【正文】 CAP半導體電容：CAPSEMI可調電容：CAPVAR：INDUCTOR：發(fā)光二極管：LED :NPN1：：:LAMP:OPAMP：DPY_7SEG_DP(MISCELLANEOUS )。當這些射線或宇宙射線照射到半導體存儲器上時，引起存儲數(shù)據(jù)位的丟失或變化，在下次寫入時存儲器又能正常工作，它完全是隨機的發(fā)生，隨意把這種數(shù)據(jù)位丟失叫軟誤差。表現(xiàn)為MOS元器件的閾值電壓漂移或跨導值降低，雙極元器件的電流增益下降，PN結擊穿電壓蠕變，使元器件性能受到影響，這就是熱載流子效應。 與時間有關的介質擊穿（TDDB)TDDB是影響MOS元器件長期可靠性的一種重要的失效機理，當對二氧化硅薄膜施加低于本征擊穿場強的電場強度后，經(jīng)過一段時間后會發(fā)生介質擊穿現(xiàn)象，這就是與時間有關的介質擊穿。 介質的擊穿機理介質擊穿，從應用角度可分為自愈式擊穿和毀壞性擊穿。 靜電損傷處于不同靜電電位的兩個物體間發(fā)生的靜電電荷轉移就形成了靜電放電，這種靜電放電將給電子元器件帶來損傷，引起產(chǎn)品失效。所謂閂鎖（latchup）是指CMOS電路中固有的寄生可控硅結構被觸發(fā)導通，在電源和地之間形成低阻大電流通路的現(xiàn)象CMOS電路的基本邏輯單元是由一個P溝道MOS場效應管和一個N溝道MOS場效應管以互補形式連接構成，為了實現(xiàn)N溝道MOS管與P溝道MOS管的隔離,必須在N型襯底內(nèi)加進一個P型區(qū)（P阱）或在P型襯底內(nèi)加進一個N型區(qū)（N阱），這樣構成了CMOS電路內(nèi)與晶閘管類似的PNPN四層結構，形成了兩個寄生的NPN和PNP雙極晶體管。 二次擊穿二次擊穿是指當元器件被偏置在某一特殊工作點時（對于雙極型晶體管，是指V平面上的一點），電壓突然跌落，電流突然上升的物理現(xiàn)象，這時若無限流裝置及其它保護措施，元器件將被燒毀。 過電應力電子元器件都在其參數(shù)指標中設定了使用時所能承受的最大應力，包括最高工作環(huán)境溫度或殼溫，最大額定功率，最大工作電壓、電流，峰值電壓，最大輸入、輸出電流、電壓等。 銀遷移在電子元器件的貯存及使用中，由于存在濕氣、水分，導致其中相對活潑的金屬銀離子發(fā)生遷移，導致電子設備中出現(xiàn)短路，耐壓劣化及絕緣性能變壞等失效。 柯肯德爾效應在AuAl鍵合系統(tǒng)中，若采用金絲熱壓焊工藝，由于在高溫（300攝氏度以上）下，金向鋁中迅速擴散。當金屬與電解質溶液接觸時，由電化學作用而引起的腐蝕叫做電化學腐蝕，其特點是形成腐蝕電池，電化學腐蝕過程的本質是腐蝕電池放電的過程，在這個過程中，金屬通常作為陽極，被氧化而腐蝕，形成金屬氧化物，而陰極反應則跟據(jù)腐蝕類型而異，可發(fā)生氫離子或氧氣的還原，析出氫氣或吸附氧氣。 金屬的腐蝕當金屬與周圍的介質接觸時，由于發(fā)生化學反應或電化學作用而引起金屬的破壞叫做金屬的腐蝕。 表面離子沾污在電子元器件的制造和使用過程中，因芯片表面沾污了濕氣和導電物質或由于輻射電離、靜電電荷積累等因素的影響，將會在二氧化硅氧化層表面產(chǎn)生正離子和負離子，這些離子在偏壓作用下能沿表面移動。在一定溫度下，金屬薄膜中存在一定的空位濃度，金屬離子熱振動下激發(fā)到相鄰的空位，形成自擴散。結穿刺經(jīng)常導致PN結短路失效。.2結穿刺（結尖峰）結穿刺即指PN結界面處為一導電物所穿透。確定電學、金屬學、化學及電磁學方面的機理。元器件的失效物理模型大致分為反應論模型、應力強度模型、界限模型、耐久模型、積累損傷（疲勞損傷）?？傮w來說，電子元器件的失效主要是在產(chǎn)品的制造，試驗，運輸，儲存和使用等過程中發(fā)生的。另外，為了得到一個成功的失效分析結果，避免犯一些常見的錯誤，所有可能涉及失效現(xiàn)象處理的人，都應該具備—些處理故障現(xiàn)象的基本知識。以及工程上的可行性、經(jīng)濟性等方面。如在集成電路中金屬化互連系統(tǒng)可能存在著電遷移和應力遷移失效，這兩種失效的物理機制是不同的，產(chǎn)生的應力條件也是不同的。