?！?。最后，有一個關(guān)于測試的問題，這是與數(shù)字很不同的：使用標準儀器時，要求你預熱xx小時后再做。在邏輯關(guān)系上，它通常是定量的；在相互關(guān)系問題上，它通常是與干擾(電干擾、電磁干擾、溫濕度干擾、漂移、絕緣、電泄漏等)做斗爭的、考驗人們意志的“戰(zhàn)斗”，這恐怕是真正的難處所在。這就象一家之主，什么都要你管，再煩也沒有辦法！模電大體可以認為是去解決信號與干擾之間矛盾的問題。模電作為全局的知識和技能與要求。這些問題的解決，決不是數(shù)字功夫到 家就能解決的，必須建立在適當?shù)哪M功底為基礎(chǔ)的下進行。這些 都是模擬所要解決的問題。模擬則遠不止于此，特別是一個系統(tǒng)的電磁兼容，是極其重要的。說簡單點，是個基本功問題。從這點上看，電路設(shè)計軟件分成logic(schematic)和 PCB“兩個部分”不無道理。原因在于追求布線簡練，這看上去似乎不是什么事，其實這是模 擬所要解決的電磁兼容問題。但到PCB設(shè)計時，就得看你的模電功夫和耐心了。一般 來說，數(shù)字電路設(shè)計做好數(shù)字邏輯就差不多了，剩下和問題就交給模擬去辦了。第五篇：模電,數(shù)電學習心得要回答這個問題，首先要弄清數(shù)電與模電的根本區(qū)別到底在哪。學習過程中一定要細心、大膽，有耐心及毅力；還有一點就是在公式推導中有不少地方用到近似的思想，這讓一些習慣用等號或是全等號的同學感到不習慣，但是不用擔心，多訓練就會慢慢適應的。設(shè)計過程中免不了通過計算機進行輔助設(shè)計，因此不提倡在思維混亂的狀態(tài)下學習。其實仔細想想，這兩門課還是有所區(qū)別的，各自的側(cè)重點都有所不同。古人云“學而時習之，不亦悅乎”，個人覺得有必要借幾本相關(guān)輔導書或習題集，這樣對課后學習會有很大幫助。其實不然，上課聽懂只能說明老師講的好，并不代表你學的好，更不能保證你會考的好，用的好。其實只要靜下心來，同時保證上課時精力充沛，嘗試著跟著老師的思路去思考，慢慢就會發(fā)現(xiàn)聽講的喜悅了。不適應老師上課的風格是上課不認真聽講的又一借口。一方面聽講可以知道內(nèi)容的重點，這樣下課自己看書的時候就比較有針對性，效率很高，知識點齊全，考試自然輕松；另一方面老師在課上會講到課本上沒有但又十分重要的知識和思路，而這些事自己看書根本不能得到的。大學上課的形式和高中很不一樣，一兩百人在一個大教師聽一個老師講課，而且老師上課的風格不一定符合自己，這個時候有的同學可能覺得聽課很沒意思，而且自己看書也能看懂，于是就不去認真聽講，而在課上開小差或是做其他事情。個人感覺模電應在數(shù)電之前學習，但當時課程安排恰好相反。模電側(cè)重于器件內(nèi)部物理過程的數(shù)學描述及放大器的應用，而數(shù)電則強調(diào)邏輯電路的設(shè)計及作用。交流指標有開環(huán)帶寬、單位增益帶寬、轉(zhuǎn)換速率SR、全功率帶寬、建立時間、等效輸入噪聲電壓、差模輸入阻抗、共模輸入阻抗、輸出阻抗。不一定全是“放大”，某些場合也可能是衰減（如：比例系數(shù)或傳遞函數(shù) K=Vo/Vi=1/10）。運放所傳遞和處理的信號，包括直流信號、交流信號，以及交、直流疊加在一起的合成信號。此處的“線性”是指 MOSFET 保持連續(xù)性的工作狀態(tài)，此時漏電流是所施加在柵極和源極之間電壓的函數(shù)。所謂開關(guān)模式，就是器件充當一個簡單的開關(guān)，在開與關(guān)兩個狀態(tài)之間切換。而且，MOSFET 的漏極和源極之間形成的寄生二極管可以充當箝位二極管，在電感性負載開關(guān)中特別有用。此外，MOSFET 具有并行工作能力，具有正的電阻溫度系數(shù)。其三，MOSFET 沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低。BJT 可能需要多達 20% 的額定集電極電流以保證飽和度，而 MOSFET 需要的驅(qū)動電流則小得多，而且通?？梢灾苯佑?CMOS 或者集電極開路 TTL 驅(qū)動電路驅(qū)動。學習時，可將 MOSFET 和 BJT 比較，就很容易掌握，功率 MOSFET 是一種高輸入阻抗、電壓控制型器件，BJT 則是一種低阻抗、電流控制型器件。IGFET 又稱金屬氧化物半導體管 MOSFET。有 N 溝道和 P 溝道兩種器件。比較器、ADC、DAC、電源、儀表、等等離不開運放。場效應管，包括最常見的MOSFET，在電源、照明、開關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見。然而其中的重點，應該是場管和運放。畢業(yè)多年后，回頭望，聊聊模電的學習，但愿對學弟學妹有點幫助。上學時老師教的知識，畢業(yè)時統(tǒng)統(tǒng)還給老師。對下拉電阻也有類似道理。對于高速電路,過大的上拉電阻可能邊沿變平緩。從確保足夠的驅(qū)動電流考慮應當足夠小。上拉電阻阻值的選擇原則包括:從節(jié)約功耗及芯片的灌電流能力考慮應當足夠大。管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。芯片的管腳加上拉電阻來提高輸出電平,從而提高芯片輸入信號的噪聲容限增強抗干擾能力。為加大輸出引腳的驅(qū)動能力,有的單片機管腳上也常使用上拉電阻。2當TTL電路驅(qū)動COMS電路時,如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路