【正文】 sw_pb14．電池：battery原理圖常用庫文件：Miscellaneous Dallas Intel Protel DOS Schematic PCB元件常用庫：General 部分 分立元件庫元件名稱及中英對照AND 與門ANTENNA 天線BATTERY 直流電源BELL 鈴,鐘BVC 同軸電纜接插件BRIDEG 1 整流橋(二極管)BRIDEG 2 整流橋(集成塊)BUFFER 緩沖器BUZZER 蜂鳴器CAP 電容CAPACITOR 電容CAPACITOR POL 有極性電容CAPVAR 可調(diào)電容CIRCUIT BREAKER 熔斷絲COAX 同軸電纜CON 插口CRYSTAL 晶體整蕩器DB 并行插口DIODE 二極管DIODE SCHOTTKY 穩(wěn)壓二極管DIODE VARACTOR 變?nèi)荻O管DPY_3SEG 3段LEDDPY_7SEG 7段LEDDPY_7SEG_DP 7段LED(帶小數(shù)點)ELECTRO 電解電容FUSE 熔斷器INDUCTOR 電感INDUCTOR IRON 帶鐵芯電感INDUCTOR3 可調(diào)電感JFET N N溝道場效應(yīng)管JFET P P溝道場效應(yīng)管LAMP 燈泡LAMP NEDN 起輝器LED 發(fā)光二極管METER 儀表MICROPHONE 麥克風(fēng)MOSFET MOS管MOTOR AC 交流電機MOTOR SERVO 伺服電機NAND 與非門NOR 或非門NOT 非門NPN NPN三極管NPNPHOTO 感光三極管OPAMP 運放OR 或門PHOTO 感光二極管PNP 三極管NPN DAR NPN三極管PNP DAR PNP三極管POT 滑線變阻器PELAYDPDT 雙刀雙擲繼電器 電阻 可變電阻RESISTOR BRIDGE ? 橋式電阻RESPACK ? 電阻SCR 晶閘管PLUG ? 插頭PLUG AC FEMALE 三相交流插頭SOCKET ? 插座SOURCE CURRENT 電流源SOURCE VOLTAGE 電壓源SPEAKER 揚聲器SW ? 開關(guān)SWDPDY ? 雙刀雙擲開關(guān)SWSPST ? 單刀單擲開關(guān)SWPB 按鈕THERMISTOR 電熱調(diào)節(jié)器TRANS1 變壓器TRANS2 可調(diào)變壓器TRIAC ? 三端雙向可控硅TRIODE ? 三極真空管VARISTOR 變阻器ZENER ? 齊納二極管DPY_7SEG_DP 數(shù)碼管SWPB 開關(guān)其他元件庫Protel Dos Schematic 4000 （）4013 D 觸發(fā)器4027 JK 觸發(fā)器Protel Dos Schematic Analog （模擬數(shù)字式集成塊元件庫）AD系列 DAC系列 HD系列 MC系列Protel Dos Schematic （比較放大器元件庫）Protel Dos Shcematic （INTEL公司生產(chǎn)的80系列CPU集成塊元件庫）Protel Dos Schematic （線性元件庫）例555Protel Dos Schemattic Memory （內(nèi)存存儲器元件庫）Protel Dos Schematic （SY系列集成塊元件庫）Protes Dos Schematic （摩托羅拉公司生產(chǎn)的元件庫）Protes Dos Schematic （NEC公司生產(chǎn)的集成塊元件庫）Protes Dos Schematic Operationel （運算放大器元件庫）Protes Dos Schematic （晶體管集成塊元件庫 74系列）Protel Dos Schematic