失效機理是對失效的內(nèi)在本質、必然性和規(guī)律性的研究，是人們對失效內(nèi)在本質認識的理論提高和升華。如表：然而失效原因的確定是相當復雜的,其復雜性表現(xiàn)為失效原因具有的一些特點。隨機失效主要由整機開關時的浪涌電流、靜電放電、過電損傷引起。通過失效原因的分析判斷，確定造成失效的直接關鍵因素處于設汁、材料、制造工藝、使用及環(huán)境的哪―環(huán)節(jié)。如樣品經(jīng)可靠性試驗而失效，需了解樣品經(jīng)受實驗的應力種類和時間失效發(fā)生期包括：失效樣品的經(jīng)歷、失效時間、失效發(fā)生的階段，如研制、生產(chǎn)、測試、試驗、儲存、使用等。例如,失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)表明，工作人操作無誤，供電系統(tǒng)正常，而整機上的器件出現(xiàn)了早期失效，說明元器件生產(chǎn)廠應對元器件失效負責，應負責整改，排除工藝缺陷，提高產(chǎn)品可靠性。模式準確，就是要將失效的性質和類型判斷準確。因此，根據(jù)失效分析的目的與實際，選擇合適的分析技術與方法，從大到小，從外到內(nèi)，從非破壞到破壞，從定性到定量，使失效分析迅速、準確、可靠。提出消除產(chǎn)生失效的辦法和建議，及時地反饋到設計、工藝、使用單位等各個方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出現(xiàn)。通過反復驗證，確定真實的失效原因，以電子元器件失效機理的相關理論為指導。對一個復雜的失效，需要根據(jù)失效元器件和失效模式列出所有可能導致失效的原因，確定正確的分析次序，并且指出哪里需要附加的數(shù)據(jù)來支撐某個潛在性因素。根據(jù)測試、觀察到的現(xiàn)象與效應進行初步分析，確定出現(xiàn)這些現(xiàn)象的可能原因，或者與失效樣品的哪一部分有關；同時通過立體顯微鏡檢查，觀察失效樣品的外觀標志是否完整，是否存在機械損傷，是否有腐蝕痕跡等；通過電特性試，；利用金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡等設備觀察失效部位的形狀，大小，位置，顏色，機械和物理結構，物理特性等，準確的描述失效特征模式。 明確分析對象失效分析首先是要明確分析對象及失效發(fā)生的背景。進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。元器件生產(chǎn)廠改進器件的設計和生產(chǎn)工藝。失效分折是產(chǎn)品可靠性工程的一個重要組成部分，失效分析廣泛應用于確定研制生產(chǎn)過程中產(chǎn)生問題的原因，鑒別測試過程中與可靠性相關的失效，確認使用過程中的現(xiàn)場失效機理。電子元器件采購網(wǎng)對其行業(yè)分成了30個大分類，并對每個分類又細分出來上百個二級分類。第三篇：電子元器件采購網(wǎng)介紹電子元器件采購網(wǎng)介紹電子元器件采購網(wǎng)是馬可波羅網(wǎng)旗下的一個主打電子元器件的b2b網(wǎng)站，是以電子元器件行業(yè)為主的具備采購，批發(fā)，供應為一體的電子元器件行業(yè)領先的第三方電子商務B2B平臺。有二極管、三極管雙二極管、雙三極管、五極管、七極管等多種形式。開關件、插接件:、鈕子開關、按鈕開關、微動開關、按鍵開關、凸輪開關如繼電器等。廣泛應用于廣場、車站、體育場等大型顯示屏。熒光數(shù)碼管體積大、驅動電壓高、現(xiàn)已基本淘汰。光電激光LED的壽命長、功耗小、驅動電壓低、響應速度快。光敏二極管電流線性好、響應速度快。通常包括光電耦合器、半導體光敏器件、半導體發(fā)光器件、數(shù)碼和圖像顯示器件。超大規(guī)模(VLSI):集成度大于1000門/片?！靼从性雌骷愋头郑嚎煞譃殡p極型，單極型,雙極單極混合型。數(shù)字IC目前使用最多的是TTL型和COMS型,另外還有微處理器類如單片機(MCU),數(shù)字信號處理器(DSP)等。英文縮寫成IC?！羁煽毓瑁鹤饔茫河玫碗妷喝タ刂拼蠊β孰娐返囊环N無觸點的半導