rf典型電路分析講義(參考版)
2025-03-01 16:23本頁(yè)面
【正文】 至于電容量的大小取決于帶處理交流信號(hào)的頻率。 CPU RF R Control Signal 返回 2023/3/18 52 RF DBTEL 隔直（ Block） 電容 對(duì)于交流信號(hào)處理電路特別是信號(hào)放大電路一般不希望連同直流成分同時(shí)引入，因?yàn)橹绷髌玫拇嬖诤苋菀资沟梅糯箅娐诽幱陲柡蜖顟B(tài)，這樣交流信號(hào)會(huì)被淹沒(méi)不可能通過(guò)有效的放大處理單元，為此我們通常在處理電路輸入端串聯(lián)適當(dāng)容量的隔直（ Block） 電容可以有效解決這個(gè)問(wèn)題。 詳見(jiàn) 《高速電路板設(shè)計(jì)技術(shù)》 2023/3/18 47 RF DBTEL 電源濾波去耦網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用 2023/3/18 48 RF DBTEL 電源去耦電路參數(shù)的選擇 C1的選擇： 假設(shè)電源提供電流為 I， 則 K取 10是經(jīng)驗(yàn)比例 一般應(yīng)用時(shí)取電容標(biāo)稱(chēng)值在計(jì)算值附近就可以了 C2的選擇： C2位高頻陶瓷電容，一般在 tr U Burst UtIKC r??1返回 2023/3/18 49 RF DBTEL 其它 上拉、下拉電阻 數(shù)字控制信號(hào)的高頻抑制措施 隔直（ Block） 電容 2023/3/18 50 RF DBTEL 上拉、下拉電阻 上、下拉電阻是為了防止擾動(dòng)引入輸入端，保持開(kāi)關(guān)狀態(tài)的穩(wěn)定性而設(shè)置的： 上拉電阻 RH（ Pull High） 下拉電阻 RL（ Pull Low） 常 開(kāi) 常 閉 I/P I/P I/P I/P O/P O/P O/P O/P RH RH RL RL VCC VCC VCC VCC 返回 2023/3/18 51 RF DBTEL 數(shù)字控制信號(hào)的高頻抑制措施 射頻電路需要由 CPU的控制才能有效工作，可是一般數(shù)字開(kāi)關(guān)信號(hào)都帶有很復(fù)雜的頻率成分，這對(duì)于射頻電路的穩(wěn)定性能是一個(gè)很大的威脅。 電解電容 C1一般容量較大在低頻時(shí)能提供好的通路，而在高頻時(shí)由于其 寄生電感 的存在阻抗將變大無(wú)法提供濾波通路； 陶瓷電容 C2由于其容量一般較小，所以在低頻時(shí)阻抗較大無(wú)法提供濾波通路，而在高頻時(shí)阻抗變小則會(huì)有很好的濾波特性； 這樣可以看出 C C2的濾波特性是 互補(bǔ) 的，需要 同時(shí) 利用才能得到較寬頻的有效濾波范圍。 2023/3/18 45 RF DBTEL 電源濾波去耦網(wǎng)絡(luò)基本構(gòu)成 電源去耦低通濾波網(wǎng)絡(luò) 如右圖： 去耦電阻或電感 R/L （ Decoupling Resistor/Inductor） 去耦電容 C C2 （ Decoupling Capacitor） 以上部分部不要求全部具備， 去耦電阻及去耦電感有時(shí)就可不用 去耦電阻 R在電路中將緩和電源上升、下降沿的速度，從而抑制高頻噪聲的形成； 用 電 單 元 Power Battery Decoupling Resistor/Inductor Decoupling Capacitor R/L C1 C2 2023/3/18 46 RF DBTEL 去耦電感 L在回路中必然阻礙高頻交流成分達(dá)到隔離效果； 有時(shí)，我們還使用扼流磁珠來(lái)獲得更強(qiáng)的隔離效果。 2023/3/18 44
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