rf設(shè)計(jì)與應(yīng)用(五)射頻積體電路封裝(參考版)
2025-01-19 05:24本頁(yè)面
【正文】 。在未來(lái)，多功（結(jié)合PDA、Radio、MP3）、多頻（多種接收頻率）、多模（跨不同系統(tǒng)）的行動(dòng)通訊產(chǎn)品已是必然的趨勢(shì)。3. CSP及WLCSP(Wafer Level CSP)技術(shù)應(yīng)用與延伸—在晶片尺寸封裝的定義下，甚至是更新的晶圓級(jí)晶片尺寸封裝，也都因小型化的需求及技術(shù)研發(fā)的成熟度，而增加運(yùn)用到射頻積體電路封裝的可能性，不過(guò)因晶片與基板材質(zhì)膨脹係數(shù)的差異性，導(dǎo)致在製程溫度較高的情形下，會(huì)有基板電路翹曲及互連打線(xiàn)或錫球斷裂的問(wèn)題，仍需在材質(zhì)和封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)上作改善?！鴪D七 雜散模共振干擾圖▲圖八 (a)原始CBCPW傳輸特性量測(cè)與模擬對(duì)照；(b)加了矽基板的CBCPW傳輸特性量測(cè)結(jié)果 射頻積體電路封裝技術(shù)未來(lái)發(fā)展及面臨的挑戰(zhàn)以射頻積體電路封裝技術(shù)而言，除了體積濃縮的考量外，維持其電路設(shè)計(jì)之電性規(guī)格，甚至是希望能更進(jìn)一步做到改善的效果，相信不只是專(zhuān)精於射頻電路設(shè)計(jì)者和元件製造商的責(zé)任，並且和封裝產(chǎn)業(yè)的技術(shù)提昇都有相當(dāng)重要的關(guān)聯(lián)性，包括1. 製程整合──除了功率放大器電路中的電晶體，仍暫時(shí)需以GaAs製程技術(shù)才能做到符合電性規(guī)格外，其餘主動(dòng)元件皆可亦步亦趨朝向更精進(jìn)的RFCMOS製程邁進(jìn)，一是可結(jié)合被動(dòng)元件的模組化，二是大膽地與基頻電路做適度的整合，以提高現(xiàn)今CMOS製程產(chǎn)品在較高頻率的限制。m, 15.．cm)，利用矽基板本身材質(zhì)的損耗特性來(lái)衰減雜訊的傳遞，而原始的電傳輸特性以及抑制效能可從圖八中得知。就參考資料3所提及，在共平面波導(dǎo)線(xiàn)的MMIC封裝，會(huì)因背金屬共平面波導(dǎo)線(xiàn)(ConductorBacked Coplanar Waveguide。我們可以得知，將被動(dòng)元件整合進(jìn)模組封裝中和單一封裝元件結(jié)合獨(dú)立式被動(dòng)元件對(duì)照下，可提昇電路的效能特性；但必需注意的是，其被動(dòng)元件內(nèi)藏於模組電路後，就不容易因效能的差異做適度的調(diào)整及更換，且製作被動(dòng)電路的設(shè)計(jì)尺寸也
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