Voltage （電壓調(diào)整集成塊元件庫）Protes Dos Schematic （齊格格公司生產(chǎn)的Z80系列CPU集成塊元件庫）元件屬性對話框中英文對照Lib ref 元件名稱Footprint 器件封裝Designator 元件稱號Part 器件類別或標(biāo)示值Schematic Tools 主工具欄Writing Tools 連線工具欄Drawing Tools 繪圖工具欄部分分立元件庫元件名稱及中英對照Power Objects 電源工具欄Digital Objects 數(shù)字器件工具欄Simulation Sources 模擬信號源工具欄PLD Toolbars 映象工具欄。res1.....定值無極性電容；CAP定值有極性電容。引起軟誤差的根本原因是射線的電離效應(yīng)。電子元器件的封裝材料（如陶瓷管殼，作樹脂填充劑的石英粉等）中含有微量元素鈾等放射性物質(zhì)，它們衰變時會放出高能射線?！氨谆ㄐ?yīng)”“爆米花效應(yīng)”是指塑封元器件塑封材料內(nèi)的水汽在高溫下受熱膨脹，是塑封料與金屬框架和芯片間發(fā)生分層效應(yīng)，拉斷鍵合絲，從而發(fā)生開路失效。熱載流子的能量達(dá)到或超過SiSiO2界面勢壘的能量時，便會注入到SiO2中去，產(chǎn)生界面態(tài)、氧化層陷阱或被氧化層中陷阱所俘獲，由此產(chǎn)生的電荷積累引起元器件電參數(shù)不穩(wěn)定。它的擊穿機理，可以分為兩個階段：第一階段是建立階段，在高電場、高電流密度應(yīng)力的作用下，氧化層內(nèi)部發(fā)生電荷的積聚，積累的電荷達(dá)到某一程度后，使局部電場增高到某一臨界值；第二階段實在熱或電的正反饋作用下，迅速使氧化層擊穿，氧化層的壽命由第一階段中電荷的累計時間確定。無論是非本征擊穿還圮本征擊穿，按其本質(zhì)來看，則均可能歸結(jié)于電擊穿、熱擊穿或熱點反饋造成的熱電擊穿。自愈式擊穿是局部點擊穿后，所產(chǎn)生的熱量將擊穿點處的金屬蒸發(fā)掉，使擊穿點自行與其他完好的介質(zhì)隔離；毀壞性擊穿是金屬原子徹底侵入介質(zhì)層，使其絕緣作用完全喪失。過電壓場致失效是指高阻抗的靜電放電回路中，絕緣介質(zhì)兩端的電極因接受了高靜電放電電荷而呈現(xiàn)高電壓，有可能使電極之間的電場超過其介質(zhì)臨界擊穿電場，使電極之間的介質(zhì)發(fā)生擊穿失效，過電壓場致失效多發(fā)生于MOS元器件，包括含有MOS電容的雙極型電路和混合電路；過電流熱致失效是由于較低阻抗的放電回路中，由于靜電放電電流過大使局部區(qū)域溫升超過材料的熔點，導(dǎo)致材料發(fā)生局部熔融使元器件失效，過電流熱致失效多發(fā)生于雙極元器件，包括輸人用PN結(jié)二極管保護(hù)的MOS電路、肖特基二極管以及含有雙極元器件的混合電路。電子元器件由靜電放電引發(fā)的失效可分為突發(fā)性失效和潛在性失效兩種模式，突發(fā)性失效是指元器件受到靜電放電損傷后，突然完全喪失其規(guī)定的功能，主要表現(xiàn)為開路、短路或參數(shù)嚴(yán)重漂移；潛在性失效是指靜電放電電能量較低，僅在元器件內(nèi)部造成輕微損傷，放電后元器件的電參數(shù)仍然合格或略有變化，但元器件的抗過電應(yīng)力能力已明顯削弱，或者使用壽命已明顯縮短，再受到工作應(yīng)力或經(jīng)過一段時間工作后將進(jìn)一步退化，直至造成徹底失效。這種強電流一開始流動，即使除去外來觸發(fā)信號也不會中斷，只有關(guān)斷電源或?qū)㈦娫措妷航档侥硞€值以下才能解除，這種現(xiàn)象就是CMOS電路的閂鎖效應(yīng)。